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東芝NAND Flash漲勢迅猛 TransferJet高效近場(chǎng)傳輸技術(shù)加速市場(chǎng)化

  •   2014年NAND Flash市場(chǎng)在便攜式電子新品持續、快速更新的帶動(dòng)下表現出價(jià)格穩定、需求強勁的發(fā)展態(tài)勢。尤其在下半年蘋(píng)果iPhone6/6Plus新機上市備貨需求強勁與OEM業(yè)者進(jìn)入出貨旺季的帶動(dòng)下,新制程的嵌入式產(chǎn)品自第三季起成為市場(chǎng)主流,三星、東芝這些存儲行業(yè)大牌的表現尤為出色。據市場(chǎng)調研機構TrendForce最新報告,2014年第三季度東芝NAND Flash產(chǎn)品營(yíng)收環(huán)比大增23.7%,穩居世界前二位,其中15nm新制程的產(chǎn)出比重持續增加。   在今年的高交會(huì )上,記者也對東芝新制程的存儲
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基于藍牙技術(shù)的LED點(diǎn)陣屏設計方案

  •   0 引言   本文設計一種內容更新便捷、可擴展、低價(jià)格的點(diǎn)陣LED 文字顯示屏。降低成本的途徑是①用幾乎人人都有的手機的藍牙數據傳輸功能進(jìn)行LED 顯示內容的更新,免去專(zhuān)業(yè)上位機軟件和控制卡的成本,操作也更簡(jiǎn)單;②單次顯示內容在5 ~ 30 個(gè)漢字或英文字母,因為顯示內容較少,就可實(shí)現擴展電路的簡(jiǎn)單化。   1 系統設計方案   1. 1 系統組成   系統由帶藍牙功能的智能手機和LED 顯示屏組成。其中,LED 顯示屏由單片機、LED 點(diǎn)陣模塊、字庫芯片、藍牙接收模塊、5V 開(kāi)關(guān)電源和3.3
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DSP編程技巧之29---答疑解惑哪家強之(4)

  •   答疑解惑哪家強?當屬我們EEPW最強。。。接下來(lái)繼續我們的答疑解惑。   22. 除了使用編譯器的優(yōu)化選項之外,還可以使用什么方法提高程序的性能?   編譯器的優(yōu)化選項,只能在代碼滿(mǎn)足眾多選項的要求時(shí),才能得到較好的優(yōu)化效果。在我們編程的時(shí)候,首先要做到心里有數,盡可能使用一些高效的編程方式,例如使用右移操作代替除以2的倍數的操作,可以大幅度地減少代碼運行時(shí)間等。這些技巧很多是與C/C++的熟練使用所相關(guān)的。此外,根據器件的特點(diǎn),例如是否包含FPU、CLA等,把特定的代碼放在不同的區域執行,也能起
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NAND吃緊!花旗:三星、hTC將學(xué)蘋(píng)果加大智能機容量

  •   Investor.com 3日報導,花旗發(fā)表研究報告指出,三星電子、宏達電 (2498)等智慧型手機制造商有望跟隨蘋(píng)果 ( Apple Inc. )的腳步增加手機的儲存容量,這會(huì )提高市場(chǎng)對SanDisk產(chǎn)品的需求。   費城半導體指數成分股SanDisk 3日聞?dòng)嵣蠞q2.02%、收103.36美元;該檔個(gè)股在11月總計勁揚了9.9%、年初迄今大漲46.53%。SanDisk 11月26日收盤(pán)(104.26美元)甫創(chuàng )7月16日以來(lái)收盤(pán)新高。   根據報告,花旗分析師Joe Yoo將SanDisk的投
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分析師:2015年NAND Flash市況“上冷下熱”

