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受惠5G及汽車(chē)科技 SiC及GaN市場(chǎng)前景向好

　　相較目前主流的硅晶圓(Si)，第三代半導體材料SiC及GaN除了耐高電壓的特色外，也分別具備耐高溫與適合在高頻操作下的優(yōu)勢，不僅可使芯片面積可大幅減少，并能簡(jiǎn)化周邊電路的設計，達到減少模組、系統周邊的零組件及冷卻系統的體積。根據估計，2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達1.8億美元，而GaN基板產(chǎn)值僅約3百萬(wàn)美元。　　　　此外，除了輕化車(chē)輛設計之外，因第三代半導體的低導通電阻及低切換損失的特性，也能大幅降低車(chē)輛運轉時(shí)的能源轉換損失，兩者對于電動(dòng)車(chē)續航力的提升有相當的幫助。因此，
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ROHM攜汽車(chē)電子及工業(yè)設備市場(chǎng)產(chǎn)品強勢登陸“2018慕尼黑上海電子展”

　　全球知名半導體制造商ROHM于2018年3月14日--16日參加了在上海新國際展覽中心舉辦的"2018慕尼黑上海電子展(electronica?China?2018)"?！　　澳侥岷谏虾ｋ娮诱?不僅是亞洲領(lǐng)先的電子行業(yè)展覽，還是行業(yè)內最重要的盛會(huì )之一。ROHM在此次展會(huì )上以“汽車(chē)電子”和“工業(yè)設備”為軸，為大家呈現包括“汽車(chē)電子”、?“模擬”、“電源”、“傳感器”以及“移動(dòng)設備”在內的5大解決方案展區，囊括了業(yè)界領(lǐng)先的強大產(chǎn)品陣容。另外，為此
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慕展：功率電子、微波通信、阻容感、材料、結構件領(lǐng)域的最新產(chǎn)品都在世強

　　慕尼黑上海電子展舉辦，作為亞洲第一電子大展，展會(huì )吸引了數萬(wàn)名電子行業(yè)的觀(guān)眾到場(chǎng)參觀(guān)學(xué)習。而全球先進(jìn)的元件分銷(xiāo)商——世強元件電商，則攜物聯(lián)網(wǎng)、汽車(chē)、微波通信、功率電子、工業(yè)控制及自動(dòng)化、結構件、阻容感、材料、測試測量等九大領(lǐng)域的最新產(chǎn)品及方案亮相?！　{借集成電路、元件、材料、部件、儀器、阻容感等全品類(lèi)的電子元器件展示，以及NB-IOT、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、無(wú)線(xiàn)充電與快充、工業(yè)4.0、人工智能、樓宇照明、智能網(wǎng)聯(lián)汽車(chē)、新能源汽車(chē)、5G通信、藍牙Mesh等眾多熱門(mén)市場(chǎng)的最新產(chǎn)品的展示，世強元件電商吸引了大批工程師
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5G和交通電氣化的核心是SiC和GaN功率射頻器件

　　據麥姆斯咨詢(xún)報道，一些非常重要的市場(chǎng)趨勢正在推動(dòng)化合物半導體器件在關(guān)鍵行業(yè)的應用，化合物半導體正在強勢回歸。這些趨勢主要包括第五代(5G)無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )協(xié)議、無(wú)人駕駛和自動(dòng)汽車(chē)、交通電氣化、增強現實(shí)和虛擬現實(shí)(AR/VR)。這些應用正在推動(dòng)3D傳感的應用，提高功率模塊效率和更高頻率的通信應用。所有這些新發(fā)展背后的關(guān)鍵器件都是由化合物半導體制造而成?？其J(Cree)和英飛凌(Infineon)近日關(guān)于SiC材料、SiC功率器件和GaN射頻(RF)器件的最新公告，還僅僅是化合物半導體應用的冰山一角。　　我們
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ADI用于Microsemi SiC功率模塊的隔離驅動(dòng)器板加快產(chǎn)品上市時(shí)間

