EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
lpddr5x dram
lpddr5x dram 文章 進(jìn)入lpddr5x dram技術(shù)社區
全球半導體廠(chǎng)商逆勢擴張 市場(chǎng)競爭白熱化
- 世界經(jīng)濟蕭條和半導體價(jià)格下跌讓全球半導體市場(chǎng)陰云密布。世界半導體企業(yè)自去年起在虧損狀態(tài)下進(jìn)行了一輪意在“置對手于死地”的攻擊性投資。有分析認為,世界排名第5的德國DRAM廠(chǎng)商奇夢(mèng)達等部分企業(yè)最近面臨嚴重危機,隨著(zhù)產(chǎn)業(yè)結構進(jìn)入重新洗牌階段,半導體價(jià)格已跌至谷底。 半導體產(chǎn)業(yè)的危機已達到頂點(diǎn) 最近,半導體行業(yè)面臨著(zhù)前所未有的危機。尤其
- 關(guān)鍵字: 半導體 NAND DRAM 奇夢(mèng)達
富通微電與南亞簽署協(xié)議 了結芯片專(zhuān)利糾紛
- 據道瓊斯通訊社報道,南通富士通微電子股份有限公司(Nantong Fujitsu Microelectronics Co., 簡(jiǎn)稱(chēng):富通微電)和南亞科技(Nanya Technology Corp., )周二表示,雙方簽署了一份專(zhuān)利許可協(xié)議,以解決雙方圍繞動(dòng)態(tài)隨機存儲器(Dynamic Random Access Memory, DRAM芯片)的專(zhuān)利糾紛。 兩公司發(fā)表聯(lián)合公告表示,根據協(xié)議,南通富士通微電子股份有限公司母公司富士通(Fujitsu Ltd., )將撤回要求法院禁止南亞科技DRAM
- 關(guān)鍵字: 富士通 南亞科技 存儲器 DRAM 專(zhuān)利
奇夢(mèng)達為PS3計算機娛樂(lè )系統量產(chǎn)Rambus XDR DRAM
- 奇夢(mèng)達公司與專(zhuān)精于高速內存架構的全球領(lǐng)先的技術(shù)授權公司Rambus共同宣布奇夢(mèng)達已開(kāi)始為PLAYSTATION 3(PS3)計算機娛樂(lè )系統量產(chǎn)出貨XDR DRAM. 奇夢(mèng)達的第一批512 Mb XDR DRAM樣本已于2008年1月開(kāi)始出貨。 XDR內存解決方案拓展了奇夢(mèng)達的利基型內存(specialty RAM portfolio)產(chǎn)品布局,能滿(mǎn)足全球快速成長(cháng)的計算機和消費電子產(chǎn)品市場(chǎng)對高效能及高頻寬的應用需求。 XDR內存架構能支持高容量且具有成本競爭力的應用。奇夢(mèng)達XDR DRAM
- 關(guān)鍵字: 奇夢(mèng)達 DRAM Rambus 內存
臺灣力晶半導體或推遲新工廠(chǎng)設備安裝
- 臺灣力晶半導體表示,由于晶片價(jià)格下跌,公司很可能推遲兩家新12英寸晶片廠(chǎng)的設備安裝。 綜合外電8月27日報道,力晶半導體股份有限公司(5346.OT)發(fā)言人譚仲民27日表示,由于晶片價(jià)格下跌,公司很可能推遲兩家新12英寸晶片廠(chǎng)的設備安裝。以收入計,力晶半導體是臺灣最大的動(dòng)態(tài)隨機存儲器(DRAM)晶片生產(chǎn)商。 力晶半導體原計劃于2009年第三季度臺灣北部新竹的兩家工廠(chǎng)建設完工后開(kāi)始安裝新設備。 譚仲民稱(chēng),由于市場(chǎng)狀況較差,目前看來(lái)公司可能會(huì )在2009年第四季度或2010年年初開(kāi)始安裝設
- 關(guān)鍵字: 力晶 半導體 晶片 12英寸 DRAM
日本對現代半導體征收反補貼關(guān)稅降為9.1%
- 當地時(shí)間本周五,路透社披露消息稱(chēng),日本計劃削減韓國儲存芯片廠(chǎng)商現代半導體在日本銷(xiāo)售DRAM芯片征收反補貼關(guān)稅。 媒體援引日本經(jīng)濟、貿易和工業(yè)部提供的消息報道說(shuō),日本收取的進(jìn)口反補貼關(guān)稅將從最初的27.2%削減為9.1%。 數年來(lái),美國、歐盟和日本以?xún)Υ嫘酒偁幷咛岢霰г篂槔碛?,對現代半導體和它的DRAM芯片征收了不同比例的關(guān)稅。抱怨者聲稱(chēng)韓國政府向現代半導體提供了不公平的補貼,制約了市場(chǎng)的公平競爭。 今年三月,歐盟委員會(huì )正式采納了一項決定,取消進(jìn)口現代半導體DRAM儲存芯片的反補貼關(guān)
