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TrendForce：估今年車(chē)用SiC功率組件市場(chǎng)破10億

為進(jìn)一步提升電動(dòng)車(chē)動(dòng)力性能，全球各大車(chē)企已將目光鎖定在新一代SiC（碳化硅）功率組件，并陸續推出了多款搭載相應產(chǎn)品的高性能車(chē)型。依TrendForce研究，隨著(zhù)越來(lái)越多車(chē)企開(kāi)始在電驅系統中導入SiC技術(shù)，預估2022年車(chē)用SiC功率組件市場(chǎng)規模將達到10.7億美元，2026年將攀升至39.4 億美元。隨著(zhù)越來(lái)越多車(chē)企開(kāi)始在電驅系統中導入SiC技術(shù)，預估2022年車(chē)用SiC功率組件市場(chǎng)規模將達到10.7億美元。TrendForce指出，目前車(chē)用SiC功率組件市場(chǎng)主要由歐美IDM大廠(chǎng)掌控，關(guān)鍵供貨
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ROHM SiC技術(shù)助力SEMIKRON功率模塊打造次世代電動(dòng)車(chē)

SEMIKRON和半導體制造商ROHM在開(kāi)發(fā)碳化硅（SiC）功率模塊方面已經(jīng)有十多年的合作。本次ROHM的第4代SiC MOSFET正式被運用于SEMIKRON車(chē)規級功率模塊「eMPack」，開(kāi)啟了雙方合作的全新里程碑。合作儀式留影，SEMIKRON CEO兼CTO Karl-Heinz Gaubatz先生（左），ROHM德國公司社長(cháng) Wolfram Harnack（中），SEMIKRON CSO Peter Sontheimer先生（右）此外，SEMIKRON宣布已與德國一家大型汽車(chē)制造商簽
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賽米控與羅姆就碳化硅功率元器件展開(kāi)新的合作

賽米控（總部位于德國紐倫堡）和全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）在開(kāi)發(fā)碳化硅（SiC）功率模塊方面已經(jīng)開(kāi)展了十多年的合作。合作儀式剪影：賽米控CEO兼CTO? Karl-Heinz Gaubatz先生（左）羅姆德國公司社長(cháng)?Wolfram Harnack（中）賽米控CSO Peter Sontheimer先生（右）此次，羅姆的第4代SiC MOSFET正式被用于賽米控的車(chē)規級功率模塊“eMPack?”，開(kāi)啟了雙方合作的新征程。此外，賽米控宣布已與德國一家大型汽車(chē)制造商簽署
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SiC FET的起源及其向著(zhù)完美開(kāi)關(guān)發(fā)展的歷程

使用寬帶隙半導體作為高頻開(kāi)關(guān)為實(shí)現更高的功率轉換效率提供了有力支持。一個(gè)示例是，碳化硅開(kāi)關(guān)可以實(shí)施為SiC MOSFET或以共源共柵結構實(shí)施為SiC FET。本白皮書(shū)追溯了SiC FET的起源和發(fā)展，直至最新一代產(chǎn)品，并將其性能與替代技術(shù)進(jìn)行了比較。白皮書(shū)當然，接近完美的電子開(kāi)關(guān)已經(jīng)存在很長(cháng)一段時(shí)間了，但是我們這里要談的不是機械開(kāi)關(guān)?，F代功率轉換依賴(lài)的是半導體開(kāi)關(guān)，它們最好在打開(kāi)時(shí)沒(méi)有電阻，在關(guān)閉時(shí)電阻和耐受電壓無(wú)限大，并能在簡(jiǎn)單驅動(dòng)下以任意快的速度在開(kāi)關(guān)狀態(tài)間切換且沒(méi)有瞬時(shí)功率損耗。在這個(gè)重視能源與成本
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破解SiC、GaN柵極動(dòng)態(tài)測試難題的魔法棒 — 光隔離探頭