　　Analog Devices, Inc. (ADI)與Microsemi Corporation近日聯(lián)合推出市場(chǎng)首款用于半橋SiC功率模塊的高功率評估板，在200kHz開(kāi)關(guān)頻率時(shí)該板提供最高1200V電壓和50A電流。隔離板的設計旨在提高設計可靠性，同時(shí)減少創(chuàng )建額外原型的需求，為電源轉換和儲能客戶(hù)節省時(shí)間、降低成本并縮短上市時(shí)間。ADI公司和Microsemi將在2018年3月4日至8日于美國得克薩斯州圣安東尼奧舉行的APEC 2018展會(huì )上展示該評估
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安森美半導體的碳化硅(SiC)二極管提供更高能效、更高功率密度和更低的系統成本

　　推動(dòng)高能效創(chuàng )新的安森美半導體?(ON?Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)推出最新650?V碳化硅(SiC)肖特基二極管系列產(chǎn)品，擴展了SiC二極管產(chǎn)品組合。這些二極管的尖端碳化硅技術(shù)提供更高的開(kāi)關(guān)性能、更低的功率損耗，并輕松實(shí)現器件并聯(lián)?！　“采腊雽w最新發(fā)布的650?V?SiC?二極管系列提供6安培(A)到50?A的表面貼裝和穿孔封裝。所有二極管均提供零反向恢復、低正向壓、不受溫度影響的電流穩定性、高浪涌容
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納微半導體將在中國臺灣的電源設計技術(shù)論壇活動(dòng)上

　　納微 (Navitas)半導體宣布其現場(chǎng)應用及技術(shù)營(yíng)銷(xiāo)總監黃萬(wàn)年將在2018年1月30日于中國臺北舉辦的“2018前瞻電源設計與功率組件技術(shù)論壇”上發(fā)表“利用氮化鎵(GaN)功率IC實(shí)現下一代電源適配器設計”的主題演講。他將分享如何利用業(yè)內首個(gè)及唯一的氮化鎵(GaN)功率IC在各種電力系統中顯著(zhù)提高速度、效率和密度的嶄新見(jiàn)解。納微是這項活動(dòng)的銀級贊助商，該活動(dòng)為具有創(chuàng )新性的制造商、合作伙伴及客戶(hù)提供了一個(gè)交互論壇，以交流加速采用新型氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)器件的專(zhuān)業(yè)知識?！　↑S萬(wàn)年
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ROHM贊助上海同濟大學(xué)“DIAN Racing”電動(dòng)方程式車(chē)隊

　　近年來(lái)，出于地球溫室化對策和減少空氣污染的考慮，對汽車(chē)的環(huán)保性能要求越來(lái)越高。世界各國均已制定了新能源汽車(chē)的開(kāi)發(fā)和引進(jìn)計劃，未來(lái)新能源汽車(chē)的普及將會(huì )進(jìn)一步加速。其中，中國新能源汽車(chē)市場(chǎng)發(fā)展勢頭最為迅猛。隨著(zhù)中國新能源汽車(chē)市場(chǎng)的迅速壯大和新能源汽車(chē)技術(shù)的快速發(fā)展，越來(lái)越多的中國新能源汽車(chē)品牌開(kāi)始走出國門(mén)，投身到波瀾壯闊的世界新能源汽車(chē)市場(chǎng)?！　∽鳛槿蛑雽w制造商， ROHM一直以來(lái)都將汽車(chē)市場(chǎng)為主要目標領(lǐng)域，通過(guò)開(kāi)發(fā)并提供SiC元器件、電源IC、控制IC等滿(mǎn)足最新汽車(chē)電子化需求的創(chuàng )新型高
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電動(dòng)汽車(chē)打開(kāi)應用窗口：SiC產(chǎn)品要來(lái)了！

隨著(zhù)技術(shù)的不斷更新?lián)Q代，以及電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)的巨大助力，SiC產(chǎn)品有望迎來(lái)快速增長(cháng)期。
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我國第三代半導體材料制造設備取得新突破

