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sic sbd 文章 進(jìn)入sic sbd技術(shù)社區
采用SiC FET盡可能提升圖騰柱PFC級的能效
- 圖騰柱PFC電路能顯著(zhù)改善交流輸入轉換器的效率，但是主流半導體開(kāi)關(guān)技術(shù)的局限性使其不能發(fā)揮全部潛力。不過(guò)，SiC FET能突破這些局限性。本文介紹了如何在數千瓦電壓下實(shí)現99.3%以上的效率。正文交流輸入電源的設計師必須竭力滿(mǎn)足許多要求，包括功能要求、安全要求和EMC要求等等。他們通常需要進(jìn)行權衡取舍，一個(gè)好例子是既要求達到服務(wù)器電源的“鈦”標準等能效目標，又要用功率因素校正（PFC）將線(xiàn)路諧波發(fā)射保持在低水平，以幫助電網(wǎng)可靠高效地運行。在大部分情況下，會(huì )通過(guò)升壓轉換器部分實(shí)施PFC，升壓轉換器會(huì )將整流后
- 關(guān)鍵字： SiC FET PFC
SiC大戰拉開(kāi)帷幕，中國勝算幾何
- 近些年，隨著(zhù)電動(dòng)汽車(chē)以及其他系統的增長(cháng)，碳化硅（SiC）功率半導體市場(chǎng)正在經(jīng)歷需求的突然激增，因此也吸引了產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)的關(guān)注。在產(chǎn)業(yè)應用進(jìn)一步成熟的趨勢下，SiC的爭奪戰正一觸即發(fā)。碳化硅材料之殤SiC器件成本高的一大原因就是SiC襯底貴，目前，襯底成本大約是加工晶片的50%，外延片是25%，器件晶圓生產(chǎn)環(huán)節20%，封裝測試環(huán)節5%。SiC襯底不止貴，生產(chǎn)工藝還復雜，與硅相比，碳化硅很難處理、研磨和鋸切，挑戰非常大。所以大多數企業(yè)都是從Cree、Rohm等供應商購買(mǎi)襯底。SiC器件廣泛用于光伏逆變器、工
- 關(guān)鍵字： SiC 功率半導體
功率半導體－馬達變頻器內的關(guān)鍵組件
- 全球有約 30% 的發(fā)電量用于驅動(dòng)工業(yè)應用中的馬達，而全球工業(yè)產(chǎn)業(yè)消耗的能源量預期到 2040 年將成長(cháng)一倍。隨著(zhù)對能源成本和資源有限的意識不斷提高，未來(lái)提升驅動(dòng)馬達用電效率的需求將會(huì )越來(lái)越顯著(zhù)。
- 關(guān)鍵字： IGBT7 SiC MOSFET 馬達變頻器 功率半導體 英飛凌
以中國帶動(dòng)世界 意法半導體搶占新能源汽車(chē)制高點(diǎn)
- 意法半導體(STMicroelectronics) 以“意法半導體，科技始之于你”為主題亮相2021年慕尼黑上海電子展，展示其行業(yè)領(lǐng)先的智能出行、電源和能源管理、物聯(lián)網(wǎng)和5G產(chǎn)品及解決方案。 作為意法半導體重要的業(yè)務(wù)領(lǐng)域之一，此次展臺的焦點(diǎn)是一輛智能電動(dòng)轎跑小鵬P7，這款先進(jìn)的新能源智能汽車(chē)的車(chē)輛控制單元(VCU)中采用意法半導體的先進(jìn)的多功能芯片L9788，這是首個(gè)集成CAN FD收發(fā)器的U-chip解決方案，符合最高的功能性安全標準，產(chǎn)品競爭優(yōu)勢包括節省物料清單(BOM)成本、減少印刷電路板(PCB)
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 SiC BMS
電動(dòng)汽車(chē)BMS的技術(shù)趨勢及恩智浦的解決方案
- 1? ?電動(dòng)汽車(chē)BMS的技術(shù)趨勢對恩智浦而言，我們所觀(guān)察到的電動(dòng)汽車(chē)制造商在規劃整個(gè)車(chē)型電氣化過(guò)程中正在面對如下挑戰，這也代表了現在技術(shù)發(fā)展的趨勢。1)? ?電池成本的持續降低是電動(dòng)車(chē)普及以及車(chē)廠(chǎng)盈利的重要決勝點(diǎn)。除電芯降本外，還需要不斷優(yōu)化電子電氣以及機械架構，并制作支持自動(dòng)化組裝的生產(chǎn)線(xiàn)，這樣才能提高生產(chǎn)效率。2)? ?延長(cháng)里程需要提高比能量，縮短充電時(shí)間則要增加比功率，在逐漸挑戰比能量和比功率極限的過(guò)程中，電池管理功能安全的等級、診斷的精度
- 關(guān)鍵字： BMS SiC
SiC在電動(dòng)汽車(chē)的功率轉換中扮演越來(lái)越重要的角色
