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sic mosfet 文章 進(jìn)入sic mosfet技術(shù)社區
相較IGBT，SiC如何優(yōu)化混動(dòng)和電動(dòng)汽車(chē)的能效和性能？
- 隨著(zhù)人們對電動(dòng)汽車(chē) (EV) 和混動(dòng)汽車(chē) (HEV) 的興趣和市場(chǎng)支持不斷增加，汽車(chē)制造商為向不斷擴大的客戶(hù)群提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，競爭日益激烈。由于 EV 的電機需要高千瓦時(shí)電源來(lái)驅動(dòng)，傳統的 12 V 電池已讓位于 400-450 V DC 數量級的電池組，成為 EV 和 HEV 的主流電池電壓。市場(chǎng)已經(jīng)在推動(dòng)向更高電壓電池的轉變。800 V DC 和更大的電池將變得更占優(yōu)勢，因為使用更高的電壓意味著(zhù)系統可以在更低的電流下運行，同時(shí)實(shí)現相同的功率輸出。較低電流的優(yōu)點(diǎn)是損耗較低，需要管理的熱耗散較少，還有利于使
- 關(guān)鍵字： 安森美 IGBT SiC
MOSFET電路不可不知
- MOSFET已成為最常用的三端器件，給電子電路界帶來(lái)了一場(chǎng)革命。沒(méi)有MOSFET，現在集成電路的設計似乎是不可能的。它們非常小，制造過(guò)程非常簡(jiǎn)單。由于MOSFET的特性，模擬電路和數字電路都成功地實(shí)現了集成電路，MOSFET電路可以從大信號模型小信號模型兩種方式進(jìn)行分析。大信號模型是非線(xiàn)性的。它用于求解器件電流和電壓的de值。小信號模型可以在大信號模型線(xiàn)性化的基礎上推導出來(lái)。截止區、三極管區和飽和區是MOSFET的三個(gè)工作區。當柵源電壓(VGS)小于閾值電壓(Vtn)時(shí)，器件處于截止區。當MOSFET用作
- 關(guān)鍵字： 雷卯 MOSFET
SiC MOSFET的設計挑戰——如何平衡性能與可靠性
- 碳化硅（SiC）的性能潛力是毋庸置疑的，但設計者必須掌握一個(gè)關(guān)鍵的挑戰：確定哪種設計方法能夠在其應用中取得最大的成功。先進(jìn)的器件設計都會(huì )非常關(guān)注導通電阻，將其作為特定技術(shù)的主要基準參數。然而，工程師們必須在主要性能指標（如電阻和開(kāi)關(guān)損耗），與實(shí)際應用需考慮的其他因素（如足夠的可靠性）之間找到適當的平衡。優(yōu)秀的器件應該允許一定的設計自由度，以便在不對工藝和版圖進(jìn)行重大改變的情況下適應各種工況的需要。然而，關(guān)鍵的性能指標仍然是盡可能低的比電阻，并結合其他重要的參數。圖1顯示了我們認為必不可少的幾個(gè)標準，或許還
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 SiC MOSFET
德國博世收購美國TSI，全球半導體領(lǐng)域再添并購案
- 據國外媒體報道，德國博世集團于本周三表示，將收購美國芯片制造商TSI半導體公司的資產(chǎn)，以擴大其碳化硅芯片（SiC）的半導體業(yè)務(wù)。目前，博世和TSI公司已經(jīng)達成協(xié)議，但并未透露此次收購的具體細節，且這項收購還需要得到監管部門(mén)的批準。資料顯示，TSI是專(zhuān)用集成電路 (ASIC) 的代工廠(chǎng)。目前，主要開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)200毫米硅晶圓上的大量芯片，用于移動(dòng)、電信、能源和生命科學(xué)等行業(yè)的應用。而博世在半導體領(lǐng)域的生產(chǎn)時(shí)間已超過(guò)60年，在全球范圍內投資了數十億歐元，特別是在德國羅伊特林根和德累斯頓的水廠(chǎng)。博世認為，此次收購
- 關(guān)鍵字： 博世 TSI 半導體 SiC
功率半導體“放量年”，IGBT、MOSFET與SIC的思考
