Qorvo? 發(fā)布 TOLL 封裝的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs

中國 北京，2023 年 3 月 21 日 —— 全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo^? （納斯達克代碼：QRVO）今日宣布，將展示一種全新的無(wú)引線(xiàn)表面貼裝 (TOLL) 封裝技術(shù)，其高性能具體表現在：750V SiC FET 擁有全球最低的5.4 (mΩ) 的導通阻抗。這也是 Qorvo 公司 750V SiC FETs 產(chǎn)品 TOLL 封裝系列中的首發(fā)產(chǎn)品，其導通電阻范圍從 5.4 mΩ 到 60 mΩ。這些器件非常適用于空間極其有限的應用場(chǎng)景，如從幾百瓦到千萬(wàn)瓦的交流 / 直流電源以及高達 100A 的固態(tài)繼電器和斷路器。有助于幫助客戶(hù)減小體積尺寸，提高功率密度。

在 600 / 750V 這一層次電壓功率 FETs 類(lèi)別中，Qorvo 第四代 (Gen 4) SiC FETs 產(chǎn)品的主要性能：比如導通電阻和輸出電容方面領(lǐng)先業(yè)界。此外，在 TOLL 封裝中，Qorvo 的器件具有最低 5.4 mΩ 的導通電阻，比目前市場(chǎng)同類(lèi)產(chǎn)品中最好的 Si MOSFETs、SiC MOSFETs 和 GaN 晶體管的導通阻抗還要低上 4-10 倍。SiC FETs 的 750V 額定電壓也比其它的一些替代技術(shù)高100-150V，為客戶(hù)產(chǎn)品應用中的開(kāi)關(guān)管電壓瞬變尖峰提供了更多的設計裕量。

Qorvo 電源器件事業(yè)部首席工程師 Anup Bhalla 表示：“在 TOLL 封裝中推出我們的 5.4 mΩ Gen4 SiC FET 旨在為行業(yè)提供最佳性能器件以及多種器件選擇，為此我們已邁出重要的一步，尤其對于從事工業(yè)應用的客戶(hù)，他們需要這種靈活性和提升成本效益的電源設計組合?！?/span>

TOLL 封裝與 D2PAK 表面貼裝器件相比，尺寸減少了 30％，高度為 2.3mm，相當于同類(lèi)產(chǎn)品的一半。盡管尺寸縮小，但先進(jìn)的制造技術(shù)實(shí)現了行業(yè)領(lǐng)先的 0.1℃ / W熱阻（從結到殼）。導通直流電流額定值最大為 120A，此時(shí)對應的殼溫為 144℃，在 0.5 毫秒時(shí)間內，脈沖沖擊電流最大值可以達到 588A。結合極低的導通電阻和出色的瞬態(tài)散熱能力，Qorvo 的 750V TOLL 封裝產(chǎn)品的“I2t”值比同一封裝的 Si MOSFET 高出約 8 倍，有助于提高客戶(hù)產(chǎn)品的魯棒性和抗瞬態(tài)過(guò)載能力，同時(shí)也簡(jiǎn)化了設計。TOLL 封裝還提供了開(kāi)爾文連接以實(shí)現可靠的高速轉換。

這些第四代 SiC FET 利用 Qorvo 獨特的 Cascode 電路結構（即共源共柵），將 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝在一個(gè)器件內部，以發(fā)揮寬禁帶開(kāi)關(guān)技術(shù)的高效率優(yōu)勢和 Si MOSFET 簡(jiǎn)化的門(mén)級驅動(dòng)的優(yōu)勢。

現在可使用 Qorvo 免費在線(xiàn)工具 FET-JET 計算 TOLL 封裝的 Gen4 5.4mΩ SiC FET，該計算器可以立即評估各種交流 / 直流和隔離 / 非隔離的DC / DC轉換器拓撲連接的效率、元器件損耗和結溫上升?？蓪蝹€(gè)和并聯(lián)的器件在用戶(hù)指定的散熱條件下進(jìn)行對比，以獲取最佳解決方案。

3 月 19 日至 23 日，該系列產(chǎn)品于位于佛羅里達州奧蘭多舉行的應用電源電子產(chǎn)品會(huì )議 (APEC) 上展示，Qorvo 展位號 632。