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GaN 時(shí)代來(lái)了？

隨著(zhù)特斯拉宣布其下一代 EV 動(dòng)力總成系統的 SiC 組件使用量減少 75%，預計第三代化合物半導體市場(chǎng)狀況將發(fā)生變化，GaN 被認為會(huì )產(chǎn)生后續替代效應。據業(yè)內消息人士透露，這有望使臺積電、世界先進(jìn)半導體 (VIS) 和聯(lián)華電子受益，它們已經(jīng)進(jìn)行了早期部署，并繼續擴大其 8 英寸加工 GaN 器件的產(chǎn)能。GaN 和 SiC 的比較GaN 和 SiC 滿(mǎn)足市場(chǎng)上不同的功率需求。SiC 器件可提供高達 1200V 的電壓等級，并具備高載流能力，因此非常適合汽車(chē)和機車(chē)牽引逆變器、高功率太陽(yáng)能發(fā)電場(chǎng)和大型三相電網(wǎng)
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碳化硅快充時(shí)代來(lái)臨，800V高壓超充開(kāi)始普及！

一直以來(lái)，“里程焦慮”、“充電緩慢”都是卡住新能源汽車(chē)脖子的關(guān)鍵問(wèn)題，是車(chē)企和車(chē)主共同的焦慮；但隨著(zhù)高壓電氣技術(shù)的不斷進(jìn)步和快充時(shí)代的到來(lái)，將SiC(碳化硅）一詞推向了市場(chǎng)的風(fēng)口浪尖。繼2019年4月保時(shí)捷Taycan Turbo S 全球首發(fā)三年后，800V高壓超充終于開(kāi)始了普及。相比于400V，800V帶來(lái)了更高的功效，大幅提升功率，實(shí)現了15分鐘的快充補能。而構建800V超充平臺的靈魂就是材料的革新，基于碳化硅的新型控制器，便引領(lǐng)著(zhù)這一輪高壓技術(shù)的革命。小鵬發(fā)布的800V高壓SiC平臺Si（硅）早已
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5大重要技巧讓您利用 SiC 實(shí)現高能效電力電子產(chǎn)品！

當您設計新電力電子產(chǎn)品時(shí)，您的目標任務(wù)一年比一年更艱巨。高效率是首要要求，但以更小的尺寸和更低的成本提供更高的功率是另一個(gè)必須實(shí)現的特性。SiC MOSFET 是一種能夠滿(mǎn)足這些目標的解決方案。以下重要技巧旨在幫助您創(chuàng )建基于 SiC 半導體的開(kāi)關(guān)電源，其應用領(lǐng)域包括光伏系統、儲能系統、電動(dòng)汽車(chē) (EV) 充電站等。為何選擇 SiC？為了證明您選擇 SiC 作為開(kāi)關(guān)模式設計的首選功率半導體是正確的，請考慮以下突出的特性。與標準或超級結 MOSFET 甚至 IGBT 相比，SiC 器件可以在更高的電壓、更高的
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英飛凌與Resonac擴大合作范圍,簽署多年期碳化硅（SiC）材料供應協(xié)議

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）持續擴大與碳化硅（SiC）供應商的合作。英飛凌是一家總部位于德國的半導體制造商，此次與Resonac Corporation（原昭和電工）簽署了全新的多年期供應和合作協(xié)議。早在2021年，雙方就曾簽署合作協(xié)議，此次的合作是在該基礎上的進(jìn)一步豐富和擴展，將深化雙方在SiC材料領(lǐng)域的長(cháng)期合作伙伴關(guān)系。協(xié)議顯示，英飛凌未來(lái)十年用于生產(chǎn)SiC半導體的SiC材料中，約占兩位數份額將由Resonac供給。前期，Resonac將主要供應6英寸SiC
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是什么使SiC成為組串式逆變器的完美解決方案

與硅技術(shù)相比，SiC MOSFET在光伏和儲能應用中具有明顯的優(yōu)勢，它解決了能效與成本的迫切需求，特別是在需要雙向功率轉換的時(shí)候。易于安裝是大功率光伏組串式逆變器的關(guān)鍵特征之一。如果只需要兩個(gè)工人來(lái)搬運和安裝該系統，將會(huì )非常利于運維。因此，尺寸和重量非常重要。最新一代的碳化硅半導體使電力轉換效率大幅提高。這不僅節省了能源，而且使設備更小、更輕，相關(guān)的資本、安裝和維護成本更低。關(guān)鍵的應用要求及其挑戰。在光伏和儲能系統中，1500V的高系統電壓要求宇宙輻射引起的故障率非常低，同時(shí)要求功率器件具有更高的系統效率
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Diodes公司發(fā)表首款碳化硅肖特基勢壘二極管(SBD)