SiC、GaN 作為最新一代功率半導體器件具有遠優(yōu)于傳統 Si 器件的特性，能夠使得功率變換器獲得更高的效率、更高的功率密度和更低的系統成本。但同時(shí)，SiC、GaN極快的開(kāi)關(guān)速度也給工程師帶來(lái)了使用和測量的挑戰，稍有不慎就無(wú)法獲得正確的波形，從而嚴重影響到器件評估的準確、電路設計的性能和安全、項目完成的速度。SiC、GaN動(dòng)態(tài)特性測量中，最難的部分就是對半橋電路中上橋臂器件驅動(dòng)電壓VGS的測量，包括兩個(gè)部分：開(kāi)關(guān)過(guò)程和Crosstalk。此時(shí)是無(wú)法使用無(wú)源探頭進(jìn)行測量的，這會(huì )導致設備和人員危險，同時(shí)還會(huì )由
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仿真看世界之SiC單管并聯(lián)中的寄生導通問(wèn)題

這篇微信文章，其實(shí)構思已久。為了有所鋪墊，已在2020和2021發(fā)布了兩篇基礎篇。2022，讓我們再次聊聊在SiC單管并聯(lián)中的寄生導通問(wèn)題。這篇微信文章，其實(shí)構思已久。為了有所鋪墊，已在2020和2021發(fā)布了兩篇基礎篇：● 2020《仿真看世界之SiC單管的寄生導通現象》● 2021《仿真看世界之SiC MOSFET單管并聯(lián)均流特性》2022，讓我們再次聊聊在SiC單管并聯(lián)中的寄生導通問(wèn)題。特別提醒：仿真只是工具，仿真無(wú)法替代實(shí)驗，仿真只供參考。在展開(kāi)
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安森美的VE-Trac SiC系列為電動(dòng)車(chē)主驅逆變提供高能效、高功率密度和成本優(yōu)勢

雙碳目標正加速推進(jìn)汽車(chē)向電動(dòng)化發(fā)展，半導體技術(shù)的創(chuàng )新助力汽車(chē)從燃油車(chē)過(guò)渡到電動(dòng)車(chē)，新一代半導體材料碳化硅(SiC)因獨特優(yōu)勢將改變電動(dòng)車(chē)的未來(lái)，如在關(guān)鍵的主驅逆變器中采用SiC可滿(mǎn)足更高功率和更低的能效、更遠續航、更小損耗和更低的重量，以及向800 V遷移的趨勢中更能發(fā)揮它的優(yōu)勢，但面臨成本、封裝及技術(shù)成熟度等多方面挑戰。安森美(onsemi)提供領(lǐng)先的智能電源方案，在SiC領(lǐng)域有著(zhù)深厚的歷史積淀，是世界上少數能提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應商之一，其創(chuàng )新的VE TracTM Direct SiC
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CISSOID、NAC和Advanced Conversion三強聯(lián)手開(kāi)發(fā)高功率密度碳化硅（SiC）逆變器

高溫半導體和功率模塊領(lǐng)域的領(lǐng)導者CISSOID宣布，公司已與NAC Group和Advanced Conversion（為要求嚴苛的應用提供高性能電容器的領(lǐng)導者）開(kāi)展合作，以提供緊湊且優(yōu)化集成的三相碳化硅（SiC）功率堆棧。該功率堆棧結合了CISSOID的1200V SiC智能功率模塊和Advanced Conversion的6組低ESR/ESL直流支撐（DC-Link）電容器，可進(jìn)一步與控制器板和液體冷卻器集成，為電機驅動(dòng)器的高功率密度和高效率SiC逆變器（見(jiàn)下圖）的設計提供完整的硬件和軟件平臺。CIS
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安森美豐富的SiC方案解決新一代UPS的設計挑戰

隨著(zhù)云計算、超大規模數據中心、5G應用和大型設備的不斷發(fā)展，市場(chǎng)對不間斷電源 (UPS)的需求保持高位，且正在往小型化、高容量化、高效化發(fā)展，設計人員面臨如何在性能、能效、尺寸、成本、控制難度之間權衡取舍的挑戰，安森美(onsemi)基于新一代半導體材料碳化硅(SiC)的方案，有助于變革性地優(yōu)化UPS設計。安森美是領(lǐng)先的智能電源方案供應商之一，也是全球少數能提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應商，提供先進(jìn)的SiC、SiC/Si 混合和 IGBT 模塊技術(shù)，以及廣泛的分立器件、門(mén)極驅動(dòng)器等周邊器件，滿(mǎn)足低
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SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅動(dòng)電壓的分析及探討

