sic mosfet 文章進(jìn)入sic mosfet技術(shù)社區

Ameya360：平面MOSFET與超級結MOSFET區別

今天,Ameya360給大家介紹近年來(lái)MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級結MOSFET。功率晶體管的特征與定位首先來(lái)看近年來(lái)的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率范圍。因為接下來(lái)的幾篇將談超級結MOSFET相關(guān)的話(huà)題，因此希望在理解Si-MOSFET的定位的基礎上，根據其特征和特性對使用區分有個(gè)初步印象。下圖表示處理各功率晶體管的功率與頻率范圍?？梢钥闯?，Si-MOSFET在這個(gè)比較中，導通電阻與耐壓略遜于IGBT和SiC-MOSFET，但在低～中功率條件
關(guān)鍵字： MOSFET 超級結MOSFET

新能源汽車(chē)時(shí)代的半導體材料寵兒——SiC（碳化硅）

前言 1824年，一種全新的材料被瑞典科學(xué)家，貝采里烏斯合成出來(lái)，這是一種名為碳化硅的黑色粉末，平平無(wú)奇的樣子，仿佛是隨處可見(jiàn)的灰燼，也許誰(shuí)也沒(méi)能想到，就是這一小撮雜質(zhì)般的黑色顆粒，將會(huì )在近200年后，在其之上長(cháng)出絢爛的花朵，幫助人類(lèi)突破半導體的瓶頸。在人類(lèi)半導體產(chǎn)業(yè)的起步初期，基于硅（Si）芯片的技術(shù)發(fā)展速度卓越，無(wú)論是成本還是性能都達到了完美的平衡，自然對于碳化硅（SiC）沒(méi)有過(guò)多的注意。直到20世紀90年代，Si基電力電子裝置出現了性能瓶頸，再次激發(fā)
關(guān)鍵字： SiC 新能源汽車(chē) 汽車(chē)電子

GaN 時(shí)代來(lái)了？

隨著(zhù)特斯拉宣布其下一代 EV 動(dòng)力總成系統的 SiC 組件使用量減少 75%，預計第三代化合物半導體市場(chǎng)狀況將發(fā)生變化，GaN 被認為會(huì )產(chǎn)生后續替代效應。據業(yè)內消息人士透露，這有望使臺積電、世界先進(jìn)半導體 (VIS) 和聯(lián)華電子受益，它們已經(jīng)進(jìn)行了早期部署，并繼續擴大其 8 英寸加工 GaN 器件的產(chǎn)能。GaN 和 SiC 的比較GaN 和 SiC 滿(mǎn)足市場(chǎng)上不同的功率需求。SiC 器件可提供高達 1200V 的電壓等級，并具備高載流能力，因此非常適合汽車(chē)和機車(chē)牽引逆變器、高功率太陽(yáng)能發(fā)電場(chǎng)和大型三相電網(wǎng)
關(guān)鍵字： GaN SiC

FPGA 和功率 MOSFET 缺貨現象下半年將持續

2023 年，半導體和電子元件價(jià)格正在穩定，但仍有部分產(chǎn)品短缺。
關(guān)鍵字： FPGA MOSFET

碳化硅快充時(shí)代來(lái)臨，800V高壓超充開(kāi)始普及！

一直以來(lái)，“里程焦慮”、“充電緩慢”都是卡住新能源汽車(chē)脖子的關(guān)鍵問(wèn)題，是車(chē)企和車(chē)主共同的焦慮；但隨著(zhù)高壓電氣技術(shù)的不斷進(jìn)步和快充時(shí)代的到來(lái)，將SiC(碳化硅）一詞推向了市場(chǎng)的風(fēng)口浪尖。繼2019年4月保時(shí)捷Taycan Turbo S 全球首發(fā)三年后，800V高壓超充終于開(kāi)始了普及。相比于400V，800V帶來(lái)了更高的功效，大幅提升功率，實(shí)現了15分鐘的快充補能。而構建800V超充平臺的靈魂就是材料的革新，基于碳化硅的新型控制器，便引領(lǐng)著(zhù)這一輪高壓技術(shù)的革命。小鵬發(fā)布的800V高壓SiC平臺Si（硅）早已
關(guān)鍵字：碳化硅 SiC

