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EEVIA媒體論壇之英飛凌：賦能未來(lái)汽車(chē)低碳化和數字化發(fā)展

在最近召開(kāi)的EEVIA第十屆年度中國硬科技媒體論壇暨2022產(chǎn)業(yè)鏈研創(chuàng )趨勢展望研討會(huì )上，來(lái)自英飛凌安全互聯(lián)系統事業(yè)部的汽車(chē)級WiFi/BT及安全產(chǎn)品應用市場(chǎng)管理經(jīng)理楊大穩以“英飛凌賦能未來(lái)汽車(chē)低碳化和數字化發(fā)展“為題，詳細介紹了英飛凌在汽車(chē)電子領(lǐng)域的相關(guān)產(chǎn)品和未來(lái)趨勢。?新能源車(chē)是全球汽車(chē)市場(chǎng)增長(cháng)最快也是需求最旺盛的領(lǐng)域，特別是在中國這個(gè)全球產(chǎn)銷(xiāo)第一的市場(chǎng)，2022年國有品牌汽車(chē)占據近一半的中國汽車(chē)市場(chǎng)份額，最大的驅動(dòng)力是來(lái)自于新能源車(chē)和電動(dòng)車(chē)?？梢灶A想，隨著(zhù)政府和車(chē)廠(chǎng)的支持，電動(dòng)車(chē)未來(lái)幾年會(huì )迎
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SiC助力軌道交通駛向“碳達峰”

當前，全球主要國家和地區都已經(jīng)宣布了“碳達峰”的時(shí)間表。在具體實(shí)現的過(guò)程中，軌道交通將是一個(gè)重要領(lǐng)域。由于用能方式近乎100%為電能，且帶動(dòng)大量基礎設施建設，因此軌道交通的“碳達峰”雖然和工業(yè)的“碳達峰”路徑有差異，但總體實(shí)現時(shí)間將較為接近。在中國，這個(gè)時(shí)間節點(diǎn)是2030年之前。當然，“碳達峰”在每一個(gè)領(lǐng)域都有狹義和廣義的區分，比如在工業(yè)領(lǐng)域，一方面是重點(diǎn)企業(yè)自身通過(guò)節能+綠電的方式實(shí)現“碳達峰”，另一方面也需要圍繞重點(diǎn)企業(yè)的產(chǎn)業(yè)鏈上下游全面實(shí)現能耗降低。對于軌道交通也是如此，狹義層面的軌交工具，以及廣義
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碳化硅（SiC）電源管理解決方案搭配可配置數字柵極驅動(dòng)技術(shù)助力實(shí)現“萬(wàn)物電氣化”

綠色倡議持續推動(dòng)工業(yè)、航空航天和國防應用，尤其是運輸行業(yè)的電力電子系統設計轉型。碳化硅（SiC）是引領(lǐng)這一趨勢的核心技術(shù)，可提供多種新功能不斷推動(dòng)各種車(chē)輛和飛機實(shí)現電氣化，從而減少溫室氣體（GHG）排放。碳化硅解決方案支持以更小、更輕和更高效的電氣方案取代飛機的氣動(dòng)和液壓系統，為機載交流發(fā)電機、執行機構和輔助動(dòng)力裝置（APU）供電。這類(lèi)解決方案還可以減少這些系統的維護需求。但是，SiC技術(shù)最顯著(zhù)的貢獻體現在其所肩負實(shí)現商用運輸車(chē)輛電氣化的使命上，這些車(chē)輛是世界上最大的GHG排放源之一。隨著(zhù)1700V金屬
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士蘭明鎵SiC功率器件生產(chǎn)線(xiàn)初步通線(xiàn)，首個(gè)SiC器件芯片投片成功

10月24日，士蘭微發(fā)布公告稱(chēng)，近期，士蘭明鎵SiC功率器件生產(chǎn)線(xiàn)已實(shí)現初步通線(xiàn)，首個(gè)SiC器件芯片已投片成功，首批投片產(chǎn)品各項參數指標達到設計要求，項目取得了階段性進(jìn)展。士蘭明鎵正在加快后續設備的安裝、調試，目標是在今年年底形成月產(chǎn)2000片6英寸SiC芯片的生產(chǎn)能力。士蘭微表示，公司目前已完成第一代平面柵SiC-MOSFET技術(shù)的開(kāi)發(fā)，性能指標達到業(yè)內同類(lèi)器件結構的先進(jìn)水平。公司已將SiC-MOSFET芯片封裝到汽車(chē)主驅功率模塊上，參數指標較好，繼續完成評測，即將向客戶(hù)送樣。據了解，2017年12月1
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認識線(xiàn)性功率MOSFET

