SiC功率半導體市場(chǎng)分析；廠(chǎng)商談IGBT大缺貨

根據TrendForce集邦咨詢(xún)旗下化合物半導體研究處最新報告《2023 SiC功率半導體市場(chǎng)分析報告-Part1》分析，隨著(zhù)Infineon、ON Semi等與汽車(chē)、能源業(yè)者合作項目明朗化，將推動(dòng)2023年整體SiC功率元件市場(chǎng)規模達22.8億美元，年成長(cháng)41.4%。

與此同時(shí)，受惠于下游應用市場(chǎng)的強勁需求，TrendForce集邦咨詢(xún)預期，至2026年SiC功率元件市場(chǎng)規?？赏_53.3億美元，其主流應用仍倚重電動(dòng)汽車(chē)及可再生能源

2全球車(chē)用MCU市場(chǎng)規模預估

2022年全球車(chē)用MCU市場(chǎng)規模達82.86億美元。過(guò)去2年全球新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)快速增長(cháng)，尤其中國市場(chǎng)2022年新能源汽車(chē)銷(xiāo)售量達到646萬(wàn)輛，與同期相比成長(cháng)89.5%，新能源汽車(chē)滲透率也從2021年14.3%提升至25.6%。

受新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)爆發(fā)，以及供需關(guān)系的緊張，全球車(chē)用MCU規模也出現大幅度提升，2022年市場(chǎng)規模為82.86億美元，與同期相比成長(cháng)11.4%。展望2023年，隨著(zhù)新能源汽車(chē)繼續成長(cháng)和智慧化持續推進(jìn)，全球車(chē)用MCU將繼續成長(cháng)到86.46億美元，同期相比成長(cháng)4.35%。

整體而言，過(guò)去幾年中國車(chē)規級MCU發(fā)展迅速，已具備一定競爭力，從中長(cháng)期來(lái)看，在中國國產(chǎn)替代與中國新能源汽車(chē)持續增長(cháng)帶動(dòng)下，中國國產(chǎn)車(chē)規級MCU會(huì )繼續成長(cháng)

3全球閃存市場(chǎng)需求將回暖？

3月23日，長(cháng)江存儲首席運營(yíng)官程衛華對外表示，預計2023年全球閃存需求將回暖，供需趨于平衡。

進(jìn)入2023年第一季度，集邦咨詢(xún)指出，鎧俠、美光產(chǎn)線(xiàn)持續低負載，西部數據、SK海力士將跟進(jìn)減產(chǎn)，有機會(huì )緩解目前供給過(guò)剩的情況，NAND Flash均價(jià)跌幅也將收斂至10~15%。

經(jīng)歷過(guò)2022年“寒冬”之后，存儲廠(chǎng)商在最新財報中普遍對2023年存儲市場(chǎng)抱有相對樂(lè )觀(guān)的展望。雖然預計宏觀(guān)經(jīng)濟的不確定性將持續存在，但三星預計需求將在下半年開(kāi)始復蘇，主要集中在HPC和汽車(chē)行業(yè)

4廠(chǎng)商談IGBT大缺貨

當下半導體周期下行，半導體產(chǎn)業(yè)鏈多細分領(lǐng)域均明顯邁入到庫存調整周期。然而，在電動(dòng)車(chē)與太陽(yáng)能光伏兩大主流應用需求大增助推下，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）近期出現較大程度缺貨，不僅價(jià)格連漲，業(yè)界更以“不是價(jià)格多高的問(wèn)題，而是根本買(mǎi)不到”來(lái)形容缺貨盛況。

業(yè)者分析，IGBT大缺貨有2大原因，一是當前太陽(yáng)能逆變器采用IGBT的比重大幅提升，二是目前半導體產(chǎn)業(yè)正處于調整期，不僅產(chǎn)能有限，而且許多產(chǎn)能都被電動(dòng)車(chē)廠(chǎng)搶走，在排擠效應下，導致IGBT大缺。

隨著(zhù)新能源車(chē)興起，對高電壓需求大增，IGBT成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展焦點(diǎn)，一輛電動(dòng)車(chē)使用的IGBT數量高達上百顆，是傳統燃油車(chē)的七到十倍。在工業(yè)用途上，則有AC伺服馬達、變頻器、風(fēng)力及太陽(yáng)能發(fā)電等綠電應用，在高壓部分則是高速鐵路等軌道運輸以及電網(wǎng)的應用。

當下SiC功率元件作為各家電動(dòng)汽車(chē)性能致勝的一大依賴(lài)技術(shù)，整車(chē)廠(chǎng)們爭相綁定未來(lái)幾年的SiC供應，IGBT供應商也不例外.

5深圳寶安新政出臺

據寶安日報報道，近日，深圳寶安區正式發(fā)布了《寶安區培育發(fā)展半導體與集成電路產(chǎn)業(yè)集群實(shí)施方案（2023-2025年）》（以下簡(jiǎn)稱(chēng)《實(shí)施方案》）。

《實(shí)施方案》明確提出，到2025年，構筑具有全球影響力的車(chē)規級、人工智能、穿戴芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng )新集聚高地，實(shí)現產(chǎn)值突破1200億元，增加值突破280億元，培育5家以上產(chǎn)值超20億元的企業(yè)、10家以上產(chǎn)值超10億元的企業(yè)，涌現一批“專(zhuān)精特新”中小企業(yè)和優(yōu)質(zhì)新銳上市企業(yè)。

《實(shí)施方案》針對總量規模提升、產(chǎn)業(yè)生態(tài)完善、企業(yè)集聚發(fā)展三大工作目標提出了先進(jìn)制造、第三代半導體、先進(jìn)封測、材料裝備配套、高端芯片、以及分銷(xiāo)服務(wù)等六大重點(diǎn)方向。同時(shí)，《實(shí)施方案》還謀劃了“2+4”千億級產(chǎn)業(yè)格局

6美光擴產(chǎn)

據華爾街日報報道，存儲器大廠(chǎng)美光科技計劃在美國紐約州錫拉丘茲地區投資1000億美元建設一個(gè)半導體制造園區，該園區將于2024年起開(kāi)始動(dòng)工興建，2045年完成所有建設后將雇用9000名員工。

針對人才供給方面，美光首席人事官April Arnzen表示，公司計劃通過(guò)投資當地培訓中心并向特定學(xué)校提供1000萬(wàn)美元來(lái)加強其科學(xué)、技術(shù)、工程和數學(xué)課程，從而建立人才梯隊。其進(jìn)一步表示，美光還與當地社區學(xué)院和大學(xué)合作，以確保他們的畢業(yè)生直接到崗。

關(guān)于新廠(chǎng)建設內容，美光暫時(shí)還未披露。美光的業(yè)務(wù)主要以DRAM和NAND Flash為主，據TrendForce集邦咨詢(xún)最新數據，2022年第四季度，美光在NAND Flash和DRAM領(lǐng)域的市占率分別為23%及10.7%，各排名第三和第五位