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2010年英特爾信息技術(shù)峰會(huì )4月首發(fā)中國北京
- 由英特爾主辦的全球IT業(yè)界高水平的技術(shù)論壇活動(dòng)——2010年英特爾信息技術(shù)峰會(huì )(Intel Developer Forum, IDF)，將于4月13至14日在北京中國國家會(huì )議中心舉行。在當前形勢下，全球IT產(chǎn)業(yè)正面臨回升復蘇，機遇和挑戰并存。本次峰會(huì )將邀請來(lái)自世界各地的IT決策者和開(kāi)發(fā)人員、英特爾技術(shù)合作伙伴、新聞媒體以及分析師到會(huì )，與英特爾資深的管理者、技術(shù)專(zhuān)家等頂尖智囊齊聚一堂，共同前瞻危機之后的技術(shù)熱點(diǎn)和創(chuàng )新趨勢，探討產(chǎn)業(yè)新的增長(cháng)機遇，以求創(chuàng )新智變、把握發(fā)展先機。
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2010年半導體產(chǎn)業(yè)資本支出預增51%
- 市場(chǎng)研究公司 ICInsights預計,今年半導體產(chǎn)業(yè)資本支出中的2/3將由支出前十位的公司包攬,包括Samsung、Intel、TSMC和Toshiba。今年支出前十位廠(chǎng)商的投資總額預計增長(cháng)67%,而產(chǎn)業(yè)整體支出增長(cháng)額預計為51%。 “如果不算Intel,排名前十中的其他9家公司支出額將增長(cháng)91%。”ICInsights總裁BillMcClean指出。然而,盡管許多公司計劃在今年將產(chǎn)能翻倍,但仍然無(wú)法阻止IC價(jià)格的上漲和供應短缺的局面發(fā)生,尤其是下半年。 Sams
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Intel將推出Atom N470上網(wǎng)本處理器 主頻將有提升
- Intel計劃下周一發(fā)布一款高頻版本的Pinetrail Atom處理器N470，這款處理器將面向上網(wǎng)本應用，處理器的頻率被提升至1.83GHz，而現有已發(fā)布的N450主頻則僅1.66GHz。當然 N470與N450除了主頻之外其余技術(shù)參數以及內部架構是完全相同的。 相比主流處理器產(chǎn)品而言，Intel的Atom處理器采用了不同的內部架構，以保證處理器功耗較低，不過(guò)也因此而導致處理器的性能相對較低，價(jià)格方面，一般Atom處理器的售價(jià)也不會(huì )超過(guò)350美元。Intel新一代Pinetrail平臺中
- 關(guān)鍵字： Intel Atom 上網(wǎng)本 處理器
英特爾籌劃20億美元創(chuàng )投資金
- 據華爾街日報(WSJ)報導，芯片大廠(chǎng)英特爾(Intel)正和創(chuàng )投公司合作，希望成立擁有20億美元資金的基金投資美國公司。 英特爾執行長(cháng)Paul Otellini于在美國華盛頓特區演講時(shí)公布此項投資計畫(huà)，該演講的部分重點(diǎn)為「在美國創(chuàng )造投資文化的必要性」；英特爾發(fā)言人則不愿評論。 知情人士表示，投資許多科技公司的英特爾正和創(chuàng )投公司商議，分配部分資金于美國企業(yè)；知情人士稱(chēng)此計畫(huà)不需另外籌資，此外，目前尚不清楚創(chuàng )投公司的反應。
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Intel欲將193nm沉浸式光刻技術(shù)延用至11nm制程節點(diǎn)
- 在本月21日舉辦的LithoVision2010大會(huì )上，Intel公司公布了其未來(lái)幾年的光刻技術(shù)發(fā)展計劃，按這份驚人的計劃顯示，Intel計劃將 193nm波長(cháng)沉浸式光刻技術(shù)延用至11nm制程節點(diǎn)，這表明他們再次后延了其極紫外光刻(EUV)技術(shù)的啟用日期。 Intel實(shí)驗室中的EUV曝光設備 根據會(huì )上Intel展示的光刻技術(shù)發(fā)展路線(xiàn)圖顯示，目前Intel 45nm制程工藝中使用的仍是193nm干式光刻技術(shù)，而32nm制程工藝則使用的是193nm沉浸式光刻技術(shù)，沉浸式光刻工具方面，Int