- 1? ?中國新能源汽車(chē)市場(chǎng)的需求特點(diǎn)首先，中國的電動(dòng)化發(fā)展速度很快，中國企業(yè)的創(chuàng )新力旺盛，而且直接從傳統汽車(chē)向新能源汽車(chē)過(guò)渡，沒(méi)有美國或歐洲企業(yè)所面臨的復雜的“技術(shù)遺產(chǎn)”問(wèn)題。相比歐美，新興的中國車(chē)企更期待新能源汽車(chē)。在中國，功率轉換系統在汽車(chē)中的應用非常廣泛，這就是為什么ST專(zhuān)注于與中國客戶(hù)合作開(kāi)發(fā)電源管理系統。ST汽車(chē)和分立器件產(chǎn)品部大眾市場(chǎng)業(yè)務(wù)拓展負責人公司戰略辦公室成員Giovanni Luca SARICA2? ?SiC在成本上有優(yōu)勢嗎SiC解決方案的成本
- 關(guān)鍵字： 新能源汽車(chē) SiC
TI為何把首款GaN FET定位于汽車(chē)和工業(yè)應用
- GaN（氮化鎵）作為新一代半導體材料，正有越來(lái)越廣泛的應用。近日，德州儀器（TI）宣布其首款帶集成驅動(dòng)器、內部保護和有源電源管理的GaN FET，分別面向車(chē)用充電器和工業(yè)電源，可以實(shí)現2倍的功率密度和高達99%的效率。TI如何看待GaN在汽車(chē)和工業(yè)方面的機會(huì )？此次GaN FET的突破性技術(shù)是什么？為此，電子產(chǎn)品世界記者線(xiàn)上采訪(fǎng)了TI高壓電源應用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部GaN功率器件產(chǎn)品線(xiàn)經(jīng)理Steve Tom。TI高壓電源應用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部GaN功率器件產(chǎn)品線(xiàn)經(jīng)理Steve Tom1? ?GaN在電源領(lǐng)
- 關(guān)鍵字： GaN FET SiC
推動(dòng)更快、更安全、更高效EV充電器的技術(shù)
- 隨著(zhù)電動(dòng)汽車(chē)（EV）數量的增加，對創(chuàng )建更加節能的充電基礎設施系統的需求也在日益增長(cháng)，如此便可更快地為車(chē)輛充電。與先前的電動(dòng)汽車(chē)相比，新型電動(dòng)汽車(chē)具有更高的行駛里程和更大的電池容量，因此需要開(kāi)發(fā)快速直流充電解決方案以滿(mǎn)足快速充電要求。150 kW或200 kW的充電站約需要30分鐘才能將電動(dòng)汽車(chē)充電至80％，行駛大約250 km。根據聯(lián)合充電系統和Charge de Move標準， 快速DC充電站 可提供高達400 kW的功率。今天，我們將研究驅動(dòng)更快、更安全、更高效的充電器的半導體技術(shù)
- 關(guān)鍵字： EV SiC IGBT MOSEFT CMTI
UnitedSiC與益登科技簽署分銷(xiāo)協(xié)議
- 領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率半導體制造商 UnitedSiC 近日宣布與益登科技簽署代理協(xié)議，益登科技是總部位于臺灣的半導體產(chǎn)品主要分銷(xiāo)商和解決方案供應商。益登科技將與UnitedSiC合作，助其將產(chǎn)品推向亞洲市場(chǎng)，為包括電動(dòng)汽車(chē)、電池充電、IT基礎設施、可再生能源和電路保護等高增長(cháng)應用領(lǐng)域的客戶(hù)提供產(chǎn)品方案。UnitedSiC全球銷(xiāo)售和營(yíng)銷(xiāo)副總裁Yalcin BulutUnitedSiC全球銷(xiāo)售和營(yíng)銷(xiāo)副總裁Yalcin Bulut 表示：“亞洲市場(chǎng)正在迅速崛起，急需采用能夠實(shí)現新產(chǎn)品差異化的新技術(shù)。益登的
- 關(guān)鍵字： SiC 電動(dòng)汽車(chē)
安森美半導體的碳化硅(SiC)功率模塊 將支持臺達的太陽(yáng)能光伏逆變器
- 推動(dòng)高能效創(chuàng )新的安森美半導體(ON Semiconductor)，推出一款適用于?太陽(yáng)能逆變器應用?的?全SiC功率模塊?，該產(chǎn)品已被全球領(lǐng)先的電源和熱管理方案供應商臺達選用，用于支持其M70A三相光伏組串逆變器。?NXH40B120MNQ系列全SiC功率模塊集成了一個(gè)1200 V、40 mΩ SiC MOSFET和具有雙升壓級的1200 V，40 A SiC升壓二極管。 SiC技術(shù)的使用提供了實(shí)現太陽(yáng)能逆變器等應用中所要求高能效水平所需的低反向恢復和快速
