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美光確認EUV工藝DRAM 2024年量產(chǎn)：1γ節點(diǎn)導入
- 三星、SK海力士及美光確定未來(lái)會(huì )用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內存在2024年量產(chǎn)。芯研所8月21日消息，CPU、GPU為代表的邏輯工藝制程進(jìn)入7nm之后，EUV光刻工藝不可或缺。目前內存停留在10nm工藝級別。三星、SK海力士及美光也確定未來(lái)會(huì )用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內存在2024年量產(chǎn)。美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采訪(fǎng)中確認，美光已將EUV技術(shù)納入DRAM技術(shù)藍圖，將由10nm世代中的1γ（gamma）工藝節點(diǎn)開(kāi)始導入。美光EUV工藝DRAM將會(huì )先在臺中A3廠(chǎng)生產(chǎn)，預
- 關(guān)鍵字： 美光 EUV DRAM
TrendForce：第四季PC DRAM合約價(jià)將轉跌0~5%
- 根據TrendForce調查，第三季PC DRAM合約價(jià)格的議定大致完成，受惠于DRAM供貨商的庫存量偏低以及旺季效應，本季合約價(jià)調漲3~8%，但相較第二季25%的漲幅已大幅收斂。然約自七月初起，DRAM現貨市場(chǎng)已提前出現PC DRAM需求疲弱的態(tài)勢。賣(mài)方積極調節手上庫存，持續降價(jià)求售。合約市場(chǎng)方面，先前PC OEMs因擔憂(yōu)長(cháng)短料問(wèn)題而大量備料，使DRAM庫存已達高水位，庫存迭高問(wèn)題成為漲價(jià)的阻力，再加上歐美逐步解封可能使筆電需求降低，進(jìn)而拉低PC DRAM的總需求量。因此，預估PC DRAM合約價(jià)于第四
- 關(guān)鍵字： TrendForce PC DRAM
三星將在不久后開(kāi)始生產(chǎn)768GB DDR5內存條
- 三星電子昨天公布了其2021年第二季度的收益。該公司整體表現良好，其內存業(yè)務(wù)也不例外。該公司預計該部門(mén)將持續增長(cháng)，尤其是針對高端服務(wù)器和高性能計算（HPC）市場(chǎng)的DRAM產(chǎn)品。這就是為什么三星一直在推動(dòng)其用于此類(lèi)用途的高密度內存模塊，該公司最近發(fā)布了業(yè)界首個(gè)512GB DDR5 DRAM模塊，從任何角度看都是一個(gè)真正的高容量解決方案?！ 〉聦?shí)證明，這家韓國巨頭可能還不滿(mǎn)足，因為它計劃在不久的將來(lái)的某個(gè)時(shí)候更進(jìn)一步，生產(chǎn)768GB DDR5模塊，也就是使用24Gb DRAM芯片。這可以從該公司的財報電
- 關(guān)鍵字： 三星 內存 DRAM DDR5
EUV技術(shù)開(kāi)啟DRAM市場(chǎng)新賽程
- SK海力士公司在7月12日表示，本月已經(jīng)開(kāi)始生產(chǎn)10納米8Gb LPDDR4移動(dòng)DRAM —— 他們將在該內存芯片生產(chǎn)中應用極紫外（EUV）工藝，這是SK海力士首次在其DRAM生產(chǎn)中應用EUV。根據SK海力士的說(shuō)法，比起前一代規格的產(chǎn)品，第四代在一片晶圓上產(chǎn)出的DRAM數量增加了約25%，成本競爭力很高。新的芯片將在今年下半年開(kāi)始供應給智能手機制造商，并且還將在2022年初開(kāi)始生產(chǎn)的DDR5芯片中應用10納米EUV。世界第三大DRAM制造商SK海力士發(fā)布聲明，正式啟用EUV光刻機閃存內存芯片，批量生產(chǎn)采用
- 關(guān)鍵字： EUV DRAM
SK海力士開(kāi)始量產(chǎn)采用EUV技術(shù)的第四代10納米級DRAM
- SK海力士宣布已于7月初開(kāi)始量產(chǎn)適用第四代10納米（1a）級工藝的?8Gigabit（Gb）?*LPDDR4 移動(dòng)端DRAM產(chǎn)品。* LPDDR4 (Low Power Double Data Rate 4) – 專(zhuān)為移動(dòng)終端開(kāi)發(fā)的低功耗DRAM規格?！癉DR” 為電子工程設計發(fā)展聯(lián)合協(xié)會(huì )(Joint Electron Device Engineering Council，簡(jiǎn)稱(chēng)JEDEC)規定的DRAM規格標準名稱(chēng)，DDR1-2-3-4為其順序進(jìn)行換代。?圖1.
