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安森美：聚焦SiC產(chǎn)能擴建，推出最新MOSFET產(chǎn)品

近日，安森美公布了2022年第三季度業(yè)績(jì)，其三季度業(yè)績(jì)直線(xiàn)上揚，總營(yíng)收21.93億美元，同比增長(cháng)25.86%；毛利10.58億美元，同比增長(cháng)46.82%。財報數據顯示，其三大業(yè)務(wù)中，智能電源組營(yíng)收為11.16億美元，同比增長(cháng)25.1%；高級解決方案組營(yíng)收7.34億美元，同比增長(cháng)19.7%；智能感知組營(yíng)收為3.42億美元，同比增長(cháng)44.7%，三大業(yè)務(wù)全線(xiàn)保持增長(cháng)。自安森美總裁兼首席執行官Hassane El-Khoury加入安森美后，安森美執行了一系列的戰略轉型，聚焦于智能電源和智能感知兩大領(lǐng)域，從傳統的I
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EEVIA媒體論壇之英飛凌：賦能未來(lái)汽車(chē)低碳化和數字化發(fā)展

在最近召開(kāi)的EEVIA第十屆年度中國硬科技媒體論壇暨2022產(chǎn)業(yè)鏈研創(chuàng )趨勢展望研討會(huì )上，來(lái)自英飛凌安全互聯(lián)系統事業(yè)部的汽車(chē)級WiFi/BT及安全產(chǎn)品應用市場(chǎng)管理經(jīng)理楊大穩以“英飛凌賦能未來(lái)汽車(chē)低碳化和數字化發(fā)展“為題，詳細介紹了英飛凌在汽車(chē)電子領(lǐng)域的相關(guān)產(chǎn)品和未來(lái)趨勢。新能源車(chē)是全球汽車(chē)市場(chǎng)增長(cháng)最快也是需求最旺盛的領(lǐng)域，特別是在中國這個(gè)全球產(chǎn)銷(xiāo)第一的市場(chǎng)，2022年國有品牌汽車(chē)占據近一半的中國汽車(chē)市場(chǎng)份額，最大的驅動(dòng)力是來(lái)自于新能源車(chē)和電動(dòng)車(chē)?？梢灶A想，隨著(zhù)政府和車(chē)廠(chǎng)的支持，電動(dòng)車(chē)未來(lái)幾年會(huì )迎
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SiC助力軌道交通駛向“碳達峰”

當前，全球主要國家和地區都已經(jīng)宣布了“碳達峰”的時(shí)間表。在具體實(shí)現的過(guò)程中，軌道交通將是一個(gè)重要領(lǐng)域。由于用能方式近乎100%為電能，且帶動(dòng)大量基礎設施建設，因此軌道交通的“碳達峰”雖然和工業(yè)的“碳達峰”路徑有差異，但總體實(shí)現時(shí)間將較為接近。在中國，這個(gè)時(shí)間節點(diǎn)是2030年之前。當然，“碳達峰”在每一個(gè)領(lǐng)域都有狹義和廣義的區分，比如在工業(yè)領(lǐng)域，一方面是重點(diǎn)企業(yè)自身通過(guò)節能+綠電的方式實(shí)現“碳達峰”，另一方面也需要圍繞重點(diǎn)企業(yè)的產(chǎn)業(yè)鏈上下游全面實(shí)現能耗降低。對于軌道交通也是如此，狹義層面的軌交工具，以及廣義
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碳化硅（SiC）電源管理解決方案搭配可配置數字柵極驅動(dòng)技術(shù)助力實(shí)現“萬(wàn)物電氣化”

綠色倡議持續推動(dòng)工業(yè)、航空航天和國防應用，尤其是運輸行業(yè)的電力電子系統設計轉型。碳化硅（SiC）是引領(lǐng)這一趨勢的核心技術(shù)，可提供多種新功能不斷推動(dòng)各種車(chē)輛和飛機實(shí)現電氣化，從而減少溫室氣體（GHG）排放。碳化硅解決方案支持以更小、更輕和更高效的電氣方案取代飛機的氣動(dòng)和液壓系統，為機載交流發(fā)電機、執行機構和輔助動(dòng)力裝置（APU）供電。這類(lèi)解決方案還可以減少這些系統的維護需求。但是，SiC技術(shù)最顯著(zhù)的貢獻體現在其所肩負實(shí)現商用運輸車(chē)輛電氣化的使命上，這些車(chē)輛是世界上最大的GHG排放源之一。隨著(zhù)1700V金屬
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士蘭明鎵SiC功率器件生產(chǎn)線(xiàn)初步通線(xiàn)，首個(gè)SiC器件芯片投片成功