本文針對MOSFET的運作模式，組件方案，以及其應用范例進(jìn)行說(shuō)明，剖析標準MOSFET的基本原理、應用優(yōu)勢，與方案選擇的應用思考。線(xiàn)性MOSFET是線(xiàn)性模式應用時(shí)最合適的選擇，能夠確?？煽康倪\作。然而，用于線(xiàn)性模式應用時(shí)，標準MOSFET容易產(chǎn)生電熱不穩定性，從而可能導致組件損壞。A類(lèi)音訊放大器、主動(dòng)式DC-link放電、電池充放電、浪涌電流限制器、低電壓直流馬達控制或電子負載等線(xiàn)性模式應用，都要求功率 MOSFET組件在電流飽和區內運行。了解線(xiàn)性模式運作在功率 MOSFET 的線(xiàn)性工作模式下，高電壓和高
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電源系統設計優(yōu)化秘技:單片驅動(dòng)器+MOSFET(DrMOS)

現階段，多核架構使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速，令這些器件所需功率急劇增加，直接導致向微處理器供電的穩壓器模塊(VRM)的升級需求：一是穩壓器的功率密度（單位體積的功率）升級，為了在有限空間中滿(mǎn)足系統的高功率要求，必須大幅提高功率密度；另一是功率轉換效率提升，高效率可降低功率損耗并改善熱管理。目前電源行業(yè)一種公認的解決方案，是將先進(jìn)的開(kāi)關(guān)MOSFET（穩壓器的主要組成部分）及其相應的驅動(dòng)器集成到單個(gè)芯片中并采用高級封裝，從而實(shí)現緊湊高效的功率轉換。這種DrMOS功率級優(yōu)化了高速功率轉換。隨著(zhù)對這
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科普：MOSFET結構及其工作原理

MOSFET由MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體)+FET(Field Effect Transistor場(chǎng)效應晶體管)這個(gè)兩個(gè)縮寫(xiě)組成。即通過(guò)給金屬層(M-金屬鋁)的柵極和隔著(zhù)氧化層(O-絕緣層SiO2)的源極施加電壓，產(chǎn)生電場(chǎng)的效應來(lái)控制半導體(S)導電溝道開(kāi)關(guān)的場(chǎng)效應晶體管。由于柵極與源極、柵極與漏極之間均采用SiO2絕緣層隔離，MOSFET因此又被稱(chēng)為絕緣柵型場(chǎng)效應管。市面上大家所說(shuō)的功率場(chǎng)效應晶體管通常指絕緣柵MOS型(Metal Oxide Semico
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世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅動(dòng)器NCP51561 應用于高頻小型化工業(yè)電源

現階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會(huì )導致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會(huì )影響關(guān)斷速度，而硅元件也無(wú)法再提升。因此開(kāi)發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性，使得這些器件可與壽命長(cháng)的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個(gè)產(chǎn)品設計做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導體開(kāi)關(guān)的器
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基于英飛凌SIC MOSFET 和驅動(dòng)器的11kW DC-DC變換器方案

REF-DAB11KIZSICSYS是一個(gè)CLLC諧振DC/DC轉換器板，能夠提供高達11kW的800 V輸出電壓，IMZ120R030M1H（30mΩ/1200V SiC MOSFET）加上1EDC20I12AH，使其性?xún)r(jià)比和功率密度更高。憑借其高效的雙向功率變換能力和軟開(kāi)關(guān)特性，是電動(dòng)汽車(chē)和能量存儲系統（ESS）等DCDC項目的理想選擇。終端應用產(chǎn)品30 kW 至 150 kW 的充電機，50 kW 至 350 kW 的充電機，儲能系統，電動(dòng)汽車(chē)快速充電，功率轉換系統（PCS）?場(chǎng)景應用
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上海貝嶺為USB-PD應用提供高性能驅動(dòng)IC和MOSFET解決方案