- 關(guān)鍵字： SK海力士 10納米 DRAM
美光力推業(yè)界首款176層NAND與 1α DRAM 技術(shù)創(chuàng )新
- 近日，在一年一度的COMPUTEX 2021線(xiàn)上主題演講中，美光總裁兼首席執行官 Sanjay Mehrotra代表美光發(fā)布多項產(chǎn)品創(chuàng )新，涵蓋基于其業(yè)界領(lǐng)先的 176 層 NAND 及 1α (1-alpha) DRAM 制程的內存和存儲創(chuàng )新產(chǎn)品，并推出業(yè)界首款面向汽車(chē)應用的通用閃存 (UFS) 3.1 解決方案。這些創(chuàng )新產(chǎn)品和創(chuàng )新技術(shù)體現了美光通過(guò)內存和存儲創(chuàng )新加速數據驅動(dòng)洞察的愿景，從而助力數據中心和智能邊緣的創(chuàng )新，突出了內存和存儲在幫助企業(yè)充分發(fā)揮數據經(jīng)濟潛能方面的核心作用。在新的數據經(jīng)濟背后，有一
- 關(guān)鍵字： 美光 176層NAND 1α DRAM
美光專(zhuān)家對1α節點(diǎn)DRAM的解答
- 2021 年1 月，美光科技宣布批量出貨基于1α(1-alpha) 節點(diǎn)的DRAM產(chǎn)品，是目前世界上最為先進(jìn)的DRAM 技術(shù)，在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。為此，《電子產(chǎn)品世界》記者采訪(fǎng)了公司DRAM 制程集成副總裁Thy Tran 女士。美光DRAM制程集成副總裁Thy Tran1? ?1α節點(diǎn)技術(shù)1α 節點(diǎn)DRAM 相當于10 nm 的第四代，其最小特征尺寸（通常是指內存陣列激活區半間距）在(10~19) nm之間。要做到這一點(diǎn)，需要大幅縮小位線(xiàn)和字線(xiàn)間距——可以說(shuō)是收縮
- 關(guān)鍵字： 202104 DRAM
2021年DRAM與NAND增長(cháng)快，美光領(lǐng)跑研發(fā)與新技術(shù)
- 近日，美光在業(yè)界率先推出 1α DRAM 制程技術(shù)。值此機會(huì )，該公司舉辦了線(xiàn)上媒體溝通會(huì )，執行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana 先生介紹了對DRAM、NAND的市場(chǎng)預測，以及美光的研發(fā)、資本支出、產(chǎn)品布局等。執行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana1? ?2021年DRAM和NAND將增長(cháng)19%展望2021年，全球GDP增長(cháng)約5%。而根據不同分析師的預測，半導體產(chǎn)業(yè)預計增長(cháng)可達12%，整個(gè)半導體產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值將達5020億美元。其中，內存與存儲預計增長(cháng)可達19%，增度遠超整
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
美光科技：DRAM芯片供應緊張將持續數年，NAND產(chǎn)能今年保持穩定
- 存儲芯片大廠(chǎng)美光（Micron）執行副總裁兼事業(yè)長(cháng)Sumit Sadana近日接受采訪(fǎng)表示，2020年汽車(chē)電子和智能型手機需求因新冠肺炎疫情而衰退，今年顯現明顯復蘇，并帶動(dòng)存儲器需求增長(cháng)。目前主要有兩種存儲器產(chǎn)品，一種是DRAM（動(dòng)態(tài)隨機存儲器），用于緩存，另一種是NAND Flash（閃存），用于數據的存儲。在DRAM領(lǐng)域，韓國三星、海力士、美國美光三家企業(yè)把控了全球主要市場(chǎng)份額。NAND Flash市場(chǎng)則由三星、凱俠、西部數據、美光和NAND Flash瓜分。Sumit Sadana稱(chēng)，預期今
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受華為斷供影響，DRAM 十月份價(jià)格暴跌 9％
- 11月1日消息 據韓媒 The Lec 今日報道，今年十月份，DRAM 和 NAND 價(jià)格遭遇集體暴跌。分析師認為，這是由于美國對華為的制裁所致，這加劇了存儲芯片市場(chǎng)價(jià)格的下跌。據市場(chǎng)研究公司 DRAM Exchange 上個(gè)月 30 日的統計，截至 10 月底，PC DRAM（DDR4 8Gb）的固定交易價(jià)格為 2.85 美元，相比 9 月份的交易價(jià)格下降 8.9%。這與八月和九月連續第二個(gè)月保持平穩的情況形成了對比，就 NAND 閃存而言，128GB 存儲卡和用于 USB 的多層單元存儲（MLC）
