Nexperia與Ricardo合作開(kāi)發(fā)基于GaN的EV逆變器設計

 

本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/202002/410262.htm奈梅亨，2020年2月25日：分立器件、MOSFET器件、GaN FET器件及模擬和邏輯器件領(lǐng)域的生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia宣布與知名汽車(chē)工程咨詢(xún)公司Ricardo合作，以研制基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的EV逆變器技術(shù)演示器。

 

GaN是這些應用的首選功率器件，因為GaN FETs使系統以更低的成本達到更高的效率、更好的熱性能和更簡(jiǎn)單的開(kāi)關(guān)拓撲。在汽車(chē)領(lǐng)域，這意味著(zhù)車(chē)輛行駛里程更長(cháng)，而這正是所有電動(dòng)汽車(chē)消費者最關(guān)心的問(wèn)題?，F在，GaN即將取代基于硅的IGBT和SiC，成為插電式混合動(dòng)力汽車(chē)或純電動(dòng)汽車(chē)中使用的牽引逆變器的首選技術(shù)。

 

Nexperia去年推出了一系列已獲AEC-Q101認證的GaN FET器件，在這一高效技術(shù)領(lǐng)域為汽車(chē)設計師們提供成熟可靠的器件及不斷擴充的產(chǎn)品組合，從而提供動(dòng)力系統電氣化所需的功率密度。Ricardo在汽車(chē)行業(yè)深受好評，這家全球性工程創(chuàng )新公司為汽車(chē)行業(yè)的概念提供設計和咨詢(xún)服務(wù)，包括技術(shù)原型和演示器的生產(chǎn)，并與McLaren和Bugatti等著(zhù)名領(lǐng)先品牌合作。對于該項目，Ricardo是Nexperia理想的合作伙伴。

 

Nexperia GaN FET器件的總經(jīng)理Michael LeGoff表示：“通過(guò)將GaN FET器件用于逆變器設計并由Ricardo對逆變器進(jìn)行試驗，我們能夠更好地了解如何安全可靠地駕駛車(chē)輛。我們正在開(kāi)發(fā)一個(gè)實(shí)際解決方案，相信許多汽車(chē)設計師有興趣了解該解決方案，并發(fā)現該解決方案的優(yōu)勢?！?/span>

 

Ricardo技術(shù)與產(chǎn)品總監Adrian Greaney稱(chēng)：“半導體技術(shù)是逆變器系統效率的關(guān)鍵，在電動(dòng)汽車(chē)性能和效率方面發(fā)揮著(zhù)重要作用。氮化鎵可以顯著(zhù)提高開(kāi)關(guān)速度和效率，堪稱(chēng)一項推動(dòng)性的技術(shù)。除了增加行使里程，它還有助于縮小逆變器的封裝尺寸并減輕重量，從而提供更大的動(dòng)力系統設計靈活性，并有助于減輕車(chē)輛重量。從系統層面看，該設計還有許多優(yōu)勢，Ricardo非常高興能夠與Nexperia就GaN FET器件展開(kāi)合作?！?/span>