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650v 文章 進(jìn)入650v技術(shù)社區
英飛凌推出面向高能效電源應用的第七代分立式650V TRENCHSTOP IGBTs H7新品
- 英飛凌科技股份公司近日推出分立式650V IGBT7 H7新品，進(jìn)一步擴展其第七代TRENCHSTOP? IGBT產(chǎn)品陣容。全新器件配備尖端的EC7共封裝二極管，先進(jìn)的發(fā)射器控制設計結合高速技術(shù)，以滿(mǎn)足對環(huán)保和高效電源解決方案日益增長(cháng)的需求。TRENCHSTOP IGBT7 H7采用最新型微溝槽柵技術(shù)，具有出色的控制和性能，能夠大幅降低損耗，提高效率和功率密度。因此，該半導體器件適合用于各種應用，如組串式逆變器、儲能系統（ESS）、電動(dòng)汽車(chē)充電應用以及如工業(yè)UPS和焊接等傳統應用。?在分立式封裝
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ROHM開(kāi)始量產(chǎn)具有業(yè)界超高性能的650V耐壓GaN HEMT
- 全球知名半導體制造商ROHM（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“ROHM”）將650V耐壓的GaN（Gallium Nitride：氮化鎵）HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)，這兩款產(chǎn)品非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統。據悉，電源和電機的用電量占全世界用電量的一大半，為實(shí)現無(wú)碳社會(huì )，如何提高它們的效率已成為全球性的社會(huì )問(wèn)題。而功率元器件是提高它們效率的關(guān)鍵，SiC （Silicon Carbide：碳化硅）和GaN等新材料在進(jìn)一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。2022年，RO
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大聯(lián)大世平集團推出基于onsemi產(chǎn)品的4KW 650V工業(yè)電機驅動(dòng)方案
- 致力于亞太地區市場(chǎng)的領(lǐng)先半導體元器件分銷(xiāo)商---大聯(lián)大控股近日宣布，其旗下世平推出基于安森美（onsemi）NFAM5065L4B智能功率整合模塊（IPM）的4KW 650V工業(yè)電機驅動(dòng)方案。圖示1-大聯(lián)大世平基于onsemi產(chǎn)品的4KW 650V工業(yè)電機驅動(dòng)方案的展示板圖近年來(lái)，隨著(zhù)科技高速發(fā)展以及工業(yè)4.0的加速推進(jìn)，工業(yè)市場(chǎng)對于電機的需求與日俱增。根據相關(guān)機構調查顯示電機的耗電量約為全球電力供應的50%。這在節能減排、實(shí)現“雙碳”的統一戰略目標下，是一項亟待解決的問(wèn)題。為了提升電機運轉效率降低能源損
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Nexperia（安世半導體）宣布推出新一代 650V 氮化鎵 (GaN) 技術(shù)
- 半導體基礎元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技術(shù)的全新高壓氮化鎵場(chǎng)效應管。新器件包含兩種封裝，TO-247 和Nexperia專(zhuān)有的CCPAK。兩者均實(shí)現了更出色的開(kāi)關(guān)和導通性能，并具有更好的穩定性。由于采用了級聯(lián)結構并優(yōu)化了器件相關(guān)參數，Nexperia的氮化鎵場(chǎng)效應管無(wú)需復雜的驅動(dòng)和控制，應用設計大為簡(jiǎn)化；使用標準的硅MOSFET 驅動(dòng)器也可以很容易地驅動(dòng)它們。 新的氮化鎵技術(shù)采用了貫穿外延層的過(guò)孔，減少了缺陷并且芯片尺寸可縮小約24%。TO-247
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科銳推出新型650V MOSFET，提供業(yè)界領(lǐng)先效率，助力新一代電動(dòng)汽車(chē)、數據中心、太陽(yáng)能應用創(chuàng )新
- 作為碳化硅技術(shù)全球領(lǐng)先企業(yè)的科銳公司，于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET產(chǎn)品組合，適用于更廣闊的工業(yè)應用，助力新一代電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電、數據中心和其它可再生能源系統應用，提供業(yè)界領(lǐng)先的功率效率。
- 關(guān)鍵字： 科銳 650V MOSFET 電動(dòng)汽車(chē)
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