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完全漲不動(dòng)：內存價(jià)格繼續觸底
- 根據IC Insights的分析報告，DRAM內存芯片在今年底之前將繼續呈現下滑態(tài)勢。簡(jiǎn)單回顧下，內存跌價(jià)大致是從2018下半年開(kāi)始，2019年12月均價(jià)一度跌至3.9美元。盡管今年上半年，由于新冠肺炎的原因，在家辦公、遠程學(xué)習等推動(dòng)了PC等設備的需求增長(cháng)，內存價(jià)格有所小幅反彈，但持續的時(shí)間并不長(cháng)。6月份DRAM均價(jià)是3.7美元，7、8月份則在3.51美元處徘徊。通常來(lái)說(shuō)，三四季度是DRAM價(jià)格大幅飆升的旺季，可今年的情況大家都懂，無(wú)論是廠(chǎng)商還是個(gè)人消費者，其季節性的購買(mǎi)行為也被擾亂了。另外，盡管5G智能
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"爛尾”的格芯成都廠(chǎng)終于有人接盤(pán)了？將轉產(chǎn)DRAM內存芯片？
- 擱淺2年多的成都格芯廠(chǎng)，在今年5月正式宣布停業(yè)4個(gè)多月之后，終于迎來(lái)了接盤(pán)者————成都高真科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“高真科技”），并有望轉產(chǎn)DRAM內存芯片。根據企查查的資料顯示，高真科技成立于2020年9月28日，注冊資本51.091億元人民幣。經(jīng)營(yíng)范圍包括：“銷(xiāo)售：電子元器件、集成電路、集成電路芯片及產(chǎn)品、電子產(chǎn)品、機械設備、計算機、軟硬件及其輔助設備；存儲器及相關(guān)產(chǎn)品、電子信息的技術(shù)開(kāi)發(fā)；電子元器件制造；集成電路制造；軟件開(kāi)發(fā)；質(zhì)檢技術(shù)服務(wù)（不含進(jìn)出口商品檢驗鑒定、認證機構、民用核安全設備無(wú)損檢驗、
- 關(guān)鍵字： 格芯成都 DRAM
HBM2E 和GDDR6： AI內存解決方案
- 前言人工智能/機器學(xué)習（AI/ML）改變了一切，影響著(zhù)每個(gè)行業(yè)并觸動(dòng)著(zhù)每個(gè)人的生 活。人工智能正在推動(dòng)從5G到物聯(lián)網(wǎng)等一系列技術(shù)市場(chǎng)的驚人發(fā)展。從2012年到 2019年，人工智能訓練集增長(cháng)了30萬(wàn)倍，每3.43個(gè)月翻一番，這就是最有力的證 明。支持這一發(fā)展速度需要的遠不止摩爾定律所能實(shí)現的改進(jìn)，摩爾定律在任何情況下都在放緩，這就要求人工智能計算機硬件和軟件的各個(gè)方面都需要不斷的快速改進(jìn)。從2012年至今，訓練能力增長(cháng)了30萬(wàn)倍內存帶寬將成為人工智能持續增長(cháng)的關(guān)鍵焦點(diǎn)領(lǐng)域之一。以先進(jìn)的駕駛員輔助系
- 關(guān)鍵字： ADAS ML DRAM 內存
三星電子平澤工廠(chǎng)第二生產(chǎn)線(xiàn)開(kāi)始量產(chǎn)
- 實(shí)現DRAM量產(chǎn)后，預計生產(chǎn)新一代VNAND與超精細制程的晶圓代工產(chǎn)品 憑借更快更薄的產(chǎn)品搶占移動(dòng)設備市場(chǎng)，下一步進(jìn)軍汽車(chē)電裝市場(chǎng) 韓國首爾2020年8月30日 /美通社/ -- 三星電子平澤工廠(chǎng)第二生產(chǎn)線(xiàn)正式開(kāi)工，首發(fā)量產(chǎn)產(chǎn)品是采用了EUV（Extreme Ultraviolet，極紫外光刻）制程的16Gb（吉字節）LPDDR5移動(dòng)DRAM，開(kāi)創(chuàng )業(yè)界先河。 ? ? 三星電子 16GB LPDDR5 ? ?三星電子平澤工廠(chǎng)第二生產(chǎn)線(xiàn)的建筑面積達12.89萬(wàn)平方米（
- 關(guān)鍵字： EUV10 納米級 LPDDR5 DRAM
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