　　近日，863計劃先進(jìn)制造技術(shù)領(lǐng)域“大尺寸SiC材料與器件的制造設備與工藝技術(shù)研究”課題通過(guò)了技術(shù)驗收。　　通常，國際上把碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導體材料稱(chēng)之為第三代半導體材料。其在禁帶寬度、擊穿場(chǎng)強、電子飽和漂移速度、熱導率等綜合物理特性上具有更加突出的綜合優(yōu)勢，特別在抗高電壓、高溫等方面性能尤為明顯，由于第三代半導體材料的制造裝備對設備真空度、高溫加熱性能、溫度控制精度以及高性能溫場(chǎng)分布、設備可靠性等直接影響SiC單晶襯底質(zhì)量和成品率的關(guān)鍵技術(shù)有很高的
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在高頻直流—直流轉換器內使用650V碳化硅MOSFET的好處

　　摘要　　本文評測了主開(kāi)關(guān)采用意法半導體新產(chǎn)品650V SiC MOSFET的直流-直流升壓轉換器的電熱特性，并將SiC碳化硅器件與新一代硅器件做了全面的比較。測試結果證明，新SiC碳化硅開(kāi)關(guān)管提升了開(kāi)關(guān)性能標桿，讓系統具更高的能效，對市場(chǎng)上現有系統設計影響較大?！　∏把浴　∈袌?chǎng)對開(kāi)關(guān)速度、功率、機械應力和熱應力耐受度的要求日益提高，而硅器件理論上正在接近性能上限?！　拵栋雽w器件因電、熱、機械等各項性能表現俱佳而被業(yè)界看好，被認為是硅半導體器件的替代技術(shù)。在這些新材料中，兼容硅
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制造能耗變革從新一代半導體開(kāi)始

　　接近62%的能源被白白浪費　　美國制造創(chuàng )新網(wǎng)絡(luò )(目前稱(chēng)為MgfUSA)已經(jīng)闡明了美國制造業(yè)規劃的聚焦點(diǎn)在材料與能源。清潔能源智能制造CESMII中的清潔能源與能源互聯(lián)網(wǎng)自不必說(shuō)，而在復合材料IACMI和輕量化研究院LIFT中都關(guān)注到了汽車(chē)減重設計，本身也是為了降低能源消耗的問(wèn)題。在美國第二個(gè)創(chuàng )新研究院“美國電力創(chuàng )新研究院” Power Amercia(PA)其關(guān)注點(diǎn)同樣在于能源的問(wèn)題。這是一個(gè)關(guān)于巨大的能源市場(chǎng)的創(chuàng )新中心。　　　　圖1：整體的能源轉換效率約在38
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ROHM SiC在汽車(chē)領(lǐng)域的應用

近年來(lái)，SiC(碳化硅)因其優(yōu)異的節能效果和對產(chǎn)品小型化、輕量化的貢獻，在新能源汽車(chē)、城市基礎設施、環(huán)境/能源，以及工業(yè)設備領(lǐng)域的應用日益廣泛。與同等額定電流的IGBT產(chǎn)品相比，SiC產(chǎn)品憑借更低的開(kāi)關(guān)損耗，可實(shí)現設備中冷卻機構的小型化。同時(shí)，通過(guò)更高頻率的開(kāi)關(guān)動(dòng)作，還可實(shí)現線(xiàn)圈和電容器等周邊元器件的小型化?？梢?jiàn)，SiC是可以同時(shí)實(shí)現設備節能化、小型化和輕量化的“理想的元器件”。
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走過(guò)疑慮 SiC器件終迎春天

在經(jīng)過(guò)多年的疑慮和猶豫之后，SiC器件終于迎來(lái)了春天。
關(guān)鍵字： SiC Cree

1200V CoolSiCTM MOSFET兼具高性能與高可靠性

SiC在電源轉換器的尺寸、重量和/或能效等方面具有優(yōu)勢。當然，要進(jìn)行大批量生產(chǎn)，逆變器除了靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能之外，還必須具備適當的可靠性，以及足夠的閾值電壓和以應用為導向的短路耐受能力等?？膳cIGBT兼容的VGS=15V導通驅動(dòng)電壓，以便從IGBT輕松改用SiC MOSFET解決方案。英飛凌的1200V CoolSiCTM MOSFET可滿(mǎn)足這些要求。
關(guān)鍵字：電源轉換器 SiC MOSFET 逆變器 201707