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sic mosfet 文章 進(jìn)入sic mosfet技術(shù)社區
安森美的VE-Trac SiC系列為電動(dòng)車(chē)主驅逆變提供高能效、高功率密度和成本優(yōu)勢
- 雙碳目標正加速推進(jìn)汽車(chē)向電動(dòng)化發(fā)展，半導體技術(shù)的創(chuàng )新助力汽車(chē)從燃油車(chē)過(guò)渡到電動(dòng)車(chē)，新一代半導體材料碳化硅(SiC)因獨特優(yōu)勢將改變電動(dòng)車(chē)的未來(lái)，如在關(guān)鍵的主驅逆變器中采用SiC可滿(mǎn)足更高功率和更低的能效、更遠續航、更小損耗和更低的重量，以及向800 V遷移的趨勢中更能發(fā)揮它的優(yōu)勢，但面臨成本、封裝及技術(shù)成熟度等多方面挑戰。安森美(onsemi)提供領(lǐng)先的智能電源方案，在SiC領(lǐng)域有著(zhù)深厚的歷史積淀，是世界上少數能提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應商之一，其創(chuàng )新的VE TracTM Direct SiC
- 關(guān)鍵字： 安森美 SiC 逆變器
分立式CoolSiC MOSFET的寄生導通行為研究
- 米勒電容引起的寄生導通常被認為是碳化硅MOSFET的弱點(diǎn)。為了避免這種效應，硬開(kāi)關(guān)逆變器通常采用負柵極電壓關(guān)斷。但是，這對于CoolSiC?MOSFET真的是必要的嗎？引言選擇適當的柵極電壓是設計所有柵極驅動(dòng)電路的關(guān)鍵。憑借英飛凌的CoolSiC?MOSFET技術(shù)，設計人員能夠選擇介于18V和15V之間的柵極開(kāi)通電壓，從而使器件具有極佳的載流能力或者可靠的短路耐用性。另一方面，柵極關(guān)斷電壓僅需確保器件保持安全關(guān)斷即可。英飛凌鼓勵設計人員在0V下關(guān)斷分立式MOSFET，從而簡(jiǎn)化柵極驅動(dòng)電路。為此，本文介紹了
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET
CISSOID、NAC和Advanced Conversion三強聯(lián)手開(kāi)發(fā)高功率密度碳化硅（SiC）逆變器
- 高溫半導體和功率模塊領(lǐng)域的領(lǐng)導者CISSOID宣布，公司已與NAC Group和Advanced Conversion（為要求嚴苛的應用提供高性能電容器的領(lǐng)導者）開(kāi)展合作，以提供緊湊且優(yōu)化集成的三相碳化硅（SiC）功率堆棧。該功率堆棧結合了CISSOID的1200V SiC智能功率模塊和Advanced Conversion的6組低ESR/ESL直流支撐（DC-Link）電容器，可進(jìn)一步與控制器板和液體冷卻器集成，為電機驅動(dòng)器的高功率密度和高效率SiC逆變器（見(jiàn)下圖）的設計提供完整的硬件和軟件平臺。CIS
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安森美豐富的SiC方案解決新一代UPS的設計挑戰
- 隨著(zhù)云計算、超大規模數據中心、5G應用和大型設備的不斷發(fā)展，市場(chǎng)對不間斷電源 (UPS)的需求保持高位，且正在往小型化、高容量化、高效化發(fā)展，設計人員面臨如何在性能、能效、尺寸、成本、控制難度之間權衡取舍的挑戰，安森美(onsemi)基于新一代半導體材料碳化硅(SiC)的方案，有助于變革性地優(yōu)化UPS設計。安森美是領(lǐng)先的智能電源方案供應商之一，也是全球少數能提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應商，提供先進(jìn)的SiC、SiC/Si 混合和 IGBT 模塊技術(shù)，以及廣泛的分立器件、門(mén)極驅動(dòng)器等周邊器件，滿(mǎn)足低
- 關(guān)鍵字： 安森美 SiC
具備出色穩定性的CoolSiC MOSFET M1H
- 過(guò)去幾年，實(shí)際應用條件下的閾值電壓漂移（VGS(th)）一直是SiC的關(guān)注重點(diǎn)。英飛凌率先發(fā)現了動(dòng)態(tài)工作引起的長(cháng)期應力下VGS(th)的漂移現象，并提出了工作柵極電壓區域的建議，旨在最大限度地減少使用壽命內的漂移。[1]。引言過(guò)去幾年，實(shí)際應用條件下的閾值電壓漂移（VGS(th)）一直是SiC的關(guān)注重點(diǎn)。英飛凌率先發(fā)現了動(dòng)態(tài)工作引起的長(cháng)期應力下VGS(th)的漂移現象，并提出了工作柵極電壓區域的建議，旨在最大限度地減少使用壽命內的漂移。[1]。經(jīng)過(guò)不斷研究和持續優(yōu)化，現在，全新推出的CoolSiC? MO
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET
SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅動(dòng)電壓的分析及探討
- 隨著(zhù)制備技術(shù)的進(jìn)步，在需求的不斷拉動(dòng)下，碳化硅（SiC）器件與模塊的成本逐年降低。相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)與應用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車(chē)，可再生能源及儲能等應用領(lǐng)域的發(fā)展，更是不容小覷。富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專(zhuān)業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶(hù)打造個(gè)性化的解決方案，并縮短產(chǎn)品設計周期。在第三代半導體的實(shí)際應用領(lǐng)域，富昌電子結合自身的技術(shù)積累和項目經(jīng)驗，落筆于SiC相關(guān)設計的系列文章。希望以此給到大家一定的設計參考，并期待與您進(jìn)一步的交流。作為系列文章的第一部分，本文將先就SiC
- 關(guān)鍵字： 富昌電子 SiC MOSFET
貿澤備貨UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET，為各類(lèi)電源應用提供更好的支持
- 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷(xiāo)商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開(kāi)始分銷(xiāo)UnitedSiC（現已被Qorvo?收購）的UF4C和UF4SC 1200V碳化硅 (SiC) FET。作為廣泛的高性能SiC FET系列產(chǎn)品，此第四代器件具有出色的導通電阻特性，適用于主流800V總線(xiàn)架構中的電源解決方案，如電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC-DC太陽(yáng)能逆變器等應用。?貿澤電子分銷(xiāo)的UF4C/SC SiC FET為設計人員提供了
- 關(guān)鍵字： SiC FET
東芝推出五款新型MOSFET柵極驅動(dòng)IC，助力移動(dòng)電子設備小型化
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）今日宣布，在其TCK42xG系列MOSFET柵極驅動(dòng)IC產(chǎn)品中新增五款適用于可穿戴設備等移動(dòng)電子設備的產(chǎn)品。該系列的新產(chǎn)品配備了過(guò)電壓鎖定功能，能根據輸入電壓控制外部MOSFET的柵極電壓。?? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?
- 關(guān)鍵字： MOSFET 柵極驅動(dòng)
當SiC MOSFET遇上2L-SRC
- 導讀】事物皆有兩面：SiC MOSFET以更快的開(kāi)關(guān)速度，相比IGBT可明顯降低器件開(kāi)關(guān)損耗，提升系統效率和功率密度；但是高速的開(kāi)關(guān)切換，也產(chǎn)生了更大的dv/dt和di/dt，對一些電機控制領(lǐng)域的電機絕緣和EMI設計都帶來(lái)了額外的挑戰。應用痛點(diǎn)氫燃料系統中的高速空壓機控制器功率35kW上下，轉速高達10萬(wàn)轉以上，輸出頻率可達2000Hz，調制頻率50kHz以上是常見(jiàn)的設計，SiC MOSFET是很好的解決方案。但是，SiC的高dv/dt和諧波會(huì )造成空壓機線(xiàn)包發(fā)熱和電機軸電流。一般的對策有二：1.采用大的柵
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET 2L-SRC
SiC MOSFET驅動(dòng)電壓測試結果離譜的六大原因
- _____開(kāi)關(guān)特性是功率半導體開(kāi)關(guān)器件最重要的特性之一，由器件在開(kāi)關(guān)過(guò)程中的驅動(dòng)電壓、端電壓、端電流表示。一般在進(jìn)行器件評估時(shí)可以采用雙脈沖測試，而在電路設計時(shí)直接測量在運行中的變換器上的器件波形，為了得到正確的結論，獲得精準的開(kāi)關(guān)過(guò)程波形至關(guān)重要。SiC MOSFET相較于 Si MOS 和 IGBT 能夠顯著(zhù)提高變換器的效率和功率密度，同時(shí)還能夠降低系統成本，受到廣大電源工程師的青睞，越來(lái)越多的功率變換器采用基于 SiC MOSFET 的方案。SiC MOSFET 與 Si 開(kāi)關(guān)器件的一個(gè)重要區別是它
- 關(guān)鍵字： Tektronix SiC MOSFET
耐用性更高的新型溝槽型功率MOSFET
