EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
high-na euv
high-na euv 文章 進(jìn)入high-na euv技術(shù)社區
英特爾兩臺High NA EUV光刻機已投產(chǎn)，單季完成3萬(wàn)片晶圓
- 據路透社2月24日報道，英特爾資深首席工程師Steve Carson在美國在加利福尼亞州圣何塞舉行的一場(chǎng)會(huì )議上表示，英特爾已經(jīng)安裝的兩臺ASML High NA EUV光刻機正在其晶圓廠(chǎng)生產(chǎn)，早期數據表明它們的可靠性大約是上一代光刻機的兩倍。Steve Carson指出，新的High NA EUV光刻機能以更少曝光次數完成與早期設備相同的工作，從而節省時(shí)間和成本。英特爾工廠(chǎng)的早期結果顯示，High NA EUV 機器只需要一次曝光和“個(gè)位數”的處理步驟，即可完成早期機器需要三次曝光和約40個(gè)處
- 關(guān)鍵字： 英特爾 High NA EUV 光刻機 晶圓
英特爾：首批兩臺High-NA EUV 設備已投產(chǎn)
- 英特爾24日表示，ASML首批的兩臺先進(jìn)曝光機已投產(chǎn)，早期數據顯示比之前機型更可靠。英特爾資深首席工程師 Steve Carson 指出，英特爾用ASML 高數值孔徑（High NA）曝光機一季內生產(chǎn) 3 萬(wàn)片晶圓，即生產(chǎn)數千顆運算芯片的大型硅片。英特爾去年成為全球第一間接收這些設備的芯片制造商，與之前ASML設備相比，這些機器可望制造出更小、更快的運算芯片。 此舉是英特爾策略轉變，因英特爾采用上代極紫外光（EUV）曝光機時(shí)落后競爭對手。英特爾花了七年才將之前機器全面投產(chǎn)，導致領(lǐng)先優(yōu)勢被臺積電超越。 生產(chǎn)
- 關(guān)鍵字： 英特爾 High-NA EUV
EUV光刻，新的對手
- 最近，美國勞倫斯利弗莫爾國家實(shí)驗室（LLNL）宣布開(kāi)發(fā)出了一種名稱(chēng)為大孔徑銩（BAT）激光器，這種激光器比現在行業(yè)內的標準 CO2 激光器將 EUV 光源提高約 10 倍。這一進(jìn)步，可能為新一代「超越 EUV」的光刻系統鋪平道路，從而生產(chǎn)出更小、更強大、制造速度更快、同時(shí)耗電量更少的芯片。簡(jiǎn)而言之，美國開(kāi)發(fā)的新一代 BAT 激光器，遠超現在的 EUV 光刻，能夠將效率提升 10 倍。EUV 光刻有多強？目前來(lái)看，沒(méi)有 EUV 光刻，業(yè)界就無(wú)法制造 7nm 制程以下的芯片。EUV 光刻機也是歷史上最復雜、最
- 關(guān)鍵字： EUV
納米壓印光刻技術(shù)旨在挑戰EUV
- 9 月，佳能推出了這項技術(shù)的第一個(gè)商業(yè)版本，有朝一日可能會(huì )顛覆最先進(jìn)的硅芯片的制造。它被稱(chēng)為納米壓印光刻 （NIL），能夠對小至 14 納米的電路特征進(jìn)行圖案化，使邏輯芯片能夠與目前正在量產(chǎn)的 Intel、AMD 和 Nvidia 處理器相媲美。NIL 系統提供的優(yōu)勢可能會(huì )挑戰價(jià)值 1.5 億美元的機器，這些機器在當今先進(jìn)的芯片制造中占據主導地位，即極紫外 （EUV） 光刻掃描儀。如果佳能是正確的，其機器最終將以極低的成本提供 EUV 質(zhì)量的芯片。該公司的方法與 EUV 系統完全不同，后者完全由總部位于荷
- 關(guān)鍵字： 納米壓印光刻技術(shù) EUV? 佳能 新芯片制造系統
中芯沒(méi)EUV是好事？外媒爆自產(chǎn)DUV大突破
- 荷蘭芯片設備制造巨擘ASML執行長(cháng)?？耍–hristophe Fouquet）表示，盡管中國大陸企業(yè)如中芯國際近年來(lái)在半導體領(lǐng)域有顯著(zhù)進(jìn)展，但由于無(wú)法取得最先進(jìn)的極紫外光微影設備（EUV），芯片制程技術(shù)仍落后臺積電、三星等代工龍頭約10至15年。Tom's Hardware報導，?？私邮芎商m《鹿特丹商報》（NRC）采訪(fǎng)時(shí)指出，中芯國際和華為僅使用深紫外光曝光設備（DUV），在成本效益上無(wú)法與臺積電的制程技術(shù)相提并論。他認為，美國政府祭出的禁止EUV出口中國大陸禁令確實(shí)有效，讓中國落后西方約15 年