智能化便攜式電子設備諸如智能手機、筆記本電腦、平板電腦等的不斷更新?lián)Q代，功能越來(lái)越豐富，隨之帶來(lái)了耗電量急劇上升的挑戰。然而，在現有電池能量密度還未取得突破性進(jìn)展的背景下，人們開(kāi)始探索更快的電量補給，以高效充電來(lái)壓縮充電時(shí)間，降低充電的時(shí)間成本，從而換取設備的便攜性，提升用戶(hù)體驗。目前，USB-PD是最為主流的快充技術(shù)。該技術(shù)標準具有18W、20W、35W、65W和140W等多種功率規格，以及5V、9V、12V和20V等多種電壓輸出。靈活的電壓電流輸出配置讓各種電子設備都能通過(guò)一條USB-TYPE C線(xiàn)纜
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使用TI功能安全柵極驅動(dòng)器提高SiC牽引逆變器的效率

隨著(zhù)電動(dòng)汽車(chē) (EV) 制造商競相開(kāi)發(fā)成本更低、行駛里程更長(cháng)的車(chē)型，電子工程師面臨降低牽引逆變器功率損耗和提高系統效率的壓力，這樣可以延長(cháng)行駛里程并在市場(chǎng)中獲得競爭優(yōu)勢。功率損耗越低則效率越高，因為它會(huì )影響系統熱性能，進(jìn)而影響系統重量、尺寸和成本。隨著(zhù)開(kāi)發(fā)的逆變器功率級別更高，每輛汽車(chē)的電機數量增加，以及卡車(chē)朝著(zhù)純電動(dòng)的方向發(fā)展，人們將持續要求降低系統功率損耗。過(guò)去，牽引逆變器使用絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)。然而，隨著(zhù)半導體技術(shù)的進(jìn)步，碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管具有比IGBT更高
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貿澤開(kāi)售采用D2PAK-7L 封裝的工業(yè)用 UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET

2022年9月23日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷(xiāo)商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨采用行業(yè)標準D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC（現已被 Qorvo?收購）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場(chǎng)效應晶體管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封裝選項提供低開(kāi)關(guān)損耗、在更高速度下提升效率，同時(shí)提高系統功率密度。這些FET經(jīng)優(yōu)化適合車(chē)載充電器、軟開(kāi)關(guān)DC/DC
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測量SiC MOSFET柵-源電壓時(shí)的注意事項：一般測量方法

SiC MOSFET具有出色的開(kāi)關(guān)特性，但由于其開(kāi)關(guān)過(guò)程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介紹的需要準確測量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時(shí)需要注意的事項。我們將以SiC MOSFET為例進(jìn)行講解，其實(shí)所講解的內容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?如果將延長(cháng)電纜與DUT引腳焊接并連接電壓探頭進(jìn)行測量，在開(kāi)關(guān)速度較快時(shí)
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東芝推出面向更高效工業(yè)設備的第三代SiC MOSFET

東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻，可顯著(zhù)降低開(kāi)關(guān)損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，已于今日開(kāi)始出貨。新產(chǎn)品的單位面積導通電阻（RDS(ON)A）下降了大約43%[3]，從而使“漏源導通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大約80%[4]，這是體現導通損耗與開(kāi)關(guān)損耗間關(guān)系的重要指標。這樣可以將開(kāi)關(guān)損耗減少大約
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安森美慶祝在新罕布什爾州擴張碳化硅工廠(chǎng)

領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，昨天美國時(shí)間舉行了剪彩儀式，慶祝其位于新罕布什爾州哈德遜 (Hudson, New Hampshire) 的碳化硅 (SiC) 工廠(chǎng)的落成。該基地將使安森美到2022年底的SiC晶圓產(chǎn)能同比增加五倍，在哈德遜的員工人數幾乎翻兩番。此擴張使安森美能完全控制其SiC制造供應鏈，從SiC粉末和石墨原料的采購，到封裝好的SiC器件的交付。這使安森美能為其客戶(hù)提供必要的供應保證，以滿(mǎn)足對基于SiC的方案迅速增長(cháng)的需求。SiC對于提高電
關(guān)鍵字：安森美碳化硅工廠(chǎng) SiC