與萬(wàn)用表結合使用的FET VP、VOO檢驗器電路

電路的功能

場(chǎng)效晶體管漏極飽和電流IDSS和夾斷電壓VP等有很大差別，所以確定置偏很麻煩。雖然在生產(chǎn)廠(chǎng)已分了幾種等級，但一個(gè)等級內仍有差別，如果在組裝電路之前測量實(shí)際工作電流狀態(tài)下的VP和VOS則比較方便。測量時(shí)，用轉換開(kāi)關(guān)選擇電阻R1~3，設定工作電流，R值可用R=15/ID計算。

電路工作原理

在OP放大器反相放大電路中，使流過(guò)反饋回路的電流與輸入電阻確定的電流相等，因此FET漏極電流EB由柵極電壓VGS確定。即OP放大器A1構成伺服電路，用A1的輸出控制反相輸入端的電位，使基等于零。

齊納二極管D3和D4產(chǎn)生±9V的電壓對被測對象（DUT）的柵極電壓進(jìn)行拖箝位使電路不至加異常電壓。R5是限流電阻，用來(lái)控制柵極電流，使基不至過(guò)大（通常幾乎無(wú)電流流過(guò)）。

FET有N溝道和P溝道兩種型式，因此可用SW1切換輸入電壓的極性，滿(mǎn)足這兩種型號的需要。測試開(kāi)關(guān)SW2在無(wú)DUT時(shí)，柵極端子電壓高于夾斷電壓，OP放大器的輸出對于NOA來(lái)說(shuō)為負，對于POH為正，在進(jìn)行正常測試時(shí)，OP放大器輸出為VGS。工作電流ID為1UA時(shí)，R1=15/10的-6次方=15M，IB=100UA時(shí)，R2=15/10的-4=150K，ID為1MA時(shí)，R3=15/10的3次方=15K，應根據使用要求計算R1~R3。

注釋

FET的自編電路

圖中所示為普通N溝通J-FET自偏電路，由于夾斷電壓VP或漏極飽和電流IDSS的誤差，使置偏點(diǎn)Q發(fā)生變化。

若把源極電阻RS兩端產(chǎn)生的電壓作為柵極置偏，設定Q點(diǎn)，考慮VP和IDSS的影響后，可用下式大約計算出RS

RS越大，越能吸收誤差，但由于受工作電流IDQ的限制，須選用適當的阻值或改用固定置偏電路。