10月24日，士蘭微發(fā)布公告稱(chēng)，近期，士蘭明鎵SiC功率器件生產(chǎn)線(xiàn)已實(shí)現初步通線(xiàn)，首個(gè)SiC器件芯片已投片成功，首批投片產(chǎn)品各項參數指標達到設計要求，項目取得了階段性進(jìn)展。士蘭明鎵正在加快后續設備的安裝、調試，目標是在今年年底形成月產(chǎn)2000片6英寸SiC芯片的生產(chǎn)能力。士蘭微表示，公司目前已完成第一代平面柵SiC-MOSFET技術(shù)的開(kāi)發(fā)，性能指標達到業(yè)內同類(lèi)器件結構的先進(jìn)水平。公司已將SiC-MOSFET芯片封裝到汽車(chē)主驅功率模塊上，參數指標較好，繼續完成評測，即將向客戶(hù)送樣。據了解，2017年12月1
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世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅動(dòng)器NCP51561 應用于高頻小型化工業(yè)電源

現階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會(huì )導致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會(huì )影響關(guān)斷速度，而硅元件也無(wú)法再提升。因此開(kāi)發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性，使得這些器件可與壽命長(cháng)的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個(gè)產(chǎn)品設計做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導體開(kāi)關(guān)的器
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使用TI功能安全柵極驅動(dòng)器提高SiC牽引逆變器的效率

隨著(zhù)電動(dòng)汽車(chē) (EV) 制造商競相開(kāi)發(fā)成本更低、行駛里程更長(cháng)的車(chē)型，電子工程師面臨降低牽引逆變器功率損耗和提高系統效率的壓力，這樣可以延長(cháng)行駛里程并在市場(chǎng)中獲得競爭優(yōu)勢。功率損耗越低則效率越高，因為它會(huì )影響系統熱性能，進(jìn)而影響系統重量、尺寸和成本。隨著(zhù)開(kāi)發(fā)的逆變器功率級別更高，每輛汽車(chē)的電機數量增加，以及卡車(chē)朝著(zhù)純電動(dòng)的方向發(fā)展，人們將持續要求降低系統功率損耗。過(guò)去，牽引逆變器使用絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)。然而，隨著(zhù)半導體技術(shù)的進(jìn)步，碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管具有比IGBT更高
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貿澤開(kāi)售采用D2PAK-7L 封裝的工業(yè)用 UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET

2022年9月23日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷(xiāo)商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨采用行業(yè)標準D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC（現已被 Qorvo?收購）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場(chǎng)效應晶體管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封裝選項提供低開(kāi)關(guān)損耗、在更高速度下提升效率，同時(shí)提高系統功率密度。這些FET經(jīng)優(yōu)化適合車(chē)載充電器、軟開(kāi)關(guān)DC/DC
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東芝推出面向更高效工業(yè)設備的第三代SiC MOSFET

東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻，可顯著(zhù)降低開(kāi)關(guān)損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，已于今日開(kāi)始出貨。新產(chǎn)品的單位面積導通電阻（RDS(ON)A）下降了大約43%[3]，從而使“漏源導通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大約80%[4]，這是體現導通損耗與開(kāi)關(guān)損耗間關(guān)系的重要指標。這樣可以將開(kāi)關(guān)損耗減少大約
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安森美慶祝在新罕布什爾州擴張碳化硅工廠(chǎng)

