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sic mosfet 文章 進(jìn)入sic mosfet技術(shù)社區
因中國價(jià)格戰和Wolfspeed不確定性 瑞薩電子放棄SiC生產(chǎn)計劃
- 根據 MoneyDJ 援引日經(jīng)新聞的一份報告，電動(dòng)汽車(chē) （EV） 市場(chǎng)增長(cháng)放緩，加上中國制造商增產(chǎn)導致供應過(guò)剩，導致價(jià)格下跌，據報道，這促使日本半導體巨頭瑞薩電子放棄了生產(chǎn)電動(dòng)汽車(chē)碳化硅功率半導體的計劃。日經(jīng)新聞指出，瑞薩電子最初計劃于 2025 年初在其位于群馬縣的高崎工廠(chǎng)開(kāi)始生產(chǎn)用于電動(dòng)汽車(chē)的 SiC 功率芯片。然而，該公司此后解散了高崎工廠(chǎng)的 SiC 團隊。日經(jīng)新聞補充說(shuō)，預計與中國競爭對手的價(jià)格競爭將在中長(cháng)期內加劇，這使得瑞薩電子作為后來(lái)者很難從 SiC 芯片生產(chǎn)中快速獲利。根
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Wolfspeed破產(chǎn)傳聞使瑞薩電子20億SiC供應交易面臨風(fēng)險
- 據日本媒體《日刊工業(yè)新聞》報道，據報道，總部位于美國的碳化硅晶圓生產(chǎn)商 Wolfspeed 正在申請第 11 章破產(chǎn)保護。報告指出，這一發(fā)展促使日本公司（包括與 Wolfspeed 簽訂了 10 年供應協(xié)議的瑞薩電子以及 Rohm）重新評估其戰略計劃。正如日刊工業(yè)新聞所說(shuō)，瑞薩電子可能會(huì )受到影響，因為其與 Wolfspeed 于 2023 年簽署了 20 億美元的預付款 10 年碳化硅晶圓供應協(xié)議。報告指出，如果 Wolfspeed 根據美國破產(chǎn)法第 11 章申請破產(chǎn)保護，瑞薩電子可能
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將電流傳感器集成到EV用SiC功率模塊中
- 功率半導體研究實(shí)驗室 Silicon Austria Labs （SAL） 完成了將電流傳感器集成到電源模塊中的概念驗證，該模塊旨在用于電動(dòng)汽車(chē)牽引逆變器和 DC-DC 轉換器。該實(shí)驗室表示，這項技術(shù)可以提高效率，同時(shí)減小牽引逆變器和其他基于下一代碳化硅 （SiC） 功率器件的超大電流電力電子設備的尺寸和重量。新功率模塊的核心是由 Asahi Kasei Microdevices 設計的非接觸式、無(wú)磁芯電流傳感器。新芯片取代了當今許多電動(dòng)汽車(chē)中部署的基于磁芯的電流傳
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東芝推出采用DFN8×8封裝的新型650V第3代SiC MOSFET
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）近日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術(shù)，并采用緊湊型DFN8×8封裝，適用于開(kāi)關(guān)電源、光伏發(fā)電機功率調節器等工業(yè)設備。四款器件于今日開(kāi)始支持批量出貨。四款新器件是首批采用小型表貼DFN8×8封裝的第3代SiC MOSFET的器件，與TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封裝相比，其體
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東芝在SiC專(zhuān)利申請中挑戰泰科天潤
- 中國功率芯片開(kāi)發(fā)商泰克天潤（Global Power Technology） 在碳化硅 （SiC） 功率技術(shù)專(zhuān)利申請排名中面臨東芝的挑戰。法國分析機構 KnowMade 的最新數據顯示，2025 年第一季度全球申請了 840 多個(gè)新專(zhuān)利族。本季度的專(zhuān)利申請活動(dòng)以東芝在 SiC 功率器件專(zhuān)利領(lǐng)域的加速發(fā)展為標志，以匹配 Global Power Technology的專(zhuān)利數量。這家中國公司在過(guò)去四個(gè)季度一直是排名靠前的專(zhuān)利申請人，幾乎完全專(zhuān)注于 SiC MOSFET 結構的設計。第一季度授予了 420 多個(gè)
