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lpddr5x dram 文章 進(jìn)入lpddr5x dram技術(shù)社區
DRAM內存可能被淘汰 PRAM才是正道
- 4月19日消息，據國外媒體報道，英特爾日前表示，其所開(kāi)發(fā)的相變隨機存取存儲器（PRAM）有潛力取代當前的DRAM（動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器）。 在日前于北京召開(kāi)的“英特爾信息技術(shù)峰會(huì )（IDF）”上，英特爾首席技術(shù)官Justin Rattner展示了新型PRAM內存，并表示，PRAM有潛力取代當前的DRAM。 Rattner還稱(chēng)，英特爾開(kāi)發(fā)PRAM已經(jīng)有十年的歷史了。據悉，PRAM是一種非易失性的內存產(chǎn)品，它集DRAM內存的高速存取，以及閃存在關(guān)閉電源后保留數據的特性為一體，因此被業(yè)界視為未來(lái)D
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4月DRAM合約價(jià)格繼續下滑 已突破生產(chǎn)商成本
- 據臺灣集邦科技公司（DRAMeXchange Technology Inc.）周二公布的數據，4月上旬DRAM內存價(jià)格繼續下滑，而且已經(jīng)降到了多數制造商的生產(chǎn)成本以下。 據IDG新聞社報道，運營(yíng)著(zhù)一個(gè)在線(xiàn)DRAM市場(chǎng)的集邦科技稱(chēng)，最常用的DRAM內存，即512Mb 667MHz DDR2的合約價(jià)格4月又下降了16.7％，每芯片價(jià)格已經(jīng)降至2.50美元。 大約有四分之三的DRAM芯片均通過(guò)DRAM制造商和主要的PC制造商（如戴爾和惠普）之間簽署的合約進(jìn)行買(mǎi)賣(mài)。最新的報價(jià)來(lái)自4月上旬的合約價(jià)格，它們顯示出DR
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4月DRAM合約價(jià)格繼續下滑 已突破生產(chǎn)商成本
- 4月11日消息，據臺灣集邦科技公司(DRAMeXchange Technology Inc.)周二公布的數據，4月上旬DRAM內存價(jià)格繼續下滑，而且已經(jīng)降到了多數制造商的生產(chǎn)成本以下。 據IDG新聞社報道，運營(yíng)著(zhù)一個(gè)在線(xiàn)DRAM市場(chǎng)的集邦科技稱(chēng)，最常用的DRAM內存，即512Mb 667MHz DDR2的合約價(jià)格4月又下降了16.7%，每芯片價(jià)格已經(jīng)降至2.50美元。 大約有四分之三的DRAM芯片均通過(guò)DRAM制造商和主要的PC制造商(如戴爾和惠普)之間簽署的合約進(jìn)行買(mǎi)賣(mài)。最新的報價(jià)來(lái)
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揚長(cháng)補短發(fā)展FeRAM
- 存儲器在半導體行業(yè)就是一塊萬(wàn)能膏藥，或者嵌入到SoC里或者當做單獨的存儲元件，有數據計算和程序存儲的要求就有它的用武之地。當前的主流半導體存儲器可以簡(jiǎn)單的分成易失性和非易失性?xún)刹糠?，它們各有所長(cháng)，應用領(lǐng)域也因這一特性而是涇渭分明。 易失性的存儲器包括靜態(tài)存儲器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲器DRAM，SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會(huì )失去保存的數據，但是RAM 類(lèi)型的存儲器易于使用、性能好。非易失性存儲器在掉電的情況下并不會(huì )丟失所存儲的數據。然而所有的主流的非易失性存儲器均源自于ROM（只讀存儲器）技術(shù)，包
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印度半導體離中國還很遠
- 29年前,美國愛(ài)達荷州,三個(gè)年輕人在一間牙醫診所的倉庫里,無(wú)意中開(kāi)始了一個(gè)名叫DRAM的芯片設計生意。發(fā)展到今天,便是年銷(xiāo)售額高達52.6億美金的半導體企業(yè)——美光公司。 3月21日,美光正式啟動(dòng)了其在中國投資的第一家制造工廠(chǎng)。這座位于西安高新技術(shù)開(kāi)發(fā)區的封裝測試廠(chǎng),總投資2.5億美金。 美光公司總裁兼首席執行官史蒂夫•阿普爾頓(Steve R. Appleton)在該項目啟動(dòng)典禮間隙,接受了本報記者專(zhuān)訪(fǎng)。這位年輕的CEO是個(gè)典型的冒險家,擁有多架私人表演式飛機,喜歡在空中做俯沖動(dòng)作。
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美光科技公司在中國啟動(dòng)新制造工廠(chǎng)
- 2007年3月21日, 中國西安 - 美光科技公司今天正式宣布在西安啟動(dòng)一家新的制造工廠(chǎng)。這家工廠(chǎng)是美光公司在中國的第一家制造工廠(chǎng)，它將主要負責生產(chǎn)DRAM、NAND閃存和CMOS圖像傳感器在內的半導體產(chǎn)品的封裝測試?！ 榇?，美光公司舉行了西安工廠(chǎng)的落成儀式，參加儀式的有政府官員和行業(yè)代表。這家工廠(chǎng)預計將于2008年底全部建成，總投資將達到2.5億美元，所需員工超過(guò)2000名。該工廠(chǎng)是美光公司在亞洲的第二家封裝測試工廠(chǎng)，其第一家封裝測試工廠(chǎng)于1998年在新
