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sic mosfet 文章 進(jìn)入sic mosfet技術(shù)社區
SiC功率半導體市場(chǎng)分析；廠(chǎng)商談IGBT大缺貨
- 根據TrendForce集邦咨詢(xún)旗下化合物半導體研究處最新報告《2023 SiC功率半導體市場(chǎng)分析報告-Part1》分析，隨著(zhù)Infineon、ON Semi等與汽車(chē)、能源業(yè)者合作項目明朗化，將推動(dòng)2023年整體SiC功率元件市場(chǎng)規模達22.8億美元，年成長(cháng)41.4%。與此同時(shí)，受惠于下游應用市場(chǎng)的強勁需求，TrendForce集邦咨詢(xún)預期，至2026年SiC功率元件市場(chǎng)規?？赏_53.3億美元，其主流應用仍倚重電動(dòng)汽車(chē)及可再生能源2全球車(chē)用MCU市場(chǎng)規模預估2022年全球車(chē)用MCU市場(chǎng)規模達82
- 關(guān)鍵字： SiC 功率半導體 IGBT 美光
正確選擇MOSFET以?xún)?yōu)化電源效率
- 優(yōu)化電源設計以提高效率十分重要。提高效率不僅可以節省能源，減少熱量產(chǎn)生，還可以縮小電源尺寸。本文將討論如何平衡上管 MOSFET (HS-FET) 和下管MOSFET (LS-FET) 的數量比，以提高電源設計的效率。圖 1 顯示了一個(gè)具有 HS-FET 和 LS-FET 的簡(jiǎn)化電路。圖 1：具有 HS-FET 和 LS-FET 的電路選擇 MOSFET 時(shí)，如何恰當分配 HS-FET 和 LS-FET 的內阻以獲得最佳效率，這對電源工程師來(lái)說(shuō)是一項挑戰。 MOSFET的結構和損耗組成MOSFE
- 關(guān)鍵字： MPS MOSFET
GaN 出擊
- 自上世紀五十年代以來(lái)，以硅材料為代表的第一代半導體材料取代了笨重的電子管引發(fā)了以集成電路為核心的微電子領(lǐng)域迅速發(fā)展。隨著(zhù)時(shí)間的流逝，盡管目前業(yè)內仍然以 Si 材料作為主流半導體材料，但第二代、第三代甚至是第四代半導體材料都紛沓而至。這其中又以第三代半導體材料——氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）受到大眾關(guān)注。近段時(shí)間，GaN 方面又有了新進(jìn)展。本土 GaN 企業(yè)快速發(fā)展3 月 2 日，英飛凌宣布收購氮化鎵公司 GaN Systems，交易總值 8.3 億美元（約 57.3 億人民幣）。根據公告，英飛凌計劃
- 關(guān)鍵字： GaN SiC
ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應用于A(yíng)pex Microtechnology的工業(yè)設備功率模塊系列
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SiC SBD”）已被成功應用于大功率模擬模塊制造商Apex Microtechnology的功率模塊系列產(chǎn)品。該電源模塊系列包括驅動(dòng)器模塊“SA310”（非常適用于高耐壓三相直流電機驅動(dòng)）和半橋模塊“SA110”“SA111”（非常適用于眾多高電壓應用）兩種產(chǎn)品。ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的
- 關(guān)鍵字： ROHM SiC MOSFET SiC SBD Apex 工業(yè)設備功率模塊
OBC充電器中的SiC FET封裝小巧，功能強大
- EV 車(chē)載充電器和表貼器件中的半導體電源開(kāi)關(guān)在使用 SiC FET 時(shí)，可實(shí)現高達數萬(wàn)瓦特的功率。我們將了解一些性能指標。引言在功率水平為 22kW 及以上的所有級別電動(dòng)汽車(chē) (EV) 車(chē)載充電器半導體開(kāi)關(guān)領(lǐng)域，碳化硅 (SiC) MOSFET 占據明顯的優(yōu)勢。UnitedSiC（如今為 Qorvo）SiC FET 具有獨特的 Si MOSFET 和 SiC JFET 級聯(lián)結構，其效率高于 IGBT，且比超結 MOSFET 更具吸引力。不過(guò)，這不僅關(guān)乎轉換系統的整體損耗。對于 EV 車(chē)主來(lái)說(shuō)，成本、尺寸和
- 關(guān)鍵字： Qorvo OBC SiC
Nexperia首款采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專(zhuān)用MOSFET