- 關(guān)鍵字: 儲存 半導體 DRAM 日本 關(guān)稅
此消彼長(cháng) 全球半導體投資格局風(fēng)移亞洲
- 受半導體銷(xiāo)售增長(cháng)放緩的影響,全球半導體投資緊縮。 據美國半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )(SIA)的消息,由于內存IC產(chǎn)業(yè)的拖累,預計2008年半導體銷(xiāo)售增長(cháng)放緩,但整體半導體銷(xiāo)售額將在2011年以前保持強勁增長(cháng)。 市場(chǎng)調研機構Gartner公司最近發(fā)布報告,稱(chēng)由于受到美國經(jīng)濟低迷和DRAM芯片市場(chǎng)拖累,預計2008年全球半導體廠(chǎng)商支出將下降19.8%,達475億美元。預計今年DRAM市場(chǎng)支出將減少47%,而整個(gè)存儲芯片市場(chǎng)費用支出將減少29。Gartner還稱(chēng),預計今年全球用于芯片設備制造開(kāi)支將減
- 關(guān)鍵字: 半導體 IC產(chǎn)業(yè) DRAM Numonyx
三星上半年閃存產(chǎn)品銷(xiāo)量居全球第一
- 新華網(wǎng)首爾8月20日電 韓國三星電子公司19日宣布,公司上半年閃存產(chǎn)品銷(xiāo)量位列全球第一。 三星公司援引市場(chǎng)研究公司iSuppli日前發(fā)表的一份報告稱(chēng),今年1至6月份,三星閃存產(chǎn)品銷(xiāo)售額達75.1億美元,占全球閃存市場(chǎng)的30%。 韓國海力士半導體公司位列第二,全球市場(chǎng)份額為13%,美國米克倫技術(shù)公司和日本的爾必達內存公司分列第三、第四位,市場(chǎng)份額分別為8%和7%。 三星的成功主要源自NAND閃存產(chǎn)品的暢銷(xiāo),第二季度該類(lèi)產(chǎn)品銷(xiāo)售額達14.2億美元,占當季全球NAND閃存銷(xiāo)售的42.3%,
- 關(guān)鍵字: 三星 閃存 NAND DRAM
三星上半年閃存產(chǎn)品銷(xiāo)量居全球第一
- 新華網(wǎng)首爾8月20日電 韓國三星電子公司19日宣布,公司上半年閃存產(chǎn)品銷(xiāo)量位列全球第一。 三星公司援引市場(chǎng)研究公司iSuppli日前發(fā)表的一份報告稱(chēng),今年1至6月份,三星閃存產(chǎn)品銷(xiāo)售額達75.1億美元,占全球閃存市場(chǎng)的30%。 韓國海力士半導體公司位列第二,全球市場(chǎng)份額為13%,美國米克倫技術(shù)公司和日本的爾必達內存公司分列第三、第四位,市場(chǎng)份額分別為8%和7%。 三星的成功主要源自NAND閃存產(chǎn)品的暢銷(xiāo),第二季度該類(lèi)產(chǎn)品銷(xiāo)售額達14.2億美元,占當季全球NAND閃存銷(xiāo)售的42.3%,
- 關(guān)鍵字: 三星 半導體 DRAM NAND
2008年全球芯片與電子設備市場(chǎng)放緩
- 消費者已感受到經(jīng)濟增長(cháng)放緩的壓力,全球半導體與電子設備供應商也是如此。據iSuppli公司,這些廠(chǎng)商在2008年面臨需求增長(cháng)放慢的局面。 在全球電子設備市場(chǎng)中,六大領(lǐng)域中的五個(gè)預計2008年增長(cháng)率將低于2007年,這五個(gè)領(lǐng)域是:電腦,工業(yè)設備,汽車(chē)設備、有線(xiàn)通訊和無(wú)線(xiàn)通訊。這種全面放緩將導致2008年全球所有類(lèi)型電子設備的OEM營(yíng)業(yè)收入增長(cháng)率降至5.9%,低于2007年時(shí)的7%。iSuppli公司以前預測2008年增長(cháng)率為6.6%。 這將對半導體銷(xiāo)售產(chǎn)生負面影響。預計2008年
- 關(guān)鍵字: OEM 半導體 電子設備 手機 AMD DRAM
全球半導體市場(chǎng):上半年觸底,下半年反彈
- SIA發(fā)表研究報告指出,因受DRAM和內存市場(chǎng)疲軟的影響,2008年全球半導體市場(chǎng)銷(xiāo)售額將為2666億美元,全年市場(chǎng)的增幅為4.3%。2009年增長(cháng)率在6.0%以上,達2832億美元。2010年增長(cháng)8.4%,達到3070億美元。到2011年增幅回落到6%,達到3241億美元。 IC Insights指出,2008年半導體廠(chǎng)平均產(chǎn)能利用率預計達到90%以上,而2007年的水平僅為89%。2008年集成電路的出貨量預計比2007年增加8%左右。 iSuppli表示,模擬芯片在未來(lái)五年內
