受華為斷供影響，DRAM 十月份價(jià)格暴跌 9％

11月1日消息 據韓媒 The Lec 今日報道，今年十月份，DRAM 和 NAND 價(jià)格遭遇集體暴跌。分析師認為，這是由于美國對華為的制裁所致，這加劇了存儲芯片市場(chǎng)價(jià)格的下跌。

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據市場(chǎng)研究公司 DRAM Exchange 上個(gè)月 30 日的統計，截至 10 月底，PC DRAM（DDR4 8Gb）的固定交易價(jià)格為 2.85 美元，相比 9 月份的交易價(jià)格下降 8.9%。

這與八月和九月連續第二個(gè)月保持平穩的情況形成了對比，就 NAND 閃存而言，128GB 存儲卡和用于 USB 的多層單元存儲（MLC）產(chǎn)品在 10 月份的固定交易價(jià)格為 4.2 美元，與九月份相比下降了 3.4%。這也是今年 NAND 固定交易價(jià)格中最低的一次。

7 月份 DRAM 價(jià)格下降了 5%。分析師認為這是由于上半年的新冠疫情對 PC 和服務(wù)器的影響，且主要半導體公司的庫存卻一直增加。

市場(chǎng)研究公司 TrendForce 預測，PC DRAM 的供應過(guò)剩情況將一直持續到年底。此外，預計在美國對華為實(shí)施制裁后，PC DRAM（ASP）的平均售價(jià)將在今年第四季度下降 10%。今年第三季度，也就是華為在被制裁之前已進(jìn)行了大筆采購以積累庫存，這一行為變相拉動(dòng)了庫存流出而延緩了降價(jià)的時(shí)間點(diǎn)。

此外，三星電子在 29 日召開(kāi)的電話(huà)會(huì )議上表示，“盡管筆記本電腦和手機的需求強勁，但第四季度的內存需求仍將隨著(zhù)客戶(hù)庫存調整而持續減弱?！?/p>

Trend Force 分析師認為，NAND 是受華為影響相對較小的市場(chǎng)，由于國內（韓國）對 5G 網(wǎng)絡(luò )的需求增加，以及通信網(wǎng)絡(luò )產(chǎn)品的銷(xiāo)售增長(cháng)，NAND 價(jià)格并未出現大幅下降的現象。

此外，預計明年上半年內存市場(chǎng)將出現反彈。由于主要數據中心公司的投資有所增加，明年對 DRAM 的需求預計將增長(cháng) 20%。

根據國際半導體設備和材料協(xié)會(huì )（SEMI）的數據，在明年對存儲半導體的需求推動(dòng)下，相關(guān)設備的投資預計將達到 312 億美元，比今年增長(cháng) 18%。三星電子還宣布，它將通過(guò)在明年對半導體設施的投資超過(guò)今年（28.900 萬(wàn)億韓元）的投資來(lái)滿(mǎn)足更高需求。