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第三代半導體高歌猛進(jìn)，誰(shuí)將受益？

“現在的新車(chē)，只要能用碳化硅的地方，便不會(huì )再用傳統功率器件”。功率半導體大廠(chǎng)意法半導體（ST）曾以此言表達碳化硅于新能源汽車(chē)市場(chǎng)的重要性。當下，在全球半導體行業(yè)的逆流中，第三代半導體正閃爍著(zhù)獨特的光芒，作為其代表物的碳化硅和氮化鎵順勢成為耀眼的存在。在此賽道上，各方紛紛加大馬力，堅定下注，一部關(guān)于第三代半導體的爭奪劇集已經(jīng)開(kāi)始上演。一、三代半方興未艾產(chǎn)業(yè)進(jìn)入高速成長(cháng)期近日，科學(xué)技術(shù)部黨組成員、副部長(cháng)相里斌在2023中關(guān)村論壇上表示，2022年在全球疫情和需求端疲軟等多重因素影響下，全球半導體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入下行周
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如何通過(guò)實(shí)時(shí)可變柵極驅動(dòng)強度更大限度地提高 SiC 牽引逆變器的效率

牽引逆變器是電動(dòng)汽車(chē) (EV) 中消耗電池電量的主要零部件，功率級別可達 150kW 或更高。牽引逆變器的效率和性能直接影響電動(dòng)汽車(chē)單次充電后的行駛里程。因此，為了構建下一代牽引逆變器系統，業(yè)界廣泛采用碳化硅 (SiC) 場(chǎng)效應晶體管 (FET) 來(lái)實(shí)現更高的可靠性、效率和功率密度。圖 1 所示的隔離式柵極驅動(dòng)器集成電路 (IC) 提供從低電壓到高電壓（輸入到輸出）的電隔離，驅動(dòng)逆變器每相的高邊和低邊功率模塊，并監測和保護逆變器免受各種故障的影響。根據汽車(chē)安全完整性等級 (ASIL) 功能安全要求，柵極驅
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緯湃科技和安森美簽署碳化硅（SiC）長(cháng)期供應協(xié)議

?·?????? 緯湃科技正在鎖定價(jià)值19億美元（17.5億歐元）的碳化硅（SiC）產(chǎn)能·?????? 緯湃科技通過(guò)向安森美提供2.5億美元（2.3億歐元）的產(chǎn)能投資，獲得這一關(guān)鍵的半導體技術(shù)，以實(shí)現電氣化的強勁增長(cháng)·?????? 除了產(chǎn)能投資外，兩家公司還將在進(jìn)一步優(yōu)化主驅逆變器系統方面達成合作?2023年
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泰克推出基于示波器的雙脈沖測試解決方案，加快SiC和GaN技術(shù)驗證速度

中國北京，2023年5月31日—— 全球領(lǐng)先的測試測量解決方案提供商泰克科技公司日前宣布，推出最新雙脈沖測試解決方案 (WBG-DPT解決方案)。各種新型寬禁帶開(kāi)關(guān)器件正推動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)、太陽(yáng)能、工控等領(lǐng)域快速發(fā)展，泰克WBG-DPT解決方案能夠對寬禁帶器件（如SiC和GaN MOSFETs）提供自動(dòng)可重復的、高精度測量功能。下一代功率轉換器設計師現在能夠利用WBG-DPT解決方案，滿(mǎn)懷信心地迅速優(yōu)化自己的設計。WBG-DPT解決方案能夠在泰克4系、5系、6系MSO示波器上運行，并能夠無(wú)縫集成到示波器測量系統
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三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds？

MOSFET和三極管，在ON 狀態(tài)時(shí)，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過(guò)來(lái)的情況，三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds呢？MOSFET和三極管，在ON 狀態(tài)時(shí)，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過(guò)來(lái)的情況，三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds呢？三極管ON狀態(tài)時(shí)工作于飽和區，導通電流Ice主要由Ib與Vce決定，由于三極管的基極驅動(dòng)電流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能簡(jiǎn)單的僅由Vce來(lái)決定，即不能采用飽和Rc
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投身車(chē)電領(lǐng)域的入門(mén)課：IGBT和SiC功率模塊

