SK海力士推出全球首款DDR5 DRAM

SK海力士宣布推出全球首款DDR5 DRAM。DDR5是新一代DRAM標準，此次SK海力士推出的DDR5 DRAM作為超高速、高容量產(chǎn)品，尤其適用于大數據、人工智能、機器學(xué)習等領(lǐng)域。      
  圖1. SK海力士推出1y納米級DDR5 DRAM    

 
  圖2. SK海力士推出1y納米級DDR5 DRAM          

SK海力士于2018年11月成功開(kāi)發(fā)全球首款16Gb DDR5 DRAM之后，向英特爾等核心客戶(hù)提供樣品，并完成了一系列測試與性能、兼容性驗證等程序。此番成果意味著(zhù)SK海力士在即將到來(lái)的DDR5市場(chǎng)隨時(shí)能夠銷(xiāo)售相關(guān)產(chǎn)品。

期間，SK海力士與SoC¹⁾（System On Chip）開(kāi)發(fā)公司等不同企業(yè)共同運營(yíng)現場(chǎng)分析研究室，并通過(guò)共同執行系統級別測試（System Level Test）及各種模擬測試完成了新產(chǎn)品的性能驗證。與此同時(shí)，SK海力士還與諸多公司緊密合作，進(jìn)行了包括RCD²⁾（Register Clock Driver）、PMIC³⁾（Power Management IC）等構成模組的主要部件的兼容性驗證。

SK海力士推出的DDR5 DRAM的數據傳輸速率高達4,800 ~  5,600Mbps，其速率相較前一代DDR4最多提升了1.8倍。5,600Mbps的傳輸速率意味著(zhù)能夠在1秒內傳輸九部全高清（Full-HD,  FHD）電影。不僅如此，該產(chǎn)品的動(dòng)作電壓由前一代的1.2V降到了1.1V，成功減少了20%的功耗。

SK海力士DDR5 DRAM的另一個(gè)顯著(zhù)特征是其芯片內置型錯誤糾正代碼（Error Correction Code,  ECC）；內置ECC能夠依靠自身功能修復DRAM單元（cell）單字節單位的錯誤。有助于該特性，采用SK海力士DDR5  DRAM的系統的可信賴(lài)度有望提升二十倍。若與硅通孔（Through Silicon Via,  TSV）技術(shù)相結合，更能夠組成容量高達256GB的高容量模組。

SK海力士期待這種低功耗、高信賴(lài)度且綠色環(huán)保的DDR5 DRAM將幫助數據中心降低其功耗及運營(yíng)成本。

英特爾數據平臺部門(mén)（Data Platforms Group）的Carolyn Duran副總裁（Vice  President）表示：“為了樹(shù)立基于JEDEC標準的初期結構概念（early architecture  concept）并完成DDR5標準規格的開(kāi)發(fā)，英特爾與SK海力士維持了緊密的合作關(guān)系。雙方為了確保產(chǎn)品性能，進(jìn)行了試制產(chǎn)品的設計、驗證；這意味著(zhù)兩家公司已經(jīng)做好了滿(mǎn)足客戶(hù)需求的準備?！?/p>

吳鐘勛SK海力士副社長(cháng)兼首席營(yíng)銷(xiāo)官（Chief Marketing Officer, CMO）則表示：“SK海力士成功推出世界首款DDR5  DRAM，得以在DRAM市場(chǎng)占據未來(lái)技術(shù)優(yōu)勢。我公司將重點(diǎn)瞄準快速成長(cháng)的高端服務(wù)器市場(chǎng)，進(jìn)一步鞏固在服務(wù)器DRAM領(lǐng)域擁有的領(lǐng)先地位?！?/p>

固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì )（Joint Electron Device Engineering Council，JEDEC）于2020年7月正式發(fā)布了DDR5 DRAM的標準規格。

而市場(chǎng)調研機構Omdia分析指出，對DDR5的市場(chǎng)需求將從2020年開(kāi)始逐步顯現；其市占率將在2022年占整個(gè)DRAM市場(chǎng)的10%，2024年則將進(jìn)一步擴大至43%。

新思科技（Synopsys），瑞薩（Renesas），瀾起科技（Montage Technology），Rambus等企業(yè)也紛紛表示將為了打造DDR5生態(tài)圈而保持緊密合作關(guān)系。

負責IP營(yíng)銷(xiāo)與戰略的John  Koeter新思科技高級副總裁指出：“通過(guò)與SK海力士的合作，新思科技將為需要超高速、高容量存儲器的高性能計算（High Performance  Computing, HPC）SoC提供高信賴(lài)度的DDR5解決方案。新思科技通過(guò)SK海力士的DDR5  RDIMM模組，在最大傳輸速率6,400Mbps的環(huán)境下完成了‘DesignWare DDR5/4  IP’的驗證，這意味著(zhù)將設計者的風(fēng)險最小化的同時(shí)，能夠實(shí)現數據密集型的高性能SoC?！?/p>

Rami Sethi瑞薩副總裁兼數據中心業(yè)務(wù)部門(mén)（Data Center Business Division）總經(jīng)理（General  Manager）表示：“瑞薩在過(guò)去二十年作為倡導存儲器接口市場(chǎng)的企業(yè)，對與諸多合作公司及客戶(hù)建立的合作關(guān)系感到十分自豪。通過(guò)此番與SK海力士的緊密合作，瑞薩成功完成了涉及服務(wù)器、客戶(hù)、內置系統等諸多應用領(lǐng)域的DDR5  DRAM產(chǎn)品的驗證?！?/p>

負責銷(xiāo)售與經(jīng)營(yíng)開(kāi)發(fā)（Sales and Business Development）的Geof  Findley瀾起科技副總裁則表示：“我們非常高興能夠與SK海力士為了打造DDR5存儲器生態(tài)圈而相互合作。瀾起科技在早期DDR存儲器萌芽之際就已經(jīng)與SK海力士展開(kāi)了合作關(guān)系，我公司承諾持續提供高性能、低能耗的存儲器接口解決方案。目前，瀾起科技能夠提供涵蓋不同領(lǐng)域的全方位DRAM模組接口產(chǎn)品，很高興能夠再次與SK海力士合作，為DDR5市場(chǎng)的加速發(fā)展添一份力?！?/p>

Chien-Hsin Lee Rambus副總裁兼集成電路部門(mén)（Integrated  Circuits）總經(jīng)理認為：“我們非常高興在實(shí)現下一代新技術(shù)等領(lǐng)域與SK海力士合作，進(jìn)而為營(yíng)造DDR5生態(tài)圈貢獻。我們相信，采用全新存儲器接口的DDR5  DRAM模組將幫助提升服務(wù)器性能，并滿(mǎn)足需要高容量、高帶寬存儲器的數據中心市場(chǎng)的需求?！?/p>