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gan system 文章 進(jìn)入gan system技術(shù)社區
EV/HEV市場(chǎng)可期 SiC/GaN功率器件步入快車(chē)道
- 根據Yole Development預測，功率晶體管將從硅晶徹底轉移至碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)基板，以期能在更小的空間中實(shí)現更高功率。 在最新出版的“GaN與SiC器件驅動(dòng)電力電子應用”(GaN and SiC Devices for Power Electronics Applications)報告中，Yole Development指出，促進(jìn)這一轉型的巨大驅動(dòng)力量之一來(lái)自電動(dòng)車(chē)(EV)與混合動(dòng)力車(chē)(HEV)產(chǎn)業(yè)。Yole預期EV/HEV產(chǎn)業(yè)將持續大力推動(dòng)Si
- 關(guān)鍵字： SiC GaN
高精度的功率轉換效率測量
- 目前，電動(dòng)汽車(chē)和工業(yè)馬達的可變速馬達驅動(dòng)系統，其低損耗·高效率·高頻率的性能正在不斷進(jìn)化。因為使用了以低電阻、高速開(kāi)關(guān)為特點(diǎn)的SiC和GaN等新型功率元件的PWM變頻器和AC/DC轉換器、DC/DC轉換器，其應用系統的普及正在不斷加速。構成這些系統的變頻器·轉換器·馬達等裝置的開(kāi)發(fā)與測試則需要相較以前有著(zhù)更高精度、更寬頻帶、更高穩定性的能夠迅速測量損耗和效率的測量系統。 各裝置的損耗和效率與裝置的輸入功率和輸出功率同時(shí)測量，利用它們的差和比
- 關(guān)鍵字： SiC GaN 電流傳感器
GaN技術(shù)和潛在的EMI影響
- 1月出席DesignCon 2015時(shí)，我有機會(huì )聽(tīng)到一個(gè)由Efficient Power Conversion 公司CEO Alex Lidow主講的有趣專(zhuān)題演講，談到以氮化鎵(GaN)技術(shù)進(jìn)行高功率開(kāi)關(guān)組件(Switching Device)的研發(fā)。我也有幸遇到“電源完整性 --在電子系統測量、優(yōu)化和故障排除電源相關(guān)參數(Power Integrity - Measuring, Optimizing, and Troubleshooting Power Related Parameter
- 關(guān)鍵字： GaN EMI
思科推出IoT System，提供物聯(lián)網(wǎng)應用完整軟硬件
- 思科宣布推出IoT System，鎖定制造、公用事業(yè)、石油與天然氣、運輸、采礦，與公共領(lǐng)域等產(chǎn)業(yè)，提供部署物聯(lián)網(wǎng)應用所需的完整軟、硬體技術(shù)，同時(shí)也推出15項相關(guān)的新產(chǎn)品。 思科(Cisco)宣布推出IoT System，鎖定制造、公用事業(yè)、石油與天然氣、運輸、采礦，與公共領(lǐng)域等產(chǎn)業(yè)，提供部署物聯(lián)網(wǎng)應用所需的完整軟、硬體技術(shù)，同時(shí)也推出15項相關(guān)的新產(chǎn)品。 思科估計，到2020年全球將有500億個(gè)連網(wǎng)裝置與物件，但迄今實(shí)體世界中仍有99%的物件未連上網(wǎng)路。思科指出，為抓住前所未有的數位化浪潮
- 關(guān)鍵字： 思科 IoT System
英飛凌攜高能效增強模式和共源共柵配置硅基板GaN平臺組合亮相2015年應用電力電子會(huì )議暨展覽會(huì )（APEC）
- 英飛凌科技股份公司今日宣布擴充其硅基氮化鎵(GaN)技術(shù)和產(chǎn)品組合。目前，英飛凌提供專(zhuān)為要求超高能效的高性能設備而優(yōu)化的增強模式和級聯(lián)模式GaN平臺，包括服務(wù)器、電信設備、移動(dòng)電源等開(kāi)關(guān)電源應用以及諸如Class D音頻系統的消費電子產(chǎn)品。GaN技術(shù)可以大幅地縮小電源的尺寸和減輕電源的重量，這將為GaN產(chǎn)品在諸如超薄LED電視機等終端產(chǎn)品市場(chǎng)開(kāi)辟新的機會(huì )。 英飛凌科技股份公司電源管理及多元化市場(chǎng)事業(yè)部總裁Andreas Urschitz表示：“英飛凌的硅基GaN產(chǎn)品組合，結合公司了所
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英飛凌將與松下電器聯(lián)袂 雙雙推出常閉型600VGaN功率器件
- 英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達成協(xié)議，將聯(lián)合開(kāi)發(fā)采用松下電器的常閉式(增強型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結構，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結構的許可。按照這份協(xié)議的規定，兩家公司均可生產(chǎn)高性能GaN器件。由此帶來(lái)的益處是客戶(hù)可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開(kāi)關(guān)。迄今為止，沒(méi)有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合，雙方商定不披露任何其他合同細節。 作為新一代化合物半導體技術(shù)，硅基板Ga
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TI發(fā)布業(yè)內首款80V半橋GaN FET模塊