- 關(guān)鍵字： EUV DUV ASML
移遠通信高性能5G-A模組RG650V-NA通過(guò)北美兩大重要運營(yíng)商認證
- 近日，全球領(lǐng)先的物聯(lián)網(wǎng)整體解決方案供應商移遠通信宣布，其旗下符合3GPP R17標準的新一代5G-A模組RG650V-NA成功通過(guò)了北美兩家重要運營(yíng)商認證。憑借高速度、大容量、低延遲、高可靠等優(yōu)勢，該模組可滿(mǎn)足CPE、家庭/企業(yè)網(wǎng)關(guān)、移動(dòng)熱點(diǎn)、高清視頻直播等FWA應用對高速、穩定5G網(wǎng)絡(luò )的需求。移遠通信高性能5G-A模組RG650V-NA通過(guò)北美兩大重要運營(yíng)商認證此前，RG650V系列已通過(guò)了北美FCC、PTCRB以及GCF全球認證，此次再獲北美兩項認證，表明該模組已全面取得北美運營(yíng)商的認可，標志著(zhù)搭
- 關(guān)鍵字： 移遠通信 5G-A模組 RG650V-NA
ASML凈銷(xiāo)售額75億歐元，凈利潤為21億歐元，預計2024年全年凈銷(xiāo)售額約為280億歐元
- 阿斯麥（ASML）近日發(fā)布2024年第三季度財報。2024年第三季度，ASML實(shí)現凈銷(xiāo)售額75億歐元，毛利率為50.8%，凈利潤達21億歐元。今年第三季度的新增訂單金額為26億歐元2，其中14億歐元為EUV光刻機訂單。ASML預計2024年第四季度的凈銷(xiāo)售額在88億至92億歐元之間，毛利率介于49%到50%，2024年全年的凈銷(xiāo)售額約為280歐元。ASML還預計，2025年的凈銷(xiāo)售額在300億至350億歐元之間，毛利率介于51%到53%。ASML 2024年第三季度財報一覽（除非特別說(shuō)明，數字均以百萬(wàn)歐元
- 關(guān)鍵字： ASML EUV 光刻機
英特爾計劃與日本 AIST 合作建立芯片研究中心
- IT之家 9 月 3 日消息，日經(jīng)報道稱(chēng)，英特爾將與日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所（AIST）在日本建立芯片研發(fā)基地，新設施將在三到五年內建成，配備極紫外線(xiàn)光刻（EUV）設備?！?圖源：英特爾設備制造商和材料公司將付費使用該設施進(jìn)行原型設計和測試。據介紹，這將是日本第一個(gè)行業(yè)成員能夠共同使用極紫外光刻設備的中心。IT之家查詢(xún)獲悉，產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所隸屬經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省，是日本一家設法使用集成科學(xué)和工程知識來(lái)解決日本社會(huì )和經(jīng)濟發(fā)展需要的研究機構，總部位于東京，2001 年成為獨立行政機構的一個(gè)新設計的法律機構。
- 關(guān)鍵字： 英特爾 AIST 芯片 EUV
imec采用High-NA EUV技術(shù) 展示邏輯與DRAM架構
- 比利時(shí)微電子研究中心（imec），在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實(shí)驗室中，利用數值孔徑0.55的極紫外光曝光機，發(fā)表了曝光后的圖形化組件結構。在單次曝光后，9納米和5納米（間距19納米）的隨機邏輯結構、中心間距為30納米的隨機通孔、間距為22納米的二維特征，以及間距為32納米的動(dòng)態(tài)隨機存取內存（DRAM）專(zhuān)用布局全部成功成形，采用的是由imec與其先進(jìn)圖形化研究計劃伙伴所優(yōu)化的材料和基線(xiàn)制程。透過(guò)這些研究成果，imec證實(shí)該微影技術(shù)的生態(tài)系
- 關(guān)鍵字： imec High-NA EUV DRAM
極紫外光刻新技術(shù)問(wèn)世，大幅降本增效
- 日本沖繩科學(xué)技術(shù)大學(xué)院大學(xué)設計了一種極紫外（EUV）光刻技術(shù)，超越了半導體制造業(yè)的標準界限。
- 關(guān)鍵字： EUV
臺積電不用當盤(pán)子了？日本開(kāi)發(fā)出更便宜EUV 撼動(dòng)芯片業(yè)