- 關(guān)鍵字： MOSFET SiC PIM 光伏逆變器
寬禁帶生態(tài)系統：快速開(kāi)關(guān)和顛覆性的仿真環(huán)境
- 寬禁帶?材料實(shí)現了較當前硅基技術(shù)的飛躍。 它們的大帶隙導致較高的介電擊穿，從而降低了導通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設計和工作，降低的漏電流和更好的導熱性有助于高溫下的工作。安森美半導體提供圍繞寬禁帶方案的獨一無(wú)二的生態(tài)系統，包含從旨在提高強固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門(mén)極驅動(dòng)器。 除了硬件以外，我們還提供spice物理模型，幫助設計人員在仿真中實(shí)現其應用性能，縮短昂貴的測試周期。我們的預測性離散建?？梢赃M(jìn)行系統級仿真
- 關(guān)鍵字： IC RDS(on) CAD MOSFET SiC MOS
臻驅科技與羅姆成立碳化硅技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗室
- 中國新能源汽車(chē)電驅動(dòng)領(lǐng)域高科技公司臻驅科技（上海）有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“臻驅科技”）與全球知名半導體廠(chǎng)商ROHM Co., Ltd.（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“羅姆”）宣布在中國（上海）自由貿易區試驗區臨港新片區成立“碳化硅技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗室”，并于2020年6月9日舉行了揭牌儀式。與IGBT*1等硅（Si）功率元器件相比，碳化硅（SiC）功率元器件具有傳導損耗、開(kāi)關(guān)損耗*2小、耐溫度變化等優(yōu)勢，作為能夠顯著(zhù)降低損耗的半導體，在電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器以及DC/DC轉換器等方面的應用日益廣泛。自2017年合作以來(lái)，臻驅科技和羅姆就采
- 關(guān)鍵字： MOSEFT SiC
新基建驅動(dòng)電力電源變革，ST祭出一攬子解決方案
- 我國正在大力進(jìn)行新基建，工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、汽車(chē)充電樁、5G手機等對電力與電源提出了更高的能效要求。與此同時(shí)，SiC、GaN等第三代半導體材料風(fēng)生水起，奠定了堅實(shí)的發(fā)展基礎。充電樁、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、手機需要哪些新電力與電源器件？近日，ST（意法半導體）亞太區功率分立器件和模擬產(chǎn)品部區域營(yíng)銷(xiāo)及應用副總裁Francesco MUGGERI接受了電子產(chǎn)品世界記者的采訪(fǎng)，分享了對工業(yè)市場(chǎng)的預測，并介紹了ST的新產(chǎn)品。ST亞太區 功率分立器件和模擬產(chǎn)品部 區域營(yíng)銷(xiāo)及應用副總裁 Francesco MUGGERI1 工業(yè)電源市場(chǎng)
- 關(guān)鍵字： 電源 SiC IGBT GaN
Microchip推出3kW瞬態(tài)電壓抑制二極管陣列產(chǎn)品，實(shí)現嚴苛環(huán)境下出色的電路保護
- 航空航天系統依賴(lài)于引擎控制單元、環(huán)境控制、儀器和執行器中的數字和邏輯功能與電路才能完成關(guān)鍵的工作。數據中心、5G基礎設施和通信系統同樣依賴(lài)于復雜的電路，而這些電路需要得到妥善保護。即便有閃電、太陽(yáng)活動(dòng)和電磁事故引起的電壓浪涌和尖峰，系統仍必須保持連續運行。Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今日宣布推出其最新瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）垂直陣列產(chǎn)品組合 — MDA3KP瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）。?該3kW二極管系列擁有超過(guò)25款產(chǎn)品，具有不同的篩選級別、極性和認證標
- 關(guān)鍵字： TVS SBD ESD EFT MSL RTCA
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