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UnitedSiC（現名Qorvo）宣布推出具有業(yè)界出眾品質(zhì)因數的1200V第四代SiC FET
- 2022年5月11日移動(dòng)應用、基礎設施與航空航天、國防應用中RF解決方案的領(lǐng)先供應商Qorvo宣布推出新一代1200V碳化硅（SiC）場(chǎng)效應晶體管（FET）系列。
- 關(guān)鍵字： UnitedSiC Qorvo SiC 碳化硅 場(chǎng)效應管
Power Integrations推出汽車(chē)級IGBT/SiC模塊驅動(dòng)器產(chǎn)品系列SCALE EV，為巴士、卡車(chē)以及建筑和農用電動(dòng)汽車(chē)提供強大動(dòng)力
- 深耕于中高壓逆變器應用門(mén)極驅動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日宣布推出適用于Infineon EconoDUALTM模塊的SCALETM EV系列門(mén)極驅動(dòng)板。新款驅動(dòng)器同樣適用于原裝、仿制以及其它新的采用SiC的衍生模塊，其應用范圍包括電動(dòng)汽車(chē)、混合動(dòng)力和燃料電池汽車(chē)（包括巴士和卡車(chē)）以及建筑、采礦和農用設備的大功率汽車(chē)和牽引逆變器。SCALE EV板級門(mén)極驅動(dòng)器內部集成了兩個(gè)增強型門(mén)極驅動(dòng)通道、相關(guān)供電電源和監控遙測電路。新驅動(dòng)板已通過(guò)汽車(chē)級認證和ASIL B認證，可實(shí)現AS
- 關(guān)鍵字： Power Integrations IGBT SiC 模塊驅動(dòng)器 SCALE EV PI
英飛凌推出1200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片，以增強特性進(jìn)一步提高系統能效
- 英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了一項全新的CoolSiC?技術(shù)，即CoolSiC? MOSFET 1200 V M1H。這款先進(jìn)的碳化硅（SiC）芯片用于頗受歡迎的Easy模塊系列，以及采用基于.XT互連技術(shù)的分立式封裝，具有非常廣泛的產(chǎn)品組合。M1H芯片具有很高的靈活性，適用于必須滿(mǎn)足峰值電力需求的太陽(yáng)能系統，如光伏逆變器。同時(shí)，這款芯片也是電動(dòng)汽車(chē)快充、儲能系統和其他工業(yè)應用的理想選擇。CoolSiC技術(shù)取得的最新進(jìn)展使得柵極驅動(dòng)電壓窗口明顯增大，從而降低了既定芯片面積下的導通電阻。與此同時(shí)，隨著(zhù)柵極運行
- 關(guān)鍵字： SiC 太陽(yáng)能 MOSFET
克服疫情，大灣區首臺全自動(dòng)化SiC動(dòng)態(tài)測試系統在北理汽車(chē)研究院交付
- _____日前，泰克攜手方案合作伙伴忱芯科技向北京理工大學(xué)深圳汽車(chē)研究院交付了一臺全自動(dòng)化SiC功率模塊動(dòng)態(tài)測試系統，此為今年度向客戶(hù)交付的第五臺SiC功率模塊動(dòng)態(tài)測試系統，亦是大灣區的首臺全自動(dòng)化SiC功率模塊動(dòng)態(tài)測試系統。此系統集成了來(lái)自泰克的專(zhuān)門(mén)針對第三代半導體測試的硬件設備，從而解決了“測不準”、“測不全”、“不可靠”這三個(gè)難題的挑戰。忱芯作為泰克科技的解決方案合作伙伴，在去年“碳化硅功率半導體及應用研討會(huì )”上結成了全范圍的戰略合作聯(lián)盟，進(jìn)行深度整合資源，圍繞寬禁帶功率半導體測試領(lǐng)域開(kāi)展全產(chǎn)業(yè)鏈的
- 關(guān)鍵字： Tektroni SiC 動(dòng)態(tài)測試系統
ROHM建立8V閘極耐壓150V GaN HEMT量產(chǎn)體制
- 半導體制造商ROHM已建立150V耐壓GaN HEMT GNE10xxTB系列（GNE1040TB）?的量產(chǎn)體制，該系列產(chǎn)品的閘極耐壓（閘極-源極間額定電壓）高達8V，非常適用于基地臺、數據中心等工控設備和各類(lèi)型IoT通訊裝置的電源電路。 EcoGaN首波產(chǎn)品 GNE10xxTB系列?有助基地臺和數據中心實(shí)現低功耗和小型化一般來(lái)說(shuō)，GaN組件具有優(yōu)異的低導通電阻和高速開(kāi)關(guān)性能，有助降低各種電源功耗和實(shí)現外圍組件小型化。但其閘極耐壓很低，因此在開(kāi)關(guān)工作時(shí)的組件可靠性方面尚存在課題。針對該課題，RO
- 關(guān)鍵字： SiC GaN ROHM
羅姆SiC評估板測評：快充測試
- 一、測試工裝準備1、P02SCT3040KR-EVK-001測試板2、電壓源3、示波器4、負載儀二、測試項目進(jìn)行1、安裝 SIC后的空載波形SiC安裝空載波形空板，空載GS 為100hz 25V 信號2、DCDC 在線(xiàn)測試1）空載測試驅動(dòng)空載輸出12V，gs驅動(dòng)為200hz總寬度3.6uS的錐形信號2）加載 24轉55V 2A dcdc驅動(dòng)信號波形如下：帶載 6.6k 15V驅動(dòng)信號單脈沖寬度，3uS左右總結由于輕負載，溫度始終未超過(guò)50度。開(kāi)關(guān)速度方面優(yōu)于硅基產(chǎn)品，以后有對應設備
- 關(guān)鍵字： SiC 碳化硅 MOSFET ROHM
羅姆SiC評估板測評：射頻熱凝控制儀測試
- 測試設備①直流電源由于手上沒(méi)有高電壓的直流電源，只能使用一般的電源，且手上只有一個(gè)低壓直流穩壓源，所以這穩壓電源既用于給開(kāi)發(fā)板電源供電，又用于半橋母線(xiàn)電源。②電子負載半橋電源電源的輸出負載，可恒流或者恒壓或者恒負載，測試電源的帶載能力非常好用。③信號發(fā)生器產(chǎn)生不同頻率的可調制的方波信號，用于MOS管的驅動(dòng)④示波器觀(guān)察驅動(dòng)信號、輸出信號、MOS管的波形⑤萬(wàn)用表測量各測試點(diǎn)的電壓⑥溫度巡檢儀測量帶載后MOS管的溫度測試拓撲將說(shuō)明書(shū)中電路按照上述描述修改：兩個(gè)直流電源換成CBB電容，在Hvdc母線(xiàn)上加上12V電
- 關(guān)鍵字： SiC 碳化硅 MOSFET ROHM
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