Diodes 公司?(Diodes)近日宣布推出首款碳化硅?(SiC) 蕭特基勢壘二極管?(SBD)。產(chǎn)品組合包含?DIODES DSCxxA065系列，共有十一項?650V 額定電壓?(4A、6A、8A 和?10A) 的產(chǎn)品，以及?DIODES DSCxx120系列，共有八款?1200V 額定電壓?(2A、5A 和?10A) 產(chǎn)品。這些寬帶隙?SBD 的優(yōu)點(diǎn)包括可大幅提高效率和高溫可靠
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高壓SiC MOSFET研究現狀與展望

碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管（MOSFET）作為寬禁帶半導體單極型功率器件，具有頻率高、耐壓高、效率高等優(yōu)勢，在高壓應用領(lǐng)域需求廣泛，具有巨大的研究?jì)r(jià)值?；仡櫫烁邏?SiC MOSFET 器件的發(fā)展歷程和前沿技術(shù)進(jìn)展，總結了進(jìn)一步提高器件品質(zhì)因數的元胞優(yōu)化結構，介紹了針對高壓器件的幾種終端結構及其發(fā)展現狀，對高壓 SiC MOSFET 器件存在的瓶頸和挑戰進(jìn)行了討論。1 引言電力電子變換已經(jīng)逐步進(jìn)入高壓、特高壓領(lǐng)域，高壓功率器件是制約變換器體積、功耗和效率的決定性因素。特高壓交直流輸電、
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特斯拉 Model3 搭載 SiC，寬禁帶半導體迎來(lái)爆發(fā)

去年 11 月底，特斯拉 Model 3 新款開(kāi)售，其產(chǎn)品設計和功能變化都引起了外界關(guān)注。在特斯拉 Model 3 車(chē)型中，SiC 得到量產(chǎn)應用，這吸引了全球汽車(chē)廠(chǎng)商的目光。搭載 SiC 芯片的智能電動(dòng)汽車(chē)，可提高續航里程，對突破現有電池能耗與控制系統上瓶頸，乃至整個(gè)新能源汽車(chē)行業(yè)都有重要意義。目前，業(yè)內普遍認為以 SiC 為代表的寬禁帶半導體將成為下一代半導體主要材料，那么寬禁帶半導體當前發(fā)展狀況如何？國內外發(fā)展寬禁帶半導體有哪些區別？未來(lái)發(fā)展面臨著(zhù)哪些挑戰？01、特斯拉 Model 3 首批
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瑞薩電子推出新型柵極驅動(dòng)IC 用于驅動(dòng)EV逆變器的IGBT和SiC MOSFET

全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）近日宣布，推出一款全新柵極驅動(dòng)IC——RAJ2930004AGM，用于驅動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。柵極驅動(dòng)IC作為電動(dòng)汽車(chē)逆變器的重要組成部分，在逆變器控制MCU，及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們在低壓域接收來(lái)自MCU的控制信號，并將這些信號傳遞至高壓域，快速開(kāi)啟和關(guān)閉功率器件。為適應電動(dòng)車(chē)輛電池的更高電壓，RAJ2930004AGM內置3.75kV
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安森美與大眾汽車(chē)集團就下一代電動(dòng)汽車(chē)的碳化硅(SiC)技術(shù)達成戰略協(xié)議，進(jìn)一步鞏固戰略合作關(guān)系

2023 年 1 月 30 日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON）宣布與德國大眾汽車(chē)集團 (VW)簽署戰略協(xié)議，為大眾汽車(chē)集團的下一代平臺系列提供模塊和半導體器件，以實(shí)現完整的電動(dòng)汽車(chē) (EV) 主驅逆變器解決方案。安森美所提供的半導體將作為整體系統優(yōu)化的一部分，形成能夠支持大眾車(chē)型前軸和后軸主驅逆變器的解決方案。?安森美將首先交付其 EliteSiC 1200 V 主驅逆變器電源模塊，作為協(xié)議的一部分。EliteSiC 電源模塊具備引腳兼容特性，可
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簡(jiǎn)述碳化硅SIC器件在工業(yè)應用中的重要作用