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工程師必看！從驅動(dòng)到熱管理：MOSFET選型與應用實(shí)戰手冊
- MOSFET因其獨特的性能優(yōu)勢，已成為模擬電路與數字電路中不可或缺的元件，廣泛應用于消費電子、工業(yè)設備、智能手機及便攜式數碼產(chǎn)品中。其核心優(yōu)勢體現在三個(gè)方面：驅動(dòng)電路設計簡(jiǎn)化，所需驅動(dòng)電流遠低于BJT，可直接由CMOS或集電極開(kāi)路TTL電路驅動(dòng)；開(kāi)關(guān)速度優(yōu)異，無(wú)電荷存儲效應，支持高速工作；熱穩定性強，無(wú)二次擊穿風(fēng)險，高溫環(huán)境下性能表現更穩定。這些特性使MOSFET在需要高可靠性、高效率的場(chǎng)景中表現尤為突出。近年來(lái)，隨著(zhù)汽車(chē)、通信、能源、消費、綠色工業(yè)等大量應用MOSFET產(chǎn)品的行業(yè)在近幾年來(lái)得到了快速的發(fā)
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CHIPS 法案、電動(dòng)汽車(chē)關(guān)稅加劇了Wolfspeed的現金危機
- 在特朗普政府縮減美國《芯片法案》并提升汽車(chē)關(guān)稅后，Wolfspeed（歐勝）的新任首席執行官需要面臨更為嚴峻的現金危機。作為車(chē)用碳化硅行業(yè)的領(lǐng)導廠(chǎng)商，Wolfspeed近年來(lái)投入數十億美元在美國建立SiC制造能力，可惜備受汽車(chē)經(jīng)濟低迷和關(guān)稅前景的打擊陷入持續虧損中，現在公司轉向提供AI數據中心電源以促進(jìn)增長(cháng)，不過(guò)該公司正在尋求第11章法規的債權保護?！白鳛槲覀冑J方談判的一部分，我們可能會(huì )選擇在法庭內或庭外尋求選擇，”兩周前接任首席執行官的羅伯特·費爾 （Robert Feurle） 說(shuō)。據報道，資產(chǎn)管理公
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SiC開(kāi)始加速批量上車(chē)
- 在新能源汽車(chē)技術(shù)的演進(jìn)歷程中，碳化硅（SiC）技術(shù)已成為推動(dòng)行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵力量。作為第三代半導體的代表材料，SiC 憑借其卓越的性能優(yōu)勢，已深度融入新能源汽車(chē)的核心系統，開(kāi)啟了新能源汽車(chē)性能提升與技術(shù)創(chuàng )新的新篇章。從高端豪華車(chē)型到大眾普及款，從純電動(dòng)到混合動(dòng)力，SiC 技術(shù)的應用范圍不斷拓展，正以前所未有的速度實(shí)現批量上車(chē)，重塑新能源汽車(chē)的技術(shù)格局與市場(chǎng)競爭態(tài)勢。碳化硅實(shí)現多價(jià)格區間車(chē)型覆蓋SiC 技術(shù)已成為車(chē)企在新能源汽車(chē)賽道上差異化競爭的核心要素，如今已廣泛覆蓋 10 萬(wàn)至 150 萬(wàn)元價(jià)格區間的車(chē)型
- 關(guān)鍵字： SiC
SiC襯底市場(chǎng) 去年營(yíng)收減9%
- TrendForce最新研究，2024年汽車(chē)、工業(yè)需求走弱，SiC基板出貨量成長(cháng)放緩，與此同時(shí)，市場(chǎng)競爭加劇，產(chǎn)品價(jià)格大幅下跌，導致2024年全球N-type（導電型）SiC基板產(chǎn)業(yè)營(yíng)收年減9%，為10.4億美元。進(jìn)入2025年，即便SiC基板市場(chǎng)持續面臨需求疲軟、供給過(guò)剩的雙重壓力，然而，長(cháng)期成長(cháng)趨勢依舊不變，隨著(zhù)成本逐漸下降、半導體元件技術(shù)不斷提升，未來(lái)SiC應用將更為廣泛，特別是在工業(yè)領(lǐng)域的多樣化。 同時(shí)，市場(chǎng)競爭激烈的環(huán)境下，加速企業(yè)整合，重新塑造產(chǎn)業(yè)發(fā)展格局。TrendForce分析各供應商營(yíng)收
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內置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯模塊被SMA的太陽(yáng)能系統采用