領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，昨天美國時(shí)間舉行了剪彩儀式，慶祝其位于新罕布什爾州哈德遜 (Hudson, New Hampshire) 的碳化硅 (SiC) 工廠(chǎng)的落成。該基地將使安森美到2022年底的SiC晶圓產(chǎn)能同比增加五倍，在哈德遜的員工人數幾乎翻兩番。此擴張使安森美能完全控制其SiC制造供應鏈，從SiC粉末和石墨原料的采購，到封裝好的SiC器件的交付。這使安森美能為其客戶(hù)提供必要的供應保證，以滿(mǎn)足對基于SiC的方案迅速增長(cháng)的需求。SiC對于提高電
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UnitedSiC（現已被 Qorvo收購）為功率設計擴展高性能且高效的750V SiC FET產(chǎn)品組合

移動(dòng)應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應商 Qorvo?, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布推出 7 款采用表貼 D2PAK-7L 封裝的 750V 碳化硅 (SiC) FET。憑借該封裝方案，Qorvo 的 SiC FET 針對快速增長(cháng)的車(chē)載充電器、軟開(kāi)關(guān) DC/DC 轉換器、電池充電（快速 DC 和工業(yè)）和 IT/服務(wù)器電源應用實(shí)現量身定制。它們采用熱性能增強型封裝，為需求最大效率、低傳導損失和高性?xún)r(jià)比的高功耗應用提供理想解決方案。在 650/750V 狀態(tài)下，第四
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UnitedSiC（現為 Qorvo）針對電源設計擴展更高性能和效率的750V SiC FET 產(chǎn)品組合

Qorvo?今天宣布推出采用表面貼裝 D2PAK-7L 封裝的七款 750V 碳化硅 (SiC) FET，借助此封裝選項，Qorvo 的 SiC FET可為車(chē)載充電器、軟開(kāi)關(guān) DC/DC 轉換器、電池充電（快速 DC 和工業(yè)）以及IT/服務(wù)器電源等快速增長(cháng)的應用量身定制，能夠為在熱增強型封裝中實(shí)現更高效率、低傳導損耗和卓越成本效益的高功率應用提供更佳解決方案。Qorvo 的第四代 UJ4C/SC 系列在 650/750V 時(shí)具有9mΩ的業(yè)界更低 RDS(on)，其額定值分別為 9、11、18、23、33、
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安森美: 打造可提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應商

由于 SiC 具有更快的開(kāi)關(guān)速度，因此對于某些拓撲結構，可縮減無(wú)源元器件如電感器的尺寸以降低系統尺寸和成本。光伏發(fā)電和大規模儲能變得越來(lái)越重要，最終將取代所有的污染性能源。由于可再生能源目前僅占全球總發(fā)電量的一小部分，因此 SiC 將有長(cháng)遠的發(fā)展路向。隨著(zhù)電動(dòng)車(chē)采用率的增加，充電樁將大規模部署，另外，SiC 最終還將成為電動(dòng)車(chē)主驅逆變器的首選材料，因為它可減少車(chē)輛的整體尺寸和重量，且能效更高，可延長(cháng)電池使用壽命。安森美首席碳化硅專(zhuān)家，中國汽車(chē)OEM技術(shù)負責人吳桐博士安森美 (onsemi) 在收購上游
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安森美：打造可提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應商

受訪(fǎng)人：安森美首席碳化硅專(zhuān)家，中國汽車(chē)OEM技術(shù)負責人吳桐博士1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據其不同的特性，分別適用在哪些應用領(lǐng)域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？　　氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)具有較高的電子遷移率和較高的能帶隙，用它們制成的晶體管具有比硅基晶體管更高的擊穿電壓和更耐受高溫，可以突破硅基器件的應用極限，開(kāi)關(guān)速度更快，導通電阻更低，損耗更小，能效更高?！　aN的開(kāi)關(guān)頻率比SiC高得多，而SiC的可靠
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第三代半導體市場(chǎng)的“互補共生”

　　受訪(fǎng)人：Robert Taylor是德州儀器(TI)系統工程營(yíng)銷(xiāo)組的應用經(jīng)理，負責工業(yè)和個(gè)人電子市場(chǎng)的定制電源設計。他的團隊每年負責500項設計，并在過(guò)去20年中設計了15000個(gè)電源。Robert于2002年加入TI，大部分時(shí)間都在擔任各種應用的電源設計師。Robert擁有佛羅里達大學(xué)的電氣工程學(xué)士學(xué)位和碩士學(xué)位。1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據其不同的特性，分別適用在哪些應用領(lǐng)域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？　
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