詳解高效散熱的MOSFET頂部散熱封裝

電源應用中的 MOSFET 大多是表面貼裝器件 (SMD)，包括 SO8FL、u8FL 和 LFPAK 等封裝。通常選擇這些 SMD 的原因是它們具有良好的功率能力，同時(shí)尺寸較小，從而有助于實(shí)現更緊湊的解決方案。盡管這些器件具有良好的功率能力，但有時(shí)散熱效果并不理想。由于器件的引線(xiàn)框架（包括裸露漏極焊盤(pán)）直接焊接到覆銅區，這導致熱量主要通過(guò)PCB進(jìn)行傳播。而器件的其余部分均封閉在塑封料中，僅能通過(guò)空氣對流來(lái)散熱。因此，熱傳遞效率在很大程度上取決于電路板的特性：覆銅的面積大小、層數、厚度和布局。無(wú)論電路板是
關(guān)鍵字：安森美 MOSFET

銀河微電：功率MOSFET器件已實(shí)現Clip Bond技術(shù)量產(chǎn)

銀河微電12月20日在互動(dòng)平臺表示，功率MOSFET器件已實(shí)現Clip Bond技術(shù)的量產(chǎn)；IPM模塊已完成一款封裝的量產(chǎn)，未來(lái)將根據市場(chǎng)情況逐步系列化；DFN0603無(wú)框架封裝已完成工藝驗證，性能指標符合開(kāi)發(fā)目標要求；CSP0603封裝已完成技術(shù)開(kāi)發(fā)，未來(lái)芯片線(xiàn)改擴建時(shí)將進(jìn)行成果轉化。
關(guān)鍵字：銀河微電 MOSFET

5大重要技巧讓您利用 SiC 實(shí)現高能效電力電子產(chǎn)品！

當您設計新電力電子產(chǎn)品時(shí)，您的目標任務(wù)一年比一年更艱巨。高效率是首要要求，但以更小的尺寸和更低的成本提供更高的功率是另一個(gè)必須實(shí)現的特性。SiC MOSFET 是一種能夠滿(mǎn)足這些目標的解決方案。以下重要技巧旨在幫助您創(chuàng )建基于 SiC 半導體的開(kāi)關(guān)電源，其應用領(lǐng)域包括光伏系統、儲能系統、電動(dòng)汽車(chē) (EV) 充電站等。為何選擇 SiC？為了證明您選擇 SiC 作為開(kāi)關(guān)模式設計的首選功率半導體是正確的，請考慮以下突出的特性。與標準或超級結 MOSFET 甚至 IGBT 相比，SiC 器件可以在更高的電壓、更高的
關(guān)鍵字：安森美 SiC

英飛凌與Resonac擴大合作范圍,簽署多年期碳化硅（SiC）材料供應協(xié)議

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）持續擴大與碳化硅（SiC）供應商的合作。英飛凌是一家總部位于德國的半導體制造商，此次與Resonac Corporation（原昭和電工）簽署了全新的多年期供應和合作協(xié)議。早在2021年，雙方就曾簽署合作協(xié)議，此次的合作是在該基礎上的進(jìn)一步豐富和擴展，將深化雙方在SiC材料領(lǐng)域的長(cháng)期合作伙伴關(guān)系。協(xié)議顯示，英飛凌未來(lái)十年用于生產(chǎn)SiC半導體的SiC材料中，約占兩位數份額將由Resonac供給。前期，Resonac將主要供應6英寸SiC
關(guān)鍵字：英飛凌 Resonac 碳化硅 SiC

是什么使SiC成為組串式逆變器的完美解決方案

與硅技術(shù)相比，SiC MOSFET在光伏和儲能應用中具有明顯的優(yōu)勢，它解決了能效與成本的迫切需求，特別是在需要雙向功率轉換的時(shí)候。易于安裝是大功率光伏組串式逆變器的關(guān)鍵特征之一。如果只需要兩個(gè)工人來(lái)搬運和安裝該系統，將會(huì )非常利于運維。因此，尺寸和重量非常重要。最新一代的碳化硅半導體使電力轉換效率大幅提高。這不僅節省了能源，而且使設備更小、更輕，相關(guān)的資本、安裝和維護成本更低。關(guān)鍵的應用要求及其挑戰。在光伏和儲能系統中，1500V的高系統電壓要求宇宙輻射引起的故障率非常低，同時(shí)要求功率器件具有更高的系統效率
關(guān)鍵字：英飛凌 SiC 逆變器