- 4月24日，東芝電子元器件及存儲裝置株式會(huì )社宣布，在石川縣能美市的加賀東芝電子公司舉行了一座可處理300毫米晶圓的新功率半導體制造工廠(chǎng)的奠基儀式。該工廠(chǎng)是其主要的分立半導體生產(chǎn)基地。施工將分兩個(gè)階段進(jìn)行，第一階段的生產(chǎn)計劃在2024財年內開(kāi)始。東芝還將在新工廠(chǎng)附近建造一座辦公樓，以應對人員的增加。此外，今年2月下旬，日經(jīng)亞洲報道，東芝計劃到2024年將碳化硅功率半導體的產(chǎn)量增加3倍以上，到2026年增加10倍。而據日媒3月16日最新消息，東芝又宣布要增加SiC外延片生產(chǎn)環(huán)節，布局完成后將形成：外延設備+外
- 關(guān)鍵字： 功率半導體 IGBT MOSFET SIC
優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅動(dòng)
- 在高壓開(kāi)關(guān)電源應用中，相較傳統的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SiC”）MOSFET 有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實(shí)現高頻（數百千赫茲）開(kāi)關(guān)，但它們不能用于非常高的電壓（>1 000 V）。而IGBT 雖然可以在高壓下使用，但其 “拖尾電流 “和緩慢的關(guān)斷使其僅限于低頻開(kāi)關(guān)應用。SiC MOSFET則兩全其美，可實(shí)現在高壓下的高頻開(kāi)關(guān)。然而，SiC MOSFET 的獨特器件特性意味著(zhù)它們對柵極驅動(dòng)電路有特殊的要求。了解這些特性后，設計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開(kāi)關(guān)性
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ROHM開(kāi)發(fā)出超低導通電阻的Nch MOSFET
- 新推出40V～150V耐壓的共13款產(chǎn)品，非常適用于工業(yè)設備電源和各種電機驅動(dòng)全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1產(chǎn)品（40V/60V/80V/100V/150V），這些產(chǎn)品非常適合驅動(dòng)以24V、36V、48V級電源供電的應用，例如基站和服務(wù)器用的電源、工業(yè)和消費電子設備用的電機等。近年來(lái)，全球電力需求量持續增長(cháng)，如何有效利用電力已成為迫在眉睫的課題，這就要求不斷提高各種電機和基站、服務(wù)器等工業(yè)設備的工作
- 關(guān)鍵字： ROHM 超低導通電阻 Nch MOSFET
適用于運輸領(lǐng)域的SiC：設計入門(mén)
- 簡(jiǎn)介在這篇文章中，作者分析了運輸輔助動(dòng)力裝置（APU）的需求，并闡述了SiC MOSFET、二極管及柵極驅動(dòng)器的理想靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性。 為什么使用寬帶隙（WBG）材料？對于任何電力電子工程師來(lái)說(shuō)，必須大致了解適用于功率半導體開(kāi)關(guān)器件的半導體物理學(xué)原理，以便掌握非理想器件的電氣現象及其對目標應用的影響。理想開(kāi)關(guān)在關(guān)斷時(shí)的電阻無(wú)窮大，導通時(shí)的電阻為零，并且可在這兩種狀態(tài)之間瞬間切換。從定量角度來(lái)看，由于基于MOSFET的功率器件是單極性器件，因此與這一定義最為接近。功率MOSFET結構中的導通狀態(tài)電流
- 關(guān)鍵字： SiC Microchip
Diodes 公司推出功率密度更高的工業(yè)級碳化硅 MOSFET
- 【2023 年 4 月 13 日美國德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新產(chǎn)品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。這款裝置可以滿(mǎn)足工業(yè)馬達驅動(dòng)、太陽(yáng)能逆變器、數據中心及電信電源供應、直流對直流 (DC-DC) 轉換器和電動(dòng)車(chē) (EV) 電池充電器等應用，對更高效率與更高功率密度的需求。?DMWS120H100SM4 在高電壓 (1200V) 和汲極電流 (可達 37A) 的條件下運作，同時(shí)維持低導
- 關(guān)鍵字： Diodes 碳化硅 MOSFET