- 關(guān)鍵字： Intel 光刻 11nm
英特爾實(shí)驗室開(kāi)發(fā)出納米材料的儲能器
- 編者點(diǎn)評(莫大康 SEMI China顧問(wèn))：光伏發(fā)電中，除了提高效率、降低成本之外，非常關(guān)鍵的是多余電能的存儲。按傳統的蓄電池方法，占地面積太大,容量太小，很難實(shí)用化。所以國際上都在致力于電能存儲的研究。英特爾提出微型電網(wǎng)的概念，是個(gè)方向。即在局部地區內把多余的電能存儲下來(lái)，以備太陽(yáng)能不足時(shí)使用，而省略了傳輸的大量損耗。關(guān)鍵是電能存儲的經(jīng)濟性能否實(shí)現。 Intel的研究員正在開(kāi)發(fā)一種納米材料，可能用來(lái)制造比今天鋰電池存儲更多電能密度的超級電容器。如果能夠獲得成功，新材料可被大量生產(chǎn)供給發(fā)電廠(chǎng)，
- 關(guān)鍵字： Intel 太陽(yáng)能 光伏
傳Intel將發(fā)布三款Gulftown核心六核桌面處理器
- 此前我們已經(jīng)知道Intel將于今年一季度推出新款六核Gulftown核心Core i7處理器，不過(guò)最近Xbitlabs網(wǎng)站得到消息稱(chēng)Intel今年共將推出三款基于這種核心的處理器產(chǎn)品，其中主頻3.33GHz的Core i7-980X極致版將于今年一季度上市，售價(jià)999美元;而主頻3.2GHz的Core i7-970則將于今年第三季度上市，價(jià)格將比前者稍低;另外據悉今年一季度Intel還會(huì )推出另外一款極致版Gulftown產(chǎn)品(主頻可能會(huì )高于 3.33GHz)。三款產(chǎn)品均將基于LGA1366+X58平臺
- 關(guān)鍵字： Intel 處理器 Gulftown
傳Intel Sandy Bridge處理器將原生整合雙GPU
- 近日據Fudzilla的消息稱(chēng)，Intel的Sandy Bridge處理器將會(huì )在同一塊die中整合2個(gè)GPU核心。與目前Intel Clarkdale處理器中整合GPU的方式有所不同，Sandy Bridge將會(huì )把CPU和GPU整合在同一塊die之中，并且據稱(chēng)還將會(huì )一下子整合2顆GPU核心。另外，Intel還將為獨立顯卡提供PCIe X16通道，組建SLI/Crossfire多卡互聯(lián)時(shí)則為雙8X模式。 到目前為止AMD和NVIDIA兩家都尚未發(fā)布過(guò)任何在單芯片中原生整合雙GPU的產(chǎn)品，而Inte
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Intel大連晶圓廠(chǎng)今年10月投產(chǎn)
- Intel公司宣布，位于我國大連市的“Fab 68”晶圓廠(chǎng)將于今年10月份正式投入生產(chǎn)。 Fab 68工廠(chǎng)將使用65nm工藝制造芯片組產(chǎn)品，這也是Intel能在中國使用的最先進(jìn)的半導體工藝，但是Intel暫時(shí)沒(méi)有在中國制造處理器的計劃。 該工廠(chǎng)總經(jīng)理柯必杰表示：“芯片組分為兩類(lèi)，一類(lèi)用在處理器中，一類(lèi)是用于支持鼠標等電腦設備的中間件。今明兩年，65nm工藝的芯片組仍然是中間件的主流產(chǎn)品，需求量很大。” Intel大連芯片廠(chǎng)于2008年年
- 關(guān)鍵字： Intel 晶圓 65nm
Intel6系列芯片組產(chǎn)品將于明年一季度上市
- Intel下一代芯片組產(chǎn)品，用于配合下一代Sandy Bridge架構處理器的6系列芯片組將于明年1季度推出，據悉這款芯片組內將加入對SATA 6GB/s的支持。由于Sandy Bridge處理器內部已經(jīng)集成了內存控制器，GPU和部分聲卡功能，因此預計將來(lái)需要整合在6系列芯片組中的功能較少，不過(guò)目前仍不清楚Intel會(huì )否 采用單芯片組的設計. 這款芯片組的代號為Cougar Point,除了SATA 6GB/s之外,預計芯片組有可能會(huì )加入對USB3.0功能的支持.