- 關(guān)鍵字: DRAM 半導體 IC Insights 德州儀器
半導體:前景依然看好 設備業(yè)表現堅挺
- 時(shí)光飛逝,轉眼2008年已過(guò)大半,對半導體業(yè)而言,7月底是個(gè)坎。大部分公司的季度財報公布后是有人歡喜,有人愁。如果認真地收集資料,再加以綜合分析,我們從中能看出些半導體業(yè)前景的端倪。 半導體設備業(yè)幸存者少毛利率高 全球著(zhù)名的市場(chǎng)分析公司Gartner(高德納)最近調低了2008年半導體生產(chǎn)設備的銷(xiāo)售額預期,由447億美元下降到355億美元,下降幅度達20.6%,這也是近期少見(jiàn)的大震蕩。 競爭力維持高毛利率 SEMI(國際半導體設備與材料協(xié)會(huì ))總裁兼首
- 關(guān)鍵字: 半導體 Gartner 晶圓 芯片制造 工藝集成 IC DRAM
半導體廠(chǎng)商收入排行榜 幾家歡喜幾家愁
- 市場(chǎng)調查公司IC Insights公布最新統計數據顯示,今年一至六月份期間,在全球半導體廠(chǎng)商銷(xiāo)售收入排名中,英特爾以1750億美元的收入仍然保持全球第一。它的競爭者AMD以28.5億美元的收入下滑為第十五名。 調查公司表示,今年前半年,全球半導體市場(chǎng)的銷(xiāo)售收入比去年同期增長(cháng)6%,前20家半導體廠(chǎng)商的收入同比增長(cháng)了10%。銷(xiāo)售收入至少達到21億美元的廠(chǎng)商才能夠入圍前20家名單。在全球最高20家半導體提供商中(包括無(wú)工廠(chǎng)模式半導體廠(chǎng)商),美國公司占八家,日本占六家,三家歐洲公司和二家韓國公司,
- 關(guān)鍵字: 英特爾 半導體 手機芯片 電子制造商 DRAM
DRAM過(guò)剩為DDR3內存加速普及帶來(lái)良機
- 據國外媒體報道,人們現在可以歡呼DRAM內存芯片的供過(guò)于求,雖然它影響了一些公司和它們的庫存產(chǎn)品價(jià)格。從積極的角度看,較低的內存價(jià)格正在刺激電腦制造商在新機器上安裝更多DRAM芯片,同時(shí)將促使DRAM制造商加快推出速度更快和更先進(jìn)的第三代內存芯片。 全球最大DRAM制造商三星電子公司相信,內存價(jià)格下跌將加快業(yè)界采用更大字節容量DRAM芯片的步伐,其速度將大大超過(guò)以往。就在三個(gè)月前,三星公司曾表示,由于價(jià)格疲弱,電腦標配內存已從512M變成了1G。 目前,主流DRAM芯片為1G字
- 關(guān)鍵字: DRAM DD2 DDR3 電腦組件
臺灣內存雙雄同時(shí)宣布暫緩擴產(chǎn)
- 臺灣最大兩家內存芯片生產(chǎn)商日前均表示,行業(yè)的下滑趨勢讓他們缺乏現金,維持將推遲原定的擴產(chǎn)計劃。 力晶半導體(Powerchip)不但是臺灣最大的動(dòng)態(tài)隨機存儲芯片(DRAM)生產(chǎn)商,也是業(yè)內最積極興建新廠(chǎng)的廠(chǎng)商之一,但近日卻表示將把今年的資本投資額從新臺幣340億元(約11億美元)下調至240億元。與此同時(shí),其對手南亞科技也預計今年的資本支出額會(huì )從原來(lái)預測的新臺幣300億元減少至230億元。 由于內存芯片價(jià)格持續下滑,兩家公司已經(jīng)連續五個(gè)季度錄得凈虧損。這種下滑趨勢對一些內存芯片
- 關(guān)鍵字: 內存 臺灣 Powerchip DRAM 南亞科技
lpddr5x dram介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條lpddr5x dram!
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對lpddr5x dram的理解,并與今后在此搜索lpddr5x dram的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對lpddr5x dram的理解,并與今后在此搜索lpddr5x dram的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