基于Infineon S7 MOSFET 主動(dòng)式電源整流方案
- 因應日趨嚴苛的能源效率規范，特別是像server power的應用，從白金效率甚至是鈦金效率。Infineon推出全新S7系列MOSFET，提供在靜態(tài)切換的應用場(chǎng)合，減少功率損耗以提升效率，特別是針對高輸出功率的產(chǎn)品設計。S7系列MOSFET應用在active bridge目的在取代原有bridge diode以提升系統效率，與傳統bridge diode相比，在230Vac輸入時(shí)在50% load約可提高0.5%，而115Vac輸入時(shí)在50% load約可提高1%。利用JRC NJ393C OP比較器搭
- 關(guān)鍵字： Infineon S7 MOSFET 電源整流
同時(shí)實(shí)現業(yè)內出色低噪聲特性和超快反向恢復時(shí)間的600V耐壓Super Junction MOSFET“R60xxRNx系列”
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）在其600V耐壓Super Junction MOSFET*1 “PrestoMOS?”產(chǎn)品陣容中，又新增“R60xxRNx系列”3款新產(chǎn)品，非常適用于冰箱和換氣扇等對低噪聲特性要求很高的小型電機驅動(dòng)。近年來(lái)，全球電力供應日趨緊張，這就要求設備要更加節能。據了解，電機所需的電力占全球電力總需求的50%左右。因此，在電機驅動(dòng)中擔負功率轉換工作的逆變電路，越來(lái)越多地開(kāi)始采用高效率MOSFET。另一方面，針對使用MOSFET時(shí)所產(chǎn)生的噪聲，主要通過(guò)添加部件和改變
- 關(guān)鍵字： 超快反向恢復時(shí)間 Super Junction MOSFET MOSFET
功率半導體市場(chǎng)需求攀升，盛美上海首獲Ultra C SiC襯底清洗設備采購訂單
- 今日，盛美上海宣布，首次獲得Ultra C SiC碳化硅襯底清洗設備的采購訂單。盛美上海指出，該訂單來(lái)自中國領(lǐng)先的碳化硅襯底制造商，預計將在2023年第三季度末發(fā)貨。當前，以碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）為主的第三代半導體迅速發(fā)揮發(fā)展，其中整體產(chǎn)值又以碳化硅占80%為重。據悉，碳化硅襯底用于功率半導體制造，而功率半導體被廣泛應用于功率轉換、電動(dòng)汽車(chē)和可再生能源等領(lǐng)域。碳化硅技術(shù)的主要優(yōu)勢包括更少的開(kāi)關(guān)能量損耗、更高的能量密度、更好的散熱，以及更強的帶寬能力。汽車(chē)和可再生能源等行業(yè)對功率半導體需求的增加
- 關(guān)鍵字： 功率半導體 盛美上海 Ultra C SiC 襯底清洗
連接與電源：新Qorvo為行業(yè)提供更全面的解決方案
- ３月下旬，全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo? 在京召開(kāi)了以“連接與電源——新主題、新Qorvo”的媒體活動(dòng)。通過(guò)此次活動(dòng)，Qorvo旨在向業(yè)內介紹Qorvo在自身移動(dòng)產(chǎn)品和基礎設施應用上的射頻領(lǐng)導地位進(jìn)面向電源、物聯(lián)網(wǎng)和汽車(chē)等領(lǐng)域的最新進(jìn)展。Matter出世，化解萬(wàn)物互聯(lián)生態(tài)壁壘物聯(lián)網(wǎng)讓我們曾經(jīng)暢想的萬(wàn)物互聯(lián)生活逐漸成為現實(shí)，但要將數以百億計的設備進(jìn)行有效的互聯(lián)還面臨巨大壁壘，Matter 標準的出現打破了這個(gè)局面。作為Matter的積極參與者，Qorvo 率先打造符合 Matter 標準的
- 關(guān)鍵字： Qorvo Matter SiC FET UWB
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對sic mosfet的理解，并與今后在此搜索sic mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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