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氮化鎵(GaN)接替硅，支持高能效、高頻電源設計
- 在所有電力電子應用中，功率密度是關(guān)鍵指標之一，這主要由更高能效和更高開(kāi)關(guān)頻率驅動(dòng)。隨著(zhù)基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限，設計工程師現在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵（GaN）來(lái)提供方案。對于新技術(shù)而言，GaN本質(zhì)上比其將取代的技術(shù)（硅）成本低。GaN器件與硅器件是在同一工廠(chǎng)用相同的制造程序生產(chǎn)出。因此，由于GaN器件小于等效硅器件，因此每個(gè)晶片可以生產(chǎn)更多的器件，從而降低了每個(gè)晶片的成本。GaN有許多性能優(yōu)勢，包括遠高于硅的電子遷移率（3.4eV對比1.1eV），這使其具有比硅高1000倍的電子傳導效率的潛力。值得注
- 關(guān)鍵字： LDN GaN
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