砷化鎵外延襯底市場(chǎng)規模將超過(guò)4億美元

　　Strategy Analytics 發(fā)布最新年度預測報告“半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場(chǎng)預測2008-2013”。報告總結，2008年半絕緣砷化鎵(SI GaAs)外延襯底市場(chǎng)年增長(cháng)率達到22%，但 Strategy Analytics 預計2009年該市場(chǎng)將持平或轉負增長(cháng)。借助下一代蜂窩手機平臺上嵌入多砷化鎵(GaAs)器件，以及來(lái)自其它市場(chǎng)對砷化鎵 (GaAs) 器件的需求，半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場(chǎng)在2010年將恢復增長(cháng)。

　　一直以來(lái)，供應商都聚焦在提供 HBT (Heterojunction Bipolar Transistor)，HEMT (High Electron Mobility Transistor) 和 FET (Field Effect Transistor)的外延襯底結構，而目前市場(chǎng)更關(guān)注的是多結構組合在一個(gè)襯底上的解決方案，以提供 BiFET (Bipolar Field Effect Transistor) 或 BiHEMT (Bipolar High Electron Mobility Transistor)器件。

　　Strategy Analytics 的 GaAs 和化合物半導體技術(shù)市場(chǎng)研究部主管 Asif Anwar 表示：“Strategy Analytics 預期，BiFET / BiHEMT 結構的襯底在2008年占所有半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場(chǎng)的6%。雖然市場(chǎng)份額還很小，但是由于砷化鎵器件制造商希望通過(guò)集成解決方案以提供差異化的產(chǎn)品，這一細分市場(chǎng)從現在到2013年期間將以最快速增長(cháng)。”

　　本報告研究供應鏈動(dòng)態(tài)，并對半絕緣砷化鎵(SI GaAs) 外延襯底的最終需求驅動(dòng)因素進(jìn)行了大量的分析。到2013年的市場(chǎng)前景預測結果顯示，2008至2013期間，外延襯底市場(chǎng)的復合年增長(cháng)率為5%。相應地，砷化鎵 MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 和 MBE (Molecular Beam Epitaxy)襯底市場(chǎng)規模在2013年將超過(guò)4億美元。