2020 年初，疫情期間的封鎖政策并未對電動(dòng)汽車(chē)行業(yè)造成太大影響。2021 年，由于疫情期間人們對電動(dòng)汽車(chē)的需求上升，再加上全球各國政府紛紛采取激勵措施，電動(dòng)汽車(chē)充電站的需求量開(kāi)始增加。在過(guò)去的三年里，電動(dòng)車(chē)領(lǐng)導品牌的銷(xiāo)量紛紛呈現巨幅成長(cháng)的趨勢。低成本、低排放汽車(chē)的不斷發(fā)展，將推動(dòng)整個(gè)亞太地區的電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)實(shí)現穩步擴張。同時(shí)，不斷加碼的政府激勵措施和持續擴張的高性能車(chē)市場(chǎng)也推動(dòng)著(zhù)北美和歐洲地區電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)的快速增長(cháng)。因此，根據MarketsandMarkets 市調數據估計，全球電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)規模將從 2
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如何利用1200 V EliteSiC MOSFET 模塊，打造充電更快的車(chē)載充電器？

要能快速高效地為電動(dòng)車(chē)更大的電池充電，電動(dòng)車(chē)才能在市場(chǎng)普及并發(fā)展。2021 年，市場(chǎng)上排名前 12 位的電動(dòng)汽車(chē)的平均電池容量為 80 kW-hr。消費者主要在家中使用車(chē)輛的車(chē)載充電器(OBC) 進(jìn)行充電。為確保合理的車(chē)輛充電時(shí)間，OEM 還將 OBC 的功率容量從 6.6 kW 提高到 11 kW，甚至高達 22 kW。使用 6.6 kW OBC 時(shí)，這些電動(dòng)汽車(chē)需要 12.1 小時(shí)才能充滿(mǎn)電。而將 OBC 功率增加到 11 kW 后，充電時(shí)間縮短至 7.3 小時(shí)，而使用 22 kW OBC 時(shí)，只需
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中國電科55所高性能高可靠碳化硅MOSFET成功通過(guò)技術(shù)鑒定

近日，中國電科55所牽頭研發(fā)的“高性能高可靠碳化硅MOSFET技術(shù)及應用”成功通過(guò)技術(shù)鑒定。鑒定委員會(huì )認為，該項目技術(shù)難度大，創(chuàng )新性顯著(zhù)，總體技術(shù)達到國際先進(jìn)水平。該項目聚焦新能源汽車(chē)、光伏儲能、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域對高性能高可靠碳化硅MOSFET器件自主創(chuàng )新的迫切需求，突破多項關(guān)鍵工藝技術(shù)，貫通碳化硅襯底、外延、芯片、模塊全產(chǎn)業(yè)鏈量產(chǎn)平臺，國內率先研制出750V/150A和6500V/25A的大電流碳化硅MOSFET器件，實(shí)現新能源汽車(chē)、光伏、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域碳化硅MOSFET批量供貨，有力保障碳化硅功率器件供
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采用增強互連封裝技術(shù)的1200 V SiC MOSFET單管設計高能效焊機

“引言”近年來(lái)，為了更好地實(shí)現自然資源可持續利用，需要更多節能產(chǎn)品，因此，關(guān)于焊機能效的強制性規定應運而生。經(jīng)改進(jìn)的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200 V采用基于.XT擴散焊技術(shù)的TO-247封裝，其非常規封裝和熱設計方法通過(guò)改良設計提高了能效和功率密度。?逆變焊機通常是通過(guò)功率模塊解決方案設計來(lái)實(shí)現更高輸出功率，從而幫助降低節能焊機的成本、重量和尺寸[1]。?在焊機行業(yè)，諸如提高效率、降低成本和增強便攜性（即，縮小尺寸并減輕重量）等趨勢一直是促進(jìn)持續發(fā)展的推動(dòng)力。譬如，多
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目標 2027 年占領(lǐng) 40% 的汽車(chē) SiC 芯片市場(chǎng)，安森美半導體投資 20 億美元擴建工廠(chǎng)