- 近日，德州儀器推出了業(yè)內首款80V、10A集成氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應晶體管 (FET) 功率級原型機。此次原型機由位于四方扁平無(wú)引線(xiàn) (QFN) 封裝內的一個(gè)高頻驅動(dòng)器和兩個(gè)采用半橋配置的GaN FET組成，使之非常易于設計。如需了解更多信息，敬請訪(fǎng)問(wèn)www.ti.com.cn/lmg5200-pr-cn。 全新的LMG5200 GaN FET功率級原型機將有助于加快下一代GaN電源轉換解決方案的市場(chǎng)化，此方案為空間有限且高頻的工業(yè)應用和電信應用提供更高的功率密度和效率。 TI高壓電源
- 關(guān)鍵字： 德州儀器 GaN
英飛凌將與松下電器聯(lián)袂，雙雙推出常閉型600V GaN功率器件
- 英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達成協(xié)議，將聯(lián)合開(kāi)發(fā)采用松下電器的常閉式(增強型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結構，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結構的許可。按照這份協(xié)議的規定，兩家公司均可生產(chǎn)高性能GaN器件。由此帶來(lái)的益處是客戶(hù)可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開(kāi)關(guān)。迄今為止，沒(méi)有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合。雙方商定不披露任何其他合同細節。 作為新一代化合物半導體技術(shù)，硅基板Ga
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GaN在射頻功率領(lǐng)域會(huì )所向披靡嗎？
- 氮 化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領(lǐng)射頻功率器件新發(fā)展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導體)器件變成昨日黃花?看到一些媒體 文章、研究論文、分析報告和企業(yè)宣傳文檔后你當然會(huì )這樣認為，畢竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作電壓(減少了阻抗變換損 耗)，更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出，這就是GaN，無(wú)論是在硅基、碳化硅襯底甚至是金剛石襯底的每個(gè)應用都表現出色!帥呆了! 至少現在看是這樣，讓我們回顧下不同襯底風(fēng)格的GaN：硅基、碳化硅(S
- 關(guān)鍵字： GaN 射頻
Mentor Graphics發(fā)布Xpedition System
- Mentor Graphics公司宣布其Xpedition平臺的新產(chǎn)品及主要組件，用于多板系統連接的Xpedition Systems Designer。Xpedition Systems Designer產(chǎn)品抓取多板系統的硬體描述，從邏輯系統定義到獨立的PCB，都能自動(dòng)進(jìn)行多層級系統設計同步處理，以確保設計過(guò)程中團隊能夠準確高效協(xié)作。 目前，高階電子系統的設計流程不容樂(lè )觀(guān)，系統定義過(guò)程使用多種無(wú)法相互相容的工具，且沒(méi)有標準的方法實(shí)現設計規程與抽象層面的同步和設計資料的轉移。該問(wèn)題將導致故障電氣
- 關(guān)鍵字： Mentor Graphics Xpedition System
面向設備編程-嵌入式微系統連載之六
- System結構體封裝了整個(gè)系統層，讓App很容易基于System跨平臺，那么System內部該如何組織? ? ARM公司推薦嵌入式開(kāi)發(fā)遵循CMSIS架構，用戶(hù)應用程序可以調用實(shí)時(shí)內核(OS)、中間件等，也可以直接調用底層硬件基于CMSIS標準的函數接口，比如ST公司發(fā)布的STM32的硬件驅動(dòng)LIB庫，甚至直接訪(fǎng)問(wèn)最底層的寄存器。這種架構編程比較靈活，對于規模不大的嵌入式系統比較適合，但這樣的一個(gè)架構分層還比較模糊，應用層幾乎可以訪(fǎng)問(wèn)所有的系統層資源，比較任意。各種底層接
- 關(guān)鍵字： 嵌入式微系統 System ARM
導入Cascode結構 GaN FET打造高效率開(kāi)關(guān)
- 為提高高壓電源系統能源效率，半導體業(yè)者無(wú)不積極研發(fā)經(jīng)濟型高性能功率場(chǎng)效應電晶體（FET）；其中，采用Cascode結構的...
- 關(guān)鍵字： Cascode GaN 場(chǎng)效應管
英飛凌：GaN功率元件前景雖好，但采用為時(shí)尚早
- GaN被認為是下一代的功率元件，被賦予了代替SiC的神圣使命。但是近日，來(lái)自英飛凌的MarkMuenzer表示，其前景雖好，但是還沒(méi)到廣泛使用的時(shí)候，因它還有很多未被探索出來(lái)的部分。
- 關(guān)鍵字： GaN.功率元件
新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈
- 與現在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開(kāi)了激烈的開(kāi)發(fā)競爭。 SiC功率半導體方面，在柵極設有溝道的溝道型MOSFET的開(kāi)發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也
- 關(guān)鍵字： SiC GaN
gan system介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條gan system!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對gan system的理解，并與今后在此搜索gan system的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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