隨著(zhù)制備技術(shù)的進(jìn)步，在需求的不斷拉動(dòng)下，碳化硅（SiC）器件與模塊的成本逐年降低。相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)與應用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車(chē)，可再生能源及儲能等應用領(lǐng)域的發(fā)展，更是不容小覷。富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專(zhuān)業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶(hù)打造個(gè)性化的解決方案，并縮短產(chǎn)品設計周期。在第三代半導體的實(shí)際應用領(lǐng)域，富昌電子結合自身的技術(shù)積累和項目經(jīng)驗，落筆于SiC相關(guān)設計的系列文章。希望以此給到大家一定的設計參考，并期待與您進(jìn)一步的交流。作為系列文章的第一部分，本文將先就SiC
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貿澤備貨UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET，為各類(lèi)電源應用提供更好的支持

提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷(xiāo)商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開(kāi)始分銷(xiāo)UnitedSiC（現已被Qorvo?收購）的UF4C和UF4SC 1200V碳化硅 (SiC) FET。作為廣泛的高性能SiC FET系列產(chǎn)品，此第四代器件具有出色的導通電阻特性，適用于主流800V總線(xiàn)架構中的電源解決方案，如電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC-DC太陽(yáng)能逆變器等應用。?貿澤電子分銷(xiāo)的UF4C/SC SiC FET為設計人員提供了
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SiC MOSFET驅動(dòng)電壓測試結果離譜的六大原因

_____開(kāi)關(guān)特性是功率半導體開(kāi)關(guān)器件最重要的特性之一，由器件在開(kāi)關(guān)過(guò)程中的驅動(dòng)電壓、端電壓、端電流表示。一般在進(jìn)行器件評估時(shí)可以采用雙脈沖測試，而在電路設計時(shí)直接測量在運行中的變換器上的器件波形，為了得到正確的結論，獲得精準的開(kāi)關(guān)過(guò)程波形至關(guān)重要。SiC MOSFET相較于 Si MOS 和 IGBT 能夠顯著(zhù)提高變換器的效率和功率密度，同時(shí)還能夠降低系統成本，受到廣大電源工程師的青睞，越來(lái)越多的功率變換器采用基于 SiC MOSFET 的方案。SiC MOSFET 與 Si 開(kāi)關(guān)器件的一個(gè)重要區別是它
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UnitedSiC(現已被Qorvo收購)宣布推出行業(yè)先進(jìn)的高性能1200V第四代SiC FET

移動(dòng)應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應商 Qorvo?近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場(chǎng)效應晶體管 (FET) 系列，該系列具有出色的導通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線(xiàn)架構，這種架構常見(jiàn)于電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC/DC 太陽(yáng)能逆變器、焊接機、不間斷電源和感應加熱等應用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件總工程師 Anup Bhalla 表示：“我們通過(guò)
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UnitedSiC(現已被 Qorvo收購)宣布推出行業(yè)先進(jìn)的高性能 1200 V第四代SiC FET

移動(dòng)應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應商 Qorvo?近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場(chǎng)效應晶體管 (FET) 系列，該系列具有出色的導通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線(xiàn)架構，這種架構常見(jiàn)于電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC/DC 太陽(yáng)能逆變器、焊接機、不間斷電源和感應加熱等應用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件總工程師 Anup Bhalla 表示：“我們通過(guò)
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瑞能半導體亮相PCIM Europe, 用“芯”加碼實(shí)現最佳效率

2022年5月10日-12日，一年一度的PCIM Europe盛大開(kāi)幕，作為全球領(lǐng)先的功率半導體供應商，瑞能半導體攜SiC?Diodes和SiC?MOSFETs，第三代肖特基二極管G3 SBD、第五代軟恢復二極管 G5 FRD等多款旗艦產(chǎn)品重磅回歸PCIM Europe展會(huì )，全方位展示行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)、產(chǎn)品應用和解決方案，和諸多業(yè)內伙伴共話(huà)智能制造行業(yè)在全球范圍內的可持續發(fā)展。PCIM Europe即歐洲電力電子系統及元器件展，是電力電子、智能運動(dòng)、可再生能源和能源管理領(lǐng)域最具影響力的博
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