華邦電進(jìn)軍車(chē)用、工業(yè)領(lǐng)域

存儲器大廠(chǎng)華邦電近日宣布，開(kāi)發(fā)出業(yè)界首款新型高速Octal NAND Flash產(chǎn)品，可望使高容量序列（Serial）介面NAND Flash成為當前Octal NOR Flash可行的低成本替代方案，解決NOR Flash容量愈大、成本愈高問(wèn)題。華邦電表示，Octal NAND Flash可望于1Gb以上儲存容量級別，提供車(chē)用與工業(yè)應用領(lǐng)域穩健可靠的儲存存儲器。

華邦電去年第四季雖然小虧，但全年仍維持獲利。去年合并營(yíng)收487.71億元（新臺幣，下同），歸屬母公司稅后凈利12.56億元，與前年相較減少83.1％。今年以來(lái)存儲器價(jià)格止跌回升，但因農歷春節長(cháng)假導致工作天數減少，華邦電公告1月合并營(yíng)數月減9.6％達36.83億元，較去年同期減少5.0％。法人預估華邦電2月?tīng)I收回穩，3月后營(yíng)收表現將進(jìn)入新一波的成長(cháng)循環(huán)。

華邦電認為新冠肺炎的影響是短期，3月會(huì )恢復產(chǎn)業(yè)供需秩序，而隨著(zhù)5G等應用帶動(dòng)存儲器需求，加上上半年遞延的需求會(huì )在下半年快速補上，預期下半年DRAM及NAND/NOR Flash市場(chǎng)將供需平衡甚至是供不應求。華邦電今年資本支出提升至143億元，較去年的132億元增加約8％，維持近4年來(lái)積極布局策略。

隨著(zhù)5G商用帶動(dòng)人工智能物聯(lián)網(wǎng)（AIoT）市場(chǎng)快速成長(cháng)，但用來(lái)儲存程式碼的NOR Flash卻因容量需求愈高，成本也出現倍數成長(cháng)，特別是在512Mb以上的儲存容量NOR Flash成本擴充效益不佳。華邦電宣布推出同樣采用序列x8 Octal介面的Octal NAND Flash，可望提供車(chē)用電子與工業(yè)制造商高容量的儲存存儲器產(chǎn)品，無(wú)須屈就成本砸大錢(qián)購買(mǎi)NOR Flash。

華邦電表示，NOR Flash技術(shù)可靠性高且讀寫(xiě)速度快，可支援快速啟動(dòng)，因而華邦電客戶(hù)大多以此技術(shù)作為存儲器存儲方案。然而目前業(yè)界的晶圓制程技術(shù)，在NOR Flash存儲器容量達512Mb的情況下，芯片尺寸已經(jīng)到達了業(yè)界標準封裝的極限，超過(guò)512Mb容量后擴充效益低落，并大幅推升芯片尺寸與封裝成本。

華邦電首款1Gb容量Octal NAND Flash連續讀取速度最高可達每秒240MB，相較華邦電先前發(fā)表的高效能Qspi NAND Flash系列產(chǎn)品速度高出3倍，相較于市面上一般Quad Serial介面NAND Flash產(chǎn)品的讀取速度更是快了將近10倍。新產(chǎn)品采用華邦電46納米SLC NAND制程，資料保存期可達10年以上，寫(xiě)入及抹除次數可達10萬(wàn)次以上，符合關(guān)鍵任務(wù)型車(chē)用與工業(yè)應用所需的高耐用性與高可靠性。