- 全球先進(jìn)的太陽(yáng)能發(fā)電及儲能系統技術(shù)的專(zhuān)業(yè)企業(yè)SMA Solar Technology AG（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SMA”）在其太陽(yáng)能系統新產(chǎn)品“Sunny Central FLEX”中采用了內置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯功率模塊?！癝unny Central FLEX”是為大規模太陽(yáng)能發(fā)電設施、儲能系統以及下一代技術(shù)設計的模塊化平臺，旨在進(jìn)一步提高電網(wǎng)的效率和穩定性。羅姆半導體歐洲總裁Wolfram Harnack表示：“羅姆新型2kV耐壓SiC MOSFETs是為1,500V DC鏈路實(shí)
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英飛凌重返SiC JFET，實(shí)現更智能、更快速的固態(tài)配電
- Infineon Technologies 開(kāi)發(fā)了用于固態(tài)保護和配電設計的新型碳化硅 JFET 系列。這是繼 2012 年推出的 1200V 4mΩ SiC JFET 系列之后的又一產(chǎn)品。JFET 通過(guò)反向偏置 PN 結上的電場(chǎng)來(lái)控制電導率，而不是 MOSFET 中使用的絕緣層上的橫向電場(chǎng)。G1“第一代”CoolSiC JFET 具有 1.5 mΩ （750 V BDss） 和 2.3 mΩ （1200 V BDss） 的超低 R DS（ON），可顯著(zhù)降低導通損耗。大體通道優(yōu)化的 SiC JFET 在短路
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利用 SMFA 系列非對稱(chēng) TVS 二極管實(shí)現高效 SiC MOSFET 柵極保護
- 引言碳化硅（ SiC）MOSFET在電源和電力電子領(lǐng)域的應用越來(lái)越廣泛。隨著(zhù)功率半導體領(lǐng)域的發(fā)展，開(kāi)關(guān)損耗也在不斷降低。隨著(zhù)開(kāi)關(guān)速度的不斷提高，設計人員應更加關(guān)注MOSFET的柵極驅動(dòng)電路，確保對MOSFET的安全控制，防止寄生導通，避免損壞功率半導體。必須保護敏感的MOSFET柵極結構免受過(guò)高電壓的影響。Littelfuse提供高效的保護解決方案，有助于最大限度地延長(cháng)電源的使用壽命、可靠性和魯棒性。 柵極驅動(dòng)器設計措施關(guān)于SiC-MOSFET驅動(dòng)器電路的穩健性，有幾個(gè)問(wèn)題值得考慮。除了驅動(dòng)器安全切換半導
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電源管理小技巧：功率 MOSFET 特性
- 以Vishay SiE848DF的數據手冊圖作為參考示例，這是一款采用 PolarPAK? 封裝的 N 溝道 30 V 溝槽功率 MOSFET。MOSFET 的封裝限制為 60A 和 25°C。阻斷電壓是多少？阻斷電壓 BVDSS 是可以施加到 MOSFET 的最大電壓。當驅動(dòng)感性負載時(shí)，這包括施加的電壓加上任何感性感應電壓。對于感性負載，MOSFET 兩端的電壓實(shí)際上可以是施加電壓的兩倍。MOSFET 的雪崩特性是什么？這決定了 MOSFET 在雪崩條件下可以承受多少能量。如果超過(guò)最大漏源電壓并且電流沖
- 關(guān)鍵字： 電源管理 MOSFET 功率MOSFET
格力家用空調搭載SiC芯片突破100萬(wàn)臺
- 4月22日下午，格力電器召開(kāi)2025年第一次臨時(shí)股東大會(huì )，相比過(guò)往歷次股東大會(huì )都被安排在格力地產(chǎn)總部辦公樓，本次股東大會(huì )首次被安排在格力電器珠海碳化硅芯片工廠(chǎng)舉行。據悉，該工廠(chǎng)自2024年投產(chǎn)以來(lái)，其碳化硅功率芯片在家用空調中的裝機量已經(jīng)突破100萬(wàn)臺。SiC材料具有高耐壓、高頻率、高效率等優(yōu)勢，能夠顯著(zhù)提升空調的能效。搭載SiC芯片后，空調的電能轉換效率得到優(yōu)化，制冷制熱效果增強，實(shí)現能耗降低，同時(shí)可以提升產(chǎn)品性能、降低能耗，增強格力空調的市場(chǎng)競爭力。格力該工廠(chǎng)是全球第二座、亞洲首座全自動(dòng)化6英寸碳化硅
- 關(guān)鍵字： 格力 家用空調 SiC
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