- 基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V熱插拔專(zhuān)用MOSFET(ASFET)，該系列產(chǎn)品采用緊湊型8x8 mm LFPAK88封裝，且具有增強安全工作區(SOA)的特性。這些新型ASFET針對要求嚴格的熱插拔和軟啟動(dòng)應用進(jìn)行了全面優(yōu)化，可在175°C下工作，適用于先進(jìn)的電信和計算設備。 憑借數十年開(kāi)發(fā)先進(jìn)晶圓和封裝解決方案所積累的專(zhuān)業(yè)知識，Nexperia推出的這款PSMN2R3-100SSE（100 V，2.3 m N溝道ASFET）作為其產(chǎn)品組合中的首選，
- 關(guān)鍵字： Nexperia SMD 銅夾片 LFPAK88 MOSFET
英飛凌持續賦能數字化和低碳化，多維度推動(dòng)社會(huì )永續發(fā)展
- 日前，英飛凌科技大中華區在京舉辦了2023年度媒體交流會(huì )。英飛凌科技全球高級副總裁及大中華區總裁、英飛凌科技大中華區電源與傳感系統事業(yè)部負責人潘大偉率大中華區諸多高管出席，分享公司在過(guò)去一個(gè)財年所取得的驕人業(yè)績(jì)，同時(shí)探討數字化、低碳化行業(yè)發(fā)展趨勢，并全面介紹英飛凌前瞻性的業(yè)務(wù)布局。 2022財年英飛凌全球營(yíng)收達到142.18億歐元，利潤達到33.78億歐元，利潤率為23.8%，均創(chuàng )下歷史新高。其中，大中華區在英飛凌全球總營(yíng)收中的占比高達37%，繼續保持英飛凌全球最大區域市場(chǎng)的地位，為公司全球業(yè)務(wù)的發(fā)展提供
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 數字化 低碳化 SiC
Qorvo? 發(fā)布 TOLL 封裝的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs
- 中國 北京，2023 年 3 月 21 日 —— 全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo? （納斯達克代碼：QRVO）今日宣布，將展示一種全新的無(wú)引線(xiàn)表面貼裝 (TOLL) 封裝技術(shù)，其高性能具體表現在：750V SiC FET 擁有全球最低的5.4 (mΩ) 的導通阻抗。這也是 Qorvo 公司 750V SiC FETs 產(chǎn)品 TOLL 封裝系列中的首發(fā)產(chǎn)品，其導通電阻范圍從 5.4 mΩ 到 60 mΩ。這些器件非常適用于空間極其有限的應用場(chǎng)景，如從幾百瓦到千萬(wàn)瓦的交流 / 直流電源以及高達
- 關(guān)鍵字： Qorvo 750V SiC FETs
SiC融資火熱！今年以來(lái)超20家獲融資，金額超23億
- 第三代半導體包括碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN），整體產(chǎn)值又以SiC占80%為重。據TrendForce集邦咨詢(xún)研究統計，隨著(zhù)安森美、英飛凌等與汽車(chē)、能源業(yè)者合作項目明朗化，將推動(dòng)2023年整體SiC功率元件市場(chǎng)產(chǎn)值達22.8億美元，年成長(cháng)41.4%?！鱏ource：TrendForce集邦咨詢(xún)今年以來(lái)，SiC領(lǐng)域屢受資本青睞，融資不斷。截至今日，已有20家SiC相關(guān)企業(yè)宣布獲得融資，融資金額超23億。融資企業(yè)包括天科合達、天域半導體、瞻芯電子、派恩杰等領(lǐng)先企業(yè)。天科合達天科合達完成了Pre-IPO輪融
- 關(guān)鍵字： SiC 融資
是時(shí)候從Si切換到SiC了嗎？
- 在過(guò)去的幾年里，碳化硅(SiC)開(kāi)關(guān)器件，特別是SiC MOSFET，已經(jīng)從一個(gè)研究課題演變成一個(gè)重要的商業(yè)化產(chǎn)品。最初是在光伏（PV）逆變器和電池電動(dòng)車(chē)（BEV）驅動(dòng)系統中采用，但現在，越來(lái)越多的應用正在被解鎖。在使用電力電子器件的設備和系統設計中都必須評估SiC在系統中可能的潛力，以及利用這一潛力的最佳策略是什么。那么，你從哪里開(kāi)始呢？工程師老前輩可能還記得雙極晶體管在SMPS中被MOSFET取代的速度有多快，或者IGBT模塊將雙極達林頓晶體管模塊踢出逆變器的速度有多快。電力電子的驅動(dòng)力一直是降低損耗
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 SiC
[向寬禁帶演進(jìn)]:您能跟上寬禁帶測試要求的步伐嗎?