- 關(guān)鍵字： Intel 處理器 Sandy Bridge
Intel的瘋狂 CPU上飛線(xiàn)？
- 2月5日 當地時(shí)間周三，Intel舉行了一場(chǎng)媒體會(huì )介紹他們將在下周ISSCC 2010大會(huì )上將展示的半導體新技術(shù)。除了我們剛剛介紹的32nm Westmere核心細節外，Intel還簡(jiǎn)介了一些尚處實(shí)驗室階段的未來(lái)技術(shù)。 首先是一項處理器直連技術(shù)，可以用一條導線(xiàn)直接連接兩顆處理器封裝，以低功耗提供超高傳輸帶寬。該導線(xiàn)的外觀(guān)類(lèi)似于SLI/CrossFire或筆記本中常見(jiàn)的帶狀線(xiàn)纜，內置47條數據通道，可提供470Gb/s帶寬(每秒傳輸58.8GB數據)，而功耗僅有0.7W。 Intel表示
- 關(guān)鍵字： Intel CPU
技術(shù)領(lǐng)先領(lǐng)先別無(wú)所求：Intel NAND閃存新戰略縱覽
- 在最近舉辦的一次會(huì )議上，Intel公司屬下NAND閃存集團的新任老總Tom Rampone透露了有關(guān)Intel閃存業(yè)務(wù)的一個(gè)驚人規劃，他們計劃在閃存技術(shù)和SSD產(chǎn)品市場(chǎng)上取得領(lǐng)先地位，但他們并不準備在散片NAND閃存市場(chǎng) 上扮演領(lǐng)軍人的角色?？雌饋?lái)他們并不愿意在風(fēng)水輪流轉的NAND閃存散片市場(chǎng)和三星，現代以及東芝這些廠(chǎng)商一爭高下，但于此同時(shí),他們又表現出想把三星從SSD業(yè) 務(wù)排名第一的寶座上拉下來(lái)的意圖。 Intel不準備在NAND閃存散片市場(chǎng)稱(chēng)雄的決定令人稍感驚奇，過(guò)去他們一旦進(jìn)入某個(gè)市場(chǎng)，那
- 關(guān)鍵字： Intel NAND 閃存
傳Intel Sandy Bridge架構處理器明年一季度推出
- 盡管過(guò)去Intel一直在遵守 ”tick - tock“法則定期輪番推出采用基于新制程和新架構的處理器產(chǎn)品，但這一次他們恐怕不會(huì )按照這道鐵律的規定于今年第四季度推出基于下一代Sandy Bridge架構的新處理器產(chǎn)品，據Fudzzilla網(wǎng)站從主板業(yè)者那里得到的消息顯示，Intel這款新處理器的發(fā)布日期恐怕會(huì )稍微后延到明年第一季度。 Sandy Bridge 將是現有Nehalem架構的下一代處理器架構，預計在Sandy Bridge中Intel會(huì )進(jìn)一步提升處理器的性能并
- 關(guān)鍵字： Intel Nehalem 處理器 32nm
Intel、美光宣布投產(chǎn)25nm NAND閃存
- 由Intel、美光合資組建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布，已經(jīng)開(kāi)始使用25nm工藝晶體管試產(chǎn)MLC NAND閃存芯片，并相信足以領(lǐng)先其他競爭對手長(cháng)達一年之久。IMFT公司在閃存工藝上一向非常激進(jìn)，每12-15個(gè)月便升級一次：成立之初是72nm，2008年是50nm，去年則率先達到了34nm，在業(yè)內領(lǐng)先六個(gè)月左右，也讓Intel提前搶先發(fā)布了34nm第二代X25-M固態(tài)硬盤(pán)，美光也即將推出RealSSD C300系列。IMFT生產(chǎn)的閃存芯片有49%供給In
- 關(guān)鍵字： Intel NAND 25nm
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對intel foundry的理解，并與今后在此搜索intel foundry的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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