- 在線(xiàn)性模式供電的電子系統中，功率 MOSFET器件被廣泛用作壓控電阻器，電磁干擾 (EMI) 和系統總體成本是功率MOSFET的優(yōu)勢所在。?在線(xiàn)性模式工作時(shí)，MOSFET必須在惡劣工作條件下工作，承受很高的漏極電流(ID)和漏源電壓 (VDS)，然后還需處理很高的功率。這些器件必須滿(mǎn)足一些技術(shù)要求才能提高耐用性，還必須符合熱管理限制，才能避免熱失控。?意法半導體 (ST) 推出了一款采用先進(jìn)的 STPOWER STripFET F7制造技術(shù)和H2PAK 封裝的 100V功率 MOSFE
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 功率 MOSFET 耐用性
常見(jiàn)MOSFET失效模式的分析與解決方法
- 提高功率密度已經(jīng)成為電源變換器的發(fā)展趨勢。為達到這個(gè)目標，需要提高開(kāi)關(guān)頻率，從而降低功率損耗、系 統整體尺寸以及重量。對于當今的開(kāi)關(guān)電源(SMPS)而言，具有高可靠性也是非常重要的。零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS) 或零電流開(kāi)關(guān)(ZCS) 拓撲允許采用高頻開(kāi)關(guān)技術(shù)，可以 大限度地降低開(kāi)關(guān)損耗。ZVS拓撲允許工作在高頻開(kāi) 關(guān)下，能夠改善效率，能夠降低應用的尺寸，還能夠降 低功率開(kāi)關(guān)的應力，因此可以改善系統的可靠性。LLC 諧振半橋變換器因其自身具有的多種優(yōu)勢逐漸成為一種 主流拓撲。這種拓撲得到了廣泛的應用，包括高端服務(wù)
- 關(guān)鍵字： MOSFET
UnitedSiC(現已被Qorvo收購)宣布推出行業(yè)先進(jìn)的高性能1200V第四代SiC FET
- 移動(dòng)應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應商 Qorvo?近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場(chǎng)效應晶體管 (FET) 系列，該系列具有出色的導通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線(xiàn)架構，這種架構常見(jiàn)于電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC/DC 太陽(yáng)能逆變器、焊接機、不間斷電源和感應加熱等應用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件總工程師 Anup Bhalla 表示：“我們通過(guò)
- 關(guān)鍵字： Mentor P Qorvo SiC FET
意法半導體推出全新MDmesh MOSFET,提高功率密度和能效
- 意法半導體的 STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N溝道超結多漏極功率MOSFET晶體管非常適用于設計數據中心服務(wù)器、5G基礎設施、平板電視機的開(kāi)關(guān)式電源 (SMPS)。首批上市的兩款器件是650V STP65N045M9和600V STP60N043DM9。兩款產(chǎn)品的單位面積導通電阻(RDS(on))都非常低，可以極大程度提高功率密度，并有助于縮減系統尺寸。兩款產(chǎn)品的最大導通電阻(RDS(on)max)都處于同類(lèi)領(lǐng)先水平，STP65N045M9 為 45mΩ，STP60N043DM9 為 43
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 MDmesh MOSFET
UnitedSiC(現已被 Qorvo收購)宣布推出行業(yè)先進(jìn)的高性能 1200 V第四代SiC FET
- 移動(dòng)應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應商 Qorvo?近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場(chǎng)效應晶體管 (FET) 系列，該系列具有出色的導通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線(xiàn)架構，這種架構常見(jiàn)于電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC/DC 太陽(yáng)能逆變器、焊接機、不間斷電源和感應加熱等應用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件總工程師 Anup Bhalla 表示：“我們通過(guò)
- 關(guān)鍵字： SiC FET
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