- _____碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的新一代寬禁帶(WBG)材料的使用度正變得越來(lái)越高。在電氣方面，這些物質(zhì)比硅和其他典型半導體材料更接近絕緣體。這些物質(zhì)的采用旨在克服硅的局限性，而這些局限性源自其是一種窄禁帶材料，所以會(huì )引發(fā)不良的導電性泄漏，且會(huì )隨著(zhù)溫度、電壓或頻率的提高而變得更加明顯。這種泄漏的邏輯極限是不可控的導電率，相當于半導體運行失效。在這兩種寬禁帶材料中，GaN主要適合中低檔功率實(shí)現方案，大約在1 kV和100 A以下。GaN的一個(gè)顯著(zhù)增長(cháng)領(lǐng)域是它在LED照明中的應用，而且在汽車(chē)
- 關(guān)鍵字： MOSFET IGBT
碳化硅MOSFET加速應用于光伏領(lǐng)域 增量市場(chǎng)需求望爆發(fā)
- 據報道，近年來(lái)，光伏逆變器制造商采用SiC MOSFET的速度越來(lái)越快。最近，又有兩家廠(chǎng)商在逆變器中采用了SiC MOSFET。1月30日，德國KATEK集團宣布，其Steca太陽(yáng)能逆變器coolcept fleX系列已采用納微半導體的GeneSiC系列功率半導體，以提高效率，同時(shí)減少尺寸、重量和成本。GeneSiC功率器件是基于溝槽輔助平面柵極SiC MOSFET技術(shù)，可以在高溫和高速下運行，壽命最多可延長(cháng)3倍，適用于大功率和快速上市的應用。1月13日，美國制造商Brek Electronics開(kāi)發(fā)了采
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET
SiC市場(chǎng)產(chǎn)值 今年估增4成
- 根據市調統計，隨著(zhù)安森美（onsemi）、英飛凌（Infineon）等與汽車(chē)、能源業(yè)者合作案明朗化，將推動(dòng)2023年整體碳化硅（SiC）功率組件市場(chǎng)產(chǎn)值達22.8億美元、年成長(cháng)41.4％。 主要成長(cháng)原因在于SiC適合高壓、大電流的應用場(chǎng)景，能進(jìn)一步提升電動(dòng)車(chē)與再生能源設備系統效率。集邦表示，SiC功率組件的前兩大應用為電動(dòng)車(chē)與再生能源領(lǐng)域，分別在2022年已達到10.9億美元及2.1億美元，占整體SiC功率組件市場(chǎng)產(chǎn)值約67.4％和13.1％。車(chē)用方面，安森美與大眾汽車(chē)簽屬戰略協(xié)議，另外該系列產(chǎn)品亦被起亞
- 關(guān)鍵字： SiC
市場(chǎng)規模節節攀升，第三代半導體成收購的熱門(mén)賽道
- 以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代半導體市場(chǎng)正如火如荼地發(fā)展著(zhù)，而“圍墻”之外的企業(yè)亦對此賽道十分看重。近日，中瓷電子資產(chǎn)重組重新恢復審核，其對第三代半導體業(yè)務(wù)的開(kāi)拓有了新的進(jìn)展。3月6日，中瓷電子發(fā)布了《發(fā)行股份購買(mǎi)資產(chǎn)并募集配套資金暨關(guān)聯(lián)交易報告書(shū)（草案）（修訂稿）》。根據該修訂稿，中瓷電子擬以發(fā)行股份的方式，購買(mǎi)博威公司73.00%股權、氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務(wù)資產(chǎn)及負債、國聯(lián)萬(wàn)眾94.6029%股權。事實(shí)上，除中瓷電子外，近來(lái)還有許多企業(yè)選擇以收購的方式，布局或擴大第三代半導體業(yè)務(wù)。2023年3月2
- 關(guān)鍵字： 第三代半導體 收購 SiC GaN
使用集成MOSFET限制電流的簡(jiǎn)單方法
- 電子電路中的電流通常必須受到限制。例如在USB端口中，必須防止電流過(guò)大，以便為電路提供可靠的保護。同樣在充電寶中，必須防止電池放電。放電電流過(guò)高會(huì )導致電池的壓降太大和下游設備的供電電壓不足。因此，通常需要將電流限制在一個(gè)特定值。大多數功率轉換器都有過(guò)流限制器，以保護其免受額外電流造成的損壞。在一些DC-DC轉換器中，甚至可以調整閾值。圖1. 每個(gè)端口輸出電流為1 A的充電寶中的電流限制。在圖1中，還可以使用具有內置甚至可調節限流器的DC-DC升壓轉換器。在這種情況下，無(wú)需額外的限流器模塊。不過(guò)，也有許多應
- 關(guān)鍵字： ADI MOSFET
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您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條sic mosfet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對sic mosfet的理解，并與今后在此搜索sic mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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