電力電子轉換器在快速發(fā)展的工業(yè)格局中發(fā)揮著(zhù)至關(guān)重要的作用。它們的應用正在增加，并且在眾多新技術(shù)中發(fā)揮著(zhù)核心作用，包括電動(dòng)汽車(chē)、牽引系統、太空探索任務(wù)、深層石油開(kāi)采系統、飛機系統等領(lǐng)域的進(jìn)步。電力電子轉換器在快速發(fā)展的工業(yè)格局中發(fā)揮著(zhù)至關(guān)重要的作用。它們的應用正在增加，并且在眾多新技術(shù)中發(fā)揮著(zhù)核心作用，包括電動(dòng)汽車(chē)、牽引系統、太空探索任務(wù)、深層石油開(kāi)采系統、飛機系統等領(lǐng)域的進(jìn)步。電力電子電路不斷發(fā)展以實(shí)現更高的效率，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和金屬氧化物場(chǎng)效應晶體管（MOSFET）等電力電子設備為令人興奮
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羅姆的第 4 代SiC MOSFET成功應用于日立安斯泰莫的純電動(dòng)汽車(chē)逆變器

全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）的第4代SiC MOSFET和柵極驅動(dòng)器IC已被日本先進(jìn)的汽車(chē)零部件制造商日立安斯泰莫株式會(huì )社（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“日立安斯泰莫”）用于其純電動(dòng)汽車(chē)（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“EV”）的逆變器。在全球實(shí)現無(wú)碳社會(huì )的努力中，汽車(chē)的電動(dòng)化進(jìn)程加速，在這種背景下，開(kāi)發(fā)更高效、更小型、更輕量的電動(dòng)動(dòng)力總成系統已經(jīng)成為必經(jīng)之路。尤其是在EV領(lǐng)域，為了延長(cháng)續航里程并減小車(chē)載電池的尺寸，提高發(fā)揮驅動(dòng)核心作用的逆變器的效率已成為一個(gè)重要課題，業(yè)內對碳化硅功率元器件寄予厚望。羅姆自2010年
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意法半導體第3代SiC碳化硅功率模塊，這品牌用上了？

現代-起亞集團的 E-GMP 純電平臺以 800V 高電壓架構、高功率充電備受肯定，原先 E-GMP 平臺在后馬達 Inverter 逆變器的功率模塊(Power Module)就有采用 SiC 碳化硅半導體，成本與轉換效率比傳統的硅半導體更高，更能提升續航。如今瑞士半導體供應商意法半導體 (STMicroelectronics) 日前推出第 3 代的 SiC 碳化硅功率模塊，并確認 E-GMP 平臺的起亞 EV6 等車(chē)款將采用，預計在動(dòng)力、續航都能再升級。E-GMP 平臺，原先已在后馬達逆變器采用 Si
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宇宙輻射對OBC/DCDC中高壓SiC/Si器件的影響及評估

汽車(chē)行業(yè)發(fā)展創(chuàng )新突飛猛進(jìn)，車(chē)載充電器（OBC）與DCDC轉換器（HV-LV DCDC）的應用因此也迅猛發(fā)展，同應對大多數工程挑戰一樣，設計人員把目光投向先進(jìn)技術(shù)，以期利用現代超結硅（Super Junction Si）技術(shù)以及碳化硅（SiC）技術(shù)來(lái)提供解決方案。在追求性能的同時(shí)，對于車(chē)載產(chǎn)品來(lái)說(shuō)，可靠性也是一個(gè)重要的話(huà)題。在車(chē)載OBC/DCDC應用中，高壓功率半導體器件用的越來(lái)越多。對于汽車(chē)級高壓半導體功率器件來(lái)說(shuō)，門(mén)極氧化層的魯棒性和宇宙輻射魯棒性是可靠性非常重要的兩點(diǎn)。宇宙輻射很少被提及，但事實(shí)是無(wú)論
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通過(guò)轉向1700V SiC MOSFET，無(wú)需考慮功率轉換中的權衡問(wèn)題

高壓功率系統設計人員努力滿(mǎn)足硅MOSFET和IGBT用戶(hù)對持續創(chuàng )新的需求?；诠璧慕鉀Q方案在效率和可靠性方面通常無(wú)法兼得，也不能滿(mǎn)足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰性的要求。不過(guò)，隨著(zhù)高壓碳化硅（SiC）MOSFET的推出，設計人員現在有機會(huì )在提高性能的同時(shí)，應對所有其他挑戰。在過(guò)去20年間，額定電壓介于650V至1200V的SiC功率器件的采用率越來(lái)越高，如今的1700V SiC產(chǎn)品便是在其成功的基礎上打造而成。技術(shù)的進(jìn)步推動(dòng)終端設備取得了極大的發(fā)展；如今，隨著(zhù)額定電壓為1700V的功率器件的推出，
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