IT之家 5 月 18 日消息，安森美半導體表示將投資 20 億美元，用于擴展現有工廠(chǎng)，目標在全球汽車(chē)碳化硅（SiC）芯片市場(chǎng)中，占據 40% 的份額。安森美半導體目前在安森美半導體美國、捷克共和國和韓國都設有工廠(chǎng)，其中韓國工廠(chǎng)已經(jīng)在生產(chǎn) SiC 芯片了。報道中并未提及安森美半導體具體會(huì )擴建哪家工廠(chǎng)，安森美半導體計劃構建完整產(chǎn)業(yè)鏈，實(shí)現從 SiC 粉末到成品的全流程自主控制。安森美半導體預估到 2027 年占領(lǐng)全球碳化硅汽車(chē)芯片市場(chǎng) 40% 的份額。專(zhuān)家還表示到 2027 年，安森美半導體的銷(xiāo)售
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2023年，SiC襯底出貨量將勁增22%

2023 年 SiC 襯底市場(chǎng)將持續強勁增長(cháng)。
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SMPD先進(jìn)絕緣封裝充分發(fā)揮SiC MOSFET優(yōu)勢

SMPD可用于標準拓撲結構，如降壓、升壓、橋臂(phase-leg)，甚至是定制的組合。它們可用于各種技術(shù)產(chǎn)品，如Si/SiC MOSFET、IGBT、二極管、晶閘管、三端雙向可控硅，或定制組合，具有從40V到3000V不同電壓等級。ISOPLUS - SMPD 及其優(yōu)勢SMPD代表表面安裝功率器件(Surface Mount Power Device)，是先進(jìn)的頂部散熱絕緣封裝，由IXYS（現在是Littelfuse公司的一部分）在2012年開(kāi)發(fā)。SMPD只有硬幣大小，具有幾項關(guān)鍵優(yōu)勢：·
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安森美與Kempower就電動(dòng)汽車(chē)充電樁達成戰略協(xié)議

2023 年 5 月 16 日—智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)導者安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON），宣布與Kempower達成戰略協(xié)議，將為Kempower 提供EliteSiC MOSFET和二極管，用于可擴展的電動(dòng)汽車(chē)（EV）充電樁。雙方此項合作使得Kempower能采用包括安森美EliteSiC產(chǎn)品在內的各種功率半導體技術(shù)，開(kāi)發(fā)電動(dòng)汽車(chē)充電方案套件。這些器件將用于有源AC-DC前端以及初級側和次級側的DC-DC轉換器。安森美為Kempower 的Satellit
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意法半導體發(fā)布靈活可變的隔離式降壓轉換器芯片

2023 年 5月 16 日，中國 —— 意法半導體發(fā) L6983i 10W 隔離降壓 (iso-buck) 轉換器芯片具有能效高、尺寸緊湊，以及低靜態(tài)電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優(yōu)勢。L6983i適合需要隔離式 DC-DC 轉換器應用，采用隔離降壓拓撲結構，需要的外部組件比傳統隔離式反激式轉換器少，并且不需要光耦合器，從而節省了物料清單成本和 PCB面積。 L6983i 的其他優(yōu)勢包括 2μA 關(guān)斷電流，集成軟啟動(dòng)時(shí)間可調、內部環(huán)路補償、電源正常指示，以及過(guò)流保護、熱關(guān)斷等保護功能。擴
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Nexperia首創(chuàng )交互式數據手冊，助力工程師隨時(shí)隨地分析MOSFET行為

奈梅亨，2023年5月11日：基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天宣布推出與功率MOSFET配套使用的新一代交互式數據手冊，大幅提升了對半導體工程師的設計支持標準。通過(guò)操作數據手冊中的交互式滑塊，用戶(hù)可以手動(dòng)調整其電路應用的電壓、電流、溫度和其他條件，并觀(guān)察器件的工作點(diǎn)如何動(dòng)態(tài)響應這些變化。這些交互式數據手冊使用Nexperia的高級電熱模型計算器件的工作點(diǎn)，可有效地為電路仿真器提供一種圖形用戶(hù)界面。此外，工程師借助這些交互式數據手冊可以即時(shí)查看柵極電壓、漏極電流、RDS(o
關(guān)鍵字： Nexperia 交互式數據手冊 MOSFET