功率器件動(dòng)態(tài)參數測試系統選型避坑指南

_____“?動(dòng)態(tài)特性是功率器件的重要特性，在器件研發(fā)、系統應用和學(xué)術(shù)研究等各個(gè)環(huán)節都扮演著(zhù)非常重要的角色。故對功率器件動(dòng)態(tài)參數進(jìn)行測試是相關(guān)工作的必備一環(huán)，主要采用雙脈沖測試進(jìn)行?！卑凑毡粶y器件的封裝類(lèi)型，功率器件動(dòng)態(tài)參數測試系統分為針對分立器件和功率模塊兩大類(lèi)。長(cháng)期以來(lái)，針對功率模塊的測試系統占據絕大部分市場(chǎng)份額，針對分立器件的測試系統需求較少，選擇也很局限。隨著(zhù)我國功率器件國產(chǎn)化進(jìn)程加快，功率器件廠(chǎng)商和系統應用企業(yè)也越來(lái)越重視功率器件動(dòng)態(tài)參數測試，特別是針對分立器件的測試系統提出了越來(lái)越多
關(guān)鍵字： MOSFET

功率MOSFET零電壓軟開(kāi)關(guān)ZVS的基礎認識

高頻高效是開(kāi)關(guān)電源及電力電子系統發(fā)展的趨勢，高頻工作導致功率元件開(kāi)關(guān)損耗增加，因此要使用軟開(kāi)關(guān)技術(shù)，保證在高頻工作狀態(tài)下，減小功率元件開(kāi)關(guān)損耗，提高系統效率。高頻高效是開(kāi)關(guān)電源及電力電子系統發(fā)展的趨勢，高頻工作導致功率元件開(kāi)關(guān)損耗增加，因此要使用軟開(kāi)關(guān)技術(shù)，保證在高頻工作狀態(tài)下，減小功率元件開(kāi)關(guān)損耗，提高系統效率。功率MOSFET開(kāi)關(guān)損耗有2個(gè)產(chǎn)生因素：1）開(kāi)關(guān)過(guò)程中，穿越線(xiàn)性區（放大區）時(shí)，電流和電壓產(chǎn)生交疊，形成開(kāi)關(guān)損耗。其中，米勒電容導致的米勒平臺時(shí)間，在開(kāi)關(guān)損耗中占主導作用。圖1 功率MOSFET
關(guān)鍵字： MOSFET ZVS

高壓SiC MOSFET研究現狀與展望

碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管（MOSFET）作為寬禁帶半導體單極型功率器件，具有頻率高、耐壓高、效率高等優(yōu)勢，在高壓應用領(lǐng)域需求廣泛，具有巨大的研究?jì)r(jià)值?；仡櫫烁邏?SiC MOSFET 器件的發(fā)展歷程和前沿技術(shù)進(jìn)展，總結了進(jìn)一步提高器件品質(zhì)因數的元胞優(yōu)化結構，介紹了針對高壓器件的幾種終端結構及其發(fā)展現狀，對高壓 SiC MOSFET 器件存在的瓶頸和挑戰進(jìn)行了討論。1 引言電力電子變換已經(jīng)逐步進(jìn)入高壓、特高壓領(lǐng)域，高壓功率器件是制約變換器體積、功耗和效率的決定性因素。特高壓交直流輸電、
關(guān)鍵字： SiC MOSFET

東芝推出采用新型高散熱封裝的車(chē)載40V N溝道功率MOSFET,支持車(chē)載設備對更大電流的需求

東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）近日宣布推出采用新型L-TOGL?（大型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝的車(chē)載40V N溝道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。這兩款MOSFET具有高額定漏極電流和低導通電阻。產(chǎn)品于今日開(kāi)始出貨。近年來(lái)，隨著(zhù)社會(huì )對電動(dòng)汽車(chē)需求的增長(cháng)，產(chǎn)業(yè)對能滿(mǎn)足車(chē)載設備更大功耗的元器件的需求也在增加。這兩款新品采用了東芝的新型L-TOGL?封裝，支持大電流、低導通電阻和高散熱。上述產(chǎn)品未采用內部接線(xiàn)柱[1]結構，通過(guò)引入一個(gè)銅夾片將源極連接件和外
關(guān)鍵字：東芝 MOSFET

功率器件：新能源產(chǎn)業(yè)的“芯”臟

功率半導體器件，也稱(chēng)為電力電子器件，主要用于電力設備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件。逆變（直流轉換成交流）、整流（交流轉換成直流）、斬波（直流升降壓）、變頻（交流之間轉換）是基本的電能轉換方式。MOSFET 和 IGBT 是主流的功率分立器件。一新能源汽車(chē)是功率器件增量需求主要來(lái)源01 下游應用領(lǐng)域廣泛，新能源汽車(chē)為主作為電能轉化和電路控制的核心器件，功率器件下游應用十分廣泛，包括新能源（風(fēng)電、光伏、儲能和電動(dòng)汽車(chē)）、消費電子、智能電網(wǎng)、軌道交通等，根據每個(gè)細分領(lǐng)域性能要求
關(guān)鍵字：功率器件 IGBT MOSFET 國產(chǎn)替代