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DRAM 8英寸線(xiàn)趨減 IC制造須理性突圍
- DRAM 8英寸線(xiàn)將逐漸退出 隨著(zhù)半導體工藝制程技術(shù)的進(jìn)步，90納米及以下制程產(chǎn)品的比重增大以及12英寸硅片的優(yōu)越性逐漸擴大，首先在競爭最激烈的存儲器制造中呈現。 臺灣力晶半導體的黃崇仁表示，2006年是轉折點(diǎn)，DRAM中的8英寸芯片性?xún)r(jià)比已不具有優(yōu)勢，一批較早的8英寸芯片廠(chǎng)，已無(wú)法采用0.11微米工藝來(lái)制造512Mb的DDR2存儲器。 臺灣拓璞產(chǎn)業(yè)研究所最近發(fā)表的看法認為，五大集團三星、美光、海力士、英飛凌及爾必達主導了全球的DRAM業(yè)，全球DRAM(動(dòng)態(tài)隨機存儲器)應用中，有
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DRAM 8英寸生產(chǎn)線(xiàn)趨減 IC制造須理性突圍
- 推動(dòng)全球半導體工業(yè)進(jìn)步的兩個(gè)輪子，一個(gè)是縮小特征尺寸，另一個(gè)是增大硅片直徑，通?？偸且圆粩嗟乜s小特征尺寸為先。如今，全球正進(jìn)入12英寸，65納米芯片生產(chǎn)線(xiàn)的興建高潮，業(yè)界正在為何時(shí)進(jìn)入18英寸硅片生產(chǎn)展開(kāi)可行性討論。在此前提下，業(yè)界關(guān)心全球8英寸芯片生產(chǎn)線(xiàn)的現狀，以及何時(shí)將退出歷史舞臺?？v觀(guān)全球半導體業(yè)發(fā)展的歷史過(guò)程，進(jìn)入8英寸硅片時(shí)代約于1997年。通常每種硅片的生存周期在20年左右，所以8英寸硅片目前仍處于平穩發(fā)展時(shí)段，顯然90納米及65納米產(chǎn)品已開(kāi)始上升。 &
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奇夢(mèng)達與南亞科技獲75納米DRAM技術(shù)驗證
- 奇夢(mèng)達公司和南亞科技公司宣布已成功獲得75納米 DRAM 溝槽式(Trench)技術(shù)之驗證，最小之制程尺寸為70納米, 第一個(gè)75納米之產(chǎn)品將為512Mb DDR2 內存芯片。此項新的技術(shù)平臺和產(chǎn)品是雙方共同在德國德累斯頓(Dresden) 和慕尼黑(Munich)的奇夢(mèng)達開(kāi)發(fā)中心所開(kāi)發(fā)的。目前已經(jīng)在奇夢(mèng)達的德累斯頓十二吋廠(chǎng)生產(chǎn)線(xiàn)開(kāi)始此項新一代 DRAM技術(shù)之試產(chǎn)。 負責奇夢(mèng)達的市場(chǎng)和運作，也是管理委員會(huì )的委員之一的賽佛(Thomas&
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因PC需求激增 DRAM庫存下降至新低位
- iSuppli表示， DRAM芯片生產(chǎn)商的庫存量已下降至20個(gè)月來(lái)最低水準，因開(kāi)學(xué)季帶動(dòng)個(gè)人電腦銷(xiāo)售增長(cháng)?！?nbsp; 這家美國研究機構預期本月庫存量將持續下降，并在報告中調升短期DRAM市況評等，由原先的“中性”升至“正向”?！ ?nbsp; iSuppli在9月5日發(fā)表的報告中指出，8月初時(shí)，DRAM庫存為1.92周，較7月的平均水準下降18%，因新學(xué)年開(kāi)始前，PC銷(xiāo)售大幅增加?！?nbsp; 由于微處理器
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05年DRAM芯片銷(xiāo)售排名三星仍保持冠軍
- 據著(zhù)名市場(chǎng)調研機構 Gartner 公司最新公布的調查數據顯示，2005年全球DRAM儲存芯片的銷(xiāo)售收入比上年下滑了5%為250億美元，2004年全球DRAM儲存芯片的銷(xiāo)售收入為263億美元。在全球DRAM 儲存芯片行業(yè)銷(xiāo)售收入比2004年下滑5%的不利環(huán)境下，中國臺灣南亞科技公司（Nanya）和日本最大的DRAM儲存芯片制造商爾必達公司（Elpida）是全球最高前六個(gè)公司中銷(xiāo)售收入實(shí)現了增長(cháng)的公司。 調研公司表示，盡管這是自2001年以后DRAM儲存芯片
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ST推出內置DRAM存儲器的微控制器
- 意法半導體（ST）日前公布了一款針對無(wú)線(xiàn)基礎設施設備開(kāi)發(fā)的多用途微控制器的細節。這個(gè)代號為"GreenFIELD"、產(chǎn)品編號為STW21000的新芯片整合了ARM926EJ-S 330 MIPS RISC處理器核心、16Mbit片上eDRAM內存、eFPGA（嵌入式現場(chǎng)可編程邏輯門(mén)陣列）模塊以及各種模擬和數字外設。GreenFIELD-STW21000是ST無(wú)線(xiàn)基礎設施產(chǎn)品部發(fā)布的第二款先進(jìn)的系統芯片產(chǎn)品。 GreenFI
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lpddr5x dram介紹
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對lpddr5x dram的理解，并與今后在此搜索lpddr5x dram的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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