EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
hbt
hbt 文章 進(jìn)入hbt技術(shù)社區
一款高三階交調點(diǎn)的GaAs射頻放大器
- 介紹了一款滿(mǎn)足于5G通信發(fā)展要求，工作頻率高增益，高線(xiàn)性度，高三階交調點(diǎn)的射頻放大器的設計。采用砷化鎵異質(zhì)結晶體管（GaAs HBT）工藝，基于達林頓結構進(jìn)行設計。在原有結構基礎上，添加了偏置結構，一方面提高了放大器工作狀態(tài)的線(xiàn)性度，提高了三階交調點(diǎn)指標；另一方面保證晶體管工作電流在-55℃，125℃工作狀態(tài)下保持穩定。放大器能夠工作在10 MHz~4 GHz，輸出三階交調點(diǎn)達到40 dBm，線(xiàn)性度高，適用于5G通信信號處理系統。
- 關(guān)鍵字： 202306 射頻放大器 GaAs HBT 三階交調點(diǎn) 高線(xiàn)性度
一款應用于Wi-Fi?6E設備的GaAs?HBT功率 放大器
- 摘要：針對WIFI 6E頻段的設備需求，設計了一款工作在5.9?GHz~7.2?GHz的寬帶砷化鎵異質(zhì)結雙極型晶體 管（GaAs HBT）功率放大器。功率放大器為三級放大拓撲結構，采用自適應偏置電路結構解決HBT晶體管在 大功率輸入下偏置點(diǎn)變化及自熱效應引起增益及線(xiàn)性度惡化的問(wèn)題。測試結果表明，在5.9?GHz~7.2?GHz頻段 內，功率放大器增益＞27?dB，輸出飽和功率＞1?W，附加效率＞24 %，芯片面積：1.24?mm×1.27?mm。關(guān)鍵詞：功率放大器；WIFI 6E；GaAs HBT近
- 關(guān)鍵字： 202206 功率放大器 WIFI 6E GaAs HBT
瑞薩電子推出新型SiGe:C異質(zhì)接面晶體管
- 2011年9月13日 日本東京訊—高級半導體廠(chǎng)商瑞薩電子株式會(huì )社（TSE：6723，以下簡(jiǎn)稱(chēng)“瑞薩電子”）宣布推出新款SiGe:C異質(zhì)接面晶體管 (SiGe:C HBT, 注1)NESG7030M04，可作為低噪聲放大晶體管用于無(wú)線(xiàn)局域網(wǎng)絡(luò )系統、衛星無(wú)線(xiàn)電及類(lèi)似應用。本裝置的制程采用全新開(kāi)發(fā)的硅鍺：碳(SiGe:C)材料 (注2) 并達到領(lǐng)先業(yè)界的低噪聲效能。
- 關(guān)鍵字： 瑞薩 晶體管 SiGe:C HBT
Avago 推出新高性能寬帶InGaP HBT增益方塊
- Avago Technologies(安華高科技)今日宣布推出兩款新經(jīng)濟型容易使用的通用InGaP異質(zhì)結雙極晶體管(HBT, Hetero-Junction Bipolar Transistor) MMIC增益方塊放大器產(chǎn)品，適合各種不同的無(wú)線(xiàn)通信應用。于DC到6,000MHz頻帶工作，Avago的AVT-51663/53663增益方塊可以作為寬帶增益方塊或驅動(dòng)放大器使用，這些面向移動(dòng)通信基礎設施應用設計的增益方塊也可以使用在如基站、WiMAX、WLAN、CATV、衛星電視和機頂盒等各種其他無(wú)線(xiàn)通信應
- 關(guān)鍵字： Avago 放大器 晶體管 HBT
砷化鎵外延襯底市場(chǎng)規模將超過(guò)4億美元
- Strategy Analytics 發(fā)布最新年度預測報告“半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場(chǎng)預測2008-2013”。報告總結，2008年半絕緣砷化鎵(SI GaAs)外延襯底市場(chǎng)年增長(cháng)率達到22%，但 Strategy Analytics 預計2009年該市場(chǎng)將持平或轉負增長(cháng)。借助下一代蜂窩手機平臺上嵌入多砷化鎵(GaAs)器件，以及來(lái)自其它市場(chǎng)對砷化鎵 (GaAs) 器件的需求，半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場(chǎng)在2010年將恢復增長(cháng)。 一直
- 關(guān)鍵字： GaAs 外延襯底 FET HBT
Ge組分對SiGe HBT主要電學(xué)特性的影響
- 0 引言 SiGe基區異質(zhì)結雙極型晶體管(SiGe HBT)是利用SiGe合金特性制成的器件。自1987年采用MBE技術(shù)首次制作出SiGe基區HBT以來(lái)，SiGe集成電路的規模和電路的速度不斷發(fā)展，電流增益和頻率響應等性能已經(jīng)接近或達到了化合物異質(zhì)結器件的水平。而SiGe異質(zhì)結技術(shù)和傳統的Si集成電路相比，在工藝上并未增加大的復雜性，且成本低于化合物半導體器件。最新的SiGe HBT的研究表明已研制出超過(guò)200 GHz電流增益峰值達到400的晶體管，并且低溫下fT達到200 GHz的SiGeHBT也
- 關(guān)鍵字： HBT
| 共10條 1/1 1 |
hbt介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條hbt!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對hbt的理解，并與今后在此搜索hbt的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對hbt的理解，并與今后在此搜索hbt的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473