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300mm線(xiàn)建設今年掀高潮
- 2005年3月A版 盡管2005年世界半導體業(yè)的銷(xiāo)售值勢比上年大幅下降，但銷(xiāo)量將繼續快速增長(cháng)。為迎接這一需求，2005年300mm晶圓片生產(chǎn)線(xiàn)將加速建設。據iSuppli公司預測，當年將共建成16條生產(chǎn)線(xiàn)，比2003和2004年所建線(xiàn)加在一起還多。 2005年建設高潮是經(jīng)歷多年才形成的。早在1998年建成的300mm線(xiàn)，其回報在2001年經(jīng)濟衰退中受到嚴重打擊，可執著(zhù)堅持的公司卻在2004年半導體市場(chǎng)再創(chuàng )新高時(shí)獲得豐厚回報。
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英飛凌在DRAM溝槽技術(shù)中取得重大突破
- 英飛凌科技公司在2004年IEEE（電子和電氣工程師學(xué)會(huì ) 2004年12月13～15日于美國舊金山舉行）國際電子器件會(huì )議（IEDM）上，展示了該公司具有高生產(chǎn)性的、適合未來(lái)DRAM產(chǎn)品的70 nm工藝技術(shù)，此技術(shù)以在300 mm晶圓上的深溝（DT）單元為基礎。目前全球25％的DRAM生產(chǎn)都是以溝槽技術(shù)為基礎的。在其報告中，英飛凌闡述了全部集成計劃和主要技術(shù)特征――包括首次在基于溝槽技術(shù)的DRAM生產(chǎn)流程中使用高介電常數物質(zhì)。英飛凌70 nm DRAM程序堪稱(chēng)重大技術(shù)突破，顯示了溝槽技術(shù)的可伸縮性。
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上半年全球DRAM市場(chǎng)增長(cháng)66% 中國成決定因素
- iSuppli最新發(fā)布的報告指出，今年上半年全球DRAM市場(chǎng)規模比去年同期增長(cháng)66%，中國市場(chǎng)增長(cháng)88%，其次為亞太地區(不含中國)的81%。日本經(jīng)濟情況改善，其DRAM銷(xiāo)售增 長(cháng)70%。美國僅僅增長(cháng)48%，遠不及全球的66%。 在主要供貨商方面，Hynix、Elpida Memory與大部份臺灣地區供貨商在上半年的占有率都比去年有所增長(cháng)；而三星、美光與英飛凌的市場(chǎng)份額則在下降。中國是全球增長(cháng)最迅速的DRAM市場(chǎng)，Hynix是該地區的領(lǐng)導廠(chǎng)商，市場(chǎng)占有率高達42%，去年同期為40%。
- 關(guān)鍵字： DRAM 存儲器
美商凱創(chuàng )獲獎入侵偵測系統Dragon新版問(wèn)世
- 企業(yè)網(wǎng)路設備廠(chǎng)商 - 美商凱創(chuàng )(Enterasys Networks)表示，日內發(fā)表其獲獎產(chǎn)品Dragon入侵偵測系統（Intrusion Detection System；IDS）的最新版本。Dragon 5在其基礎架構中加入更好的延展性、可用性與彈性，以強化企業(yè)網(wǎng)路的安全
- 關(guān)鍵字： IDS 凱創(chuàng ) DDR2 DRAM
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