DRAM 8英寸線(xiàn)趨減 IC制造須理性突圍

　　DRAM 8英寸線(xiàn)將逐漸退出

　　隨著(zhù)半導體工藝制程技術(shù)的進(jìn)步，90納米及以下制程產(chǎn)品的比重增大以及12英寸硅片的優(yōu)越性逐漸擴大，首先在競爭最激烈的存儲器制造中呈現。

　　臺灣力晶半導體的黃崇仁表示，2006年是轉折點(diǎn)，DRAM中的8英寸芯片性?xún)r(jià)比已不具有優(yōu)勢，一批較早的8英寸芯片廠(chǎng)，已無(wú)法采用0.11微米工藝來(lái)制造512Mb的DDR2存儲器。

　　臺灣拓璞產(chǎn)業(yè)研究所最近發(fā)表的看法認為，五大集團三星、美光、海力士、英飛凌及爾必達主導了全球的DRAM業(yè)，全球DRAM(動(dòng)態(tài)隨機存儲器)應用中，有55%用于PC中。預計2007年臺式機中存儲器用量將增加46%;而筆記本中將增加63%；服務(wù)器中將增加47%;而消費電子產(chǎn)品及手機中也分別有56%及69%的增長(cháng)。所以，2007年DRAM總需求將有57.4%的增長(cháng)。但在供給方面，2007年中DRAM的8英寸芯片生產(chǎn)線(xiàn)的自然淘汰率將占20%至30%，其中有的8英寸線(xiàn)升級至12英寸或者改成其他用途。

　　不同品種有其相應的特征尺寸及生存周期，完全由市場(chǎng)來(lái)決定,目前DRAM已進(jìn)入80納米量產(chǎn)時(shí)代，而模擬電路中0.18微米仍是國際先進(jìn)水平。所以各種不同的硅片尺寸都有其相應的生存之道，但是大尺寸硅片逐步取代小尺寸是自然規律。如右圖所示。

　　中國芯片制造仍在初級階段

　　自華虹NEC在中國建成第一個(gè)8英寸生產(chǎn)線(xiàn)至今，中國芯片產(chǎn)業(yè)正在逐步成長(cháng)壯大。雖然也有中芯國際的12英寸芯片生產(chǎn)線(xiàn)以及全國8英寸硅片的產(chǎn)能規模已達每月30萬(wàn)片以上，但是從總體看，產(chǎn)業(yè)的水平仍處在初級階段，其現狀如下：

 
　　有12英寸及90納米的代工能力，但至少落后于臺積電等世界一流代工企業(yè)一年以上。目前在高端產(chǎn)品代工方面仍以標準型存儲器為主。而在邏輯電路代工方面，由于90納米技術(shù)進(jìn)展緩慢，加上缺乏頂級fabless公司的大訂單，造成新建12英寸的產(chǎn)能擴展緩慢。

　　0.18微米及以上的代工，由于同質(zhì)化，缺乏特長(cháng)工藝能力，加上臺積電等打壓，致使硅片平均銷(xiāo)售價(jià)格下降，毛利率低，而造成企業(yè)效益不夠理想。

　　中國芯片制造業(yè)，從結構上看大部分6英寸及8英寸舊線(xiàn)的贏(yíng)利狀況較好，目前可能是全球唯一還在增建8英寸芯片生產(chǎn)線(xiàn)的地區。

　　在12英寸新線(xiàn)建設中，中國仍處在擴張的態(tài)勢，中芯國際除了在北京有Fab4之外，上海的Fab8已處于設備安裝階段，另一條武漢的中芯12英寸生產(chǎn)線(xiàn)已加快步伐，預計2007年底可能提前進(jìn)行設備安裝。但是面臨一個(gè)做什么產(chǎn)品的決策問(wèn)題，可以預計DRAM及NAND閃存是個(gè)正確的選擇。

　　目前唯一在中國大肆擴張的是無(wú)錫海力士及意法的合資存儲器廠(chǎng)，其進(jìn)展速度超出業(yè)界的預期。至2007年底擴充硅片月產(chǎn)能將為8英寸5萬(wàn)片及12英寸6萬(wàn)片，將成為中國最大的芯片制造廠(chǎng)。

　　從全球8英寸芯片廠(chǎng)范圍看，唯有中國內地還在逐年擴張，但是由于種種原因，速度已經(jīng)減緩，因此可以預計，在未來(lái)三年內，臺灣地區半導體廠(chǎng)的西移，是影響內地半導體業(yè)增長(cháng)的主要因素。但是在近時(shí)期內中國內地不太可能成為全球最大的8英寸芯片廠(chǎng)基地。 (本文作者為美國應用材料公司顧問(wèn))

　　專(zhuān)家觀(guān)點(diǎn)

　　中國芯片制造業(yè)突圍策略

　　我國半導體產(chǎn)業(yè)根本問(wèn)題是基礎薄弱，盡管近年來(lái)我國半導體產(chǎn)業(yè)在設計、制造、封裝，包括設備及材料等方面都有長(cháng)足的進(jìn)步，產(chǎn)業(yè)鏈結構逐年完善，但是缺乏品牌及世界一流的公司來(lái)支撐。為了下一步更健康地發(fā)展，提出以下一些思路，供業(yè)界探討。

　　首先，要明白建成什么樣的芯片制造業(yè)。實(shí)際上，在發(fā)展中國的芯片產(chǎn)業(yè)中，以下三點(diǎn)才是根本及生存基礎：集成電路產(chǎn)業(yè)涉及國家安全；高科技受西方國家控制；必須要做強，至少有2至3個(gè)國際一流品牌，才不致輕易被競爭對手打垮。因此，依此思路許多問(wèn)題應該能迎刃而解。如發(fā)展國產(chǎn)CPU主要為國家安全，不可能完全拿經(jīng)濟利益來(lái)考量。又如12英寸芯片生產(chǎn)線(xiàn)一定要上，但必須以企業(yè)為主體，而且國家在政策上要給予支持。在適當時(shí)候，要支持中國的芯片產(chǎn)業(yè)的兼并壯大。不能滿(mǎn)足于一條芯片生產(chǎn)線(xiàn)有3至5萬(wàn)片月產(chǎn)能。再如從國家利益出發(fā)，扶植1至2家企業(yè)搞IDM模式也很有必要。

　　其次，要改善芯片自給率。要把改善芯片自給率作為芯片產(chǎn)業(yè)的一個(gè)重要目標來(lái)考核，同時(shí)國家要有相應的政策與措施配合。近年來(lái)雖然芯片產(chǎn)業(yè)從數量上增加迅速，但是芯片自給率的改善并不能讓人滿(mǎn)意。

　　第三，正確認識來(lái)自臺灣地區的影響。中國內地半導體工業(yè)己與我國臺灣地區半導體業(yè)緊密結合在一起。目前臺灣地區半導體業(yè)處于國際先進(jìn)地位：IC設計業(yè)居全球第二，代工和封裝業(yè)居全球首位，集成電路總產(chǎn)值己超過(guò)韓國居全球第三。但是臺灣島內發(fā)展半導體有先天性缺陷阻礙其進(jìn)一步成長(cháng)。主要問(wèn)題有以下四方面：市場(chǎng)??；人才短缺；電力不足；地震多。因此，向外擴展，尤其是西移內地是必然趨勢。