- 荷商艾司摩爾（ASML）是半導體設備巨頭，臺積電等龍頭公司制造先進(jìn)芯片，都需采用ASML制造商生產(chǎn)的昂貴極紫外光曝光機（EUV），根據《Tom's Hardware》報導，日本科學(xué)家已開(kāi)發(fā)出簡(jiǎn)化的EUV掃描儀，可以大幅降低芯片的生產(chǎn)成本。報導指出，沖繩科學(xué)技術(shù)學(xué)院（OIST）Tsumoru Shintake教授提出一種全新、大幅簡(jiǎn)化的EUV曝光機，相比ASML開(kāi)發(fā)和制造的工具更便宜，如果該種設備大規模量產(chǎn)，可能重塑芯片制造設備產(chǎn)業(yè)的現況。值得關(guān)注的是，新系統在光學(xué)投影設定中只使用兩面鏡子，與傳統的
- 關(guān)鍵字： 臺積電 EUV ASML
價(jià)值3.83億美元！Intel拿下全球第二臺High NA EUV光刻機
- 8月6日消息，在近日的財報電話(huà)會(huì )議上，Intel CEO宣布已成功接收全球第二臺價(jià)值3.83億美元的High NA EUV（極紫外光刻機）。High NA EUV光刻機是目前世界上最先進(jìn)的芯片制造設備之一，其分辨率達到8納米，能夠顯著(zhù)提升芯片的晶體管密度和性能，是實(shí)現2nm以下先進(jìn)制程大規模量產(chǎn)的必備武器。帕特·基辛格表示，第二臺High NA設備即將進(jìn)入Intel位于美國俄勒岡州的晶圓廠(chǎng)，預計將支持公司新一代更強大的計算機芯片的生產(chǎn)。此前，Intel已于去年12月接收了全球首臺High NA EUV光刻
- 關(guān)鍵字： Intel High NA EUV 光刻機 晶圓 8納米
ASML第二臺High-NA設備，即將導入英特爾奧勒岡廠(chǎng)
- 英特爾正接收ASML第二臺耗資3.5億歐元（約3.83億美元）的新High NA EUV設備。根據英特爾8/1財報電話(huà)會(huì )議紀錄，CEO Pat Gelsinger表示，英特爾12月開(kāi)始接收第一臺大型設備，安裝時(shí)間需要數月，預計可帶來(lái)新一代更強大的電腦英文。Gelsinger在電話(huà)中指出，第二臺High NA設備即將進(jìn)入在奧勒岡州的廠(chǎng)房。由于英特爾財報會(huì )議后股價(jià)表現不佳，因此這番話(huà)并未引起注意。ASML高階主管7月曾表示，該公司已開(kāi)始出貨第二臺High NA設備給一位未具名客戶(hù)，今年只記錄第一臺的收入。不過(guò)
- 關(guān)鍵字： ASML High-NA 英特爾 光刻機
臺積電：仍在評估 High NA EUV 光刻機，采用時(shí)間未定
- IT之家 7 月 30 日消息，《電子時(shí)報》昨日報道稱(chēng)，臺積電最快在 2028 年推出的 A14P 制程中引入 High NA EUV 光刻技術(shù)。對此，臺積電海外營(yíng)運資深副總經(jīng)理暨副共同營(yíng)運長(cháng)張曉強表示，仍在評估 High NA EUV 應用于未來(lái)制程節點(diǎn)的成本效益與可擴展性，目前采用時(shí)間未定?！?nbsp;ASML EXE:5000 High NA EUV 光刻機，圖源：ASML上個(gè)月，ASML 透露將在 2024 年內向臺積電交付首臺 High NA EUV 光刻機，價(jià)值達 3.8
- 關(guān)鍵字： 臺積電 ASML 光刻機 EUV
high-na euv介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條high-na euv!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對high-na euv的理解，并與今后在此搜索high-na euv的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對high-na euv的理解，并與今后在此搜索high-na euv的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
high-na euv電路
high-na euv相關(guān)帖子
high-na euv資料下載
high-na euv專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473