  •   TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 調查顯示, NAND Flash 成本隨著(zhù)制程演進(jìn)而持續下滑,各種終端應用如 SSD 與eMMC等需求則持續成長(cháng),估計 2015年 NAND Flash產(chǎn)值將較2014年成長(cháng)12%,至276億美元。   DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,由于終端產(chǎn)品出貨與新機上市多半集中在第三季和第四季,相較之下上半年缺少新產(chǎn)品刺激市場(chǎng),受淡季效應影響情況將較為顯著(zhù),因此預估2015年NAND Flash市況將呈現上冷下熱的格局,也就是
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2015年NAND Flash產(chǎn)業(yè)持續向上,產(chǎn)值成長(cháng)超過(guò)10%

  •   TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange調查顯示, NAND Flash成本隨著(zhù)制程演進(jìn)而持續下滑,各種終端應用如SSD與eMMC等需求則持續成長(cháng),2015年NAND Flash產(chǎn)值將較2014年成長(cháng)12%,達276億美元。DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,由于終端產(chǎn)品出貨與新機上市多半集中在第三和第四季,相比之下上半年缺少新產(chǎn)品刺激市場(chǎng),受淡季效應影響情況將較為顯著(zhù),因此DRAMeXchange預估2015年NAND Flash市況將呈現上冷下熱的格局,也就是上半年
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SSD 2年內價(jià)格砍半 每GB首度跌破0.5美元

  •   次世代資料儲存裝置固態(tài)硬碟(SSD)市場(chǎng)價(jià)格,2年內下滑一半。由于NAND Flash產(chǎn)能增加、SK海力士(SK Hynix)也可望加入3D架構NAND Flash量產(chǎn)行列,皆讓SSD加速邁向大眾化階段。而最近隨著(zhù)價(jià)格下滑,SSD應用范圍逐漸擴大,有加速普及的傾向。   據韓聯(lián)社引用市調機構IHS資料報導,256GB的SSD 2014年第3季平均售價(jià)(ASP)為124美元,比2013年同期171美元下跌27.5%,與2012年同期價(jià)格226美元相比,跌幅更達45.1%,意即最近2年內SSD價(jià)格幾乎砍
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臺內存大廠(chǎng)揮軍日本 直闖工控和車(chē)用市場(chǎng)

  •   征戰海外展覽的臺灣內存大廠(chǎng),終于在日本找到了機會(huì )。
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六大NAND Flash廠(chǎng)商:東芝最“吸金”

  •   2014第三季度 NAND Flash廠(chǎng)商營(yíng)收排名出爐,其中東芝最為亮眼,原因是因為它最漲勢最猛。
  • 關(guān)鍵字: NAND Flash  東芝  三星  

美光咬蘋(píng)果大單 力成同樂(lè )

  •   蘋(píng)果公司繼推出iPhone 6/6 Plus新款智能手機后,今年底或明年初,將緊接推出Apple Watch智能手表,目前正展開(kāi)一波拉貨,力成最大客戶(hù)美光傳出大啖蘋(píng)果Apple Watch存儲器絕大部分訂單,力成受惠度看漲,也激勵今天股價(jià)逆勢上漲;另一檔美光受惠股華東則維持小跌與平盤(pán)間的狹幅震蕩。   據了解,Apple Watch采用512MB LPDDR3,內建4GB或8GB容量的NAND Flash,美光包辦絕大部分的訂單,而在下游后段封測代工制程方面,目前多半由力成與華東共同負責,由于測試時(shí)
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臺IC設計前3季 聯(lián)發(fā)科穩居每股獲利王 敦泰群聯(lián)位居二三名

  •   IC設計第3季財報全數公布完畢,累計前3季,聯(lián)發(fā)科(2454-TW)每股稅后盈余23.41元,穩居IC設計每股盈余獲利王,也是稅后凈利獲利王,其次是觸控IC廠(chǎng)F-敦泰(5280-TW),前3季每股稅后盈余為13.67元,排名第二,第三名則是FLASH控制晶片廠(chǎng)群聯(lián)(8299-TW),前3季每股盈余為13.34元,排名第三。   根據公開(kāi)資訊站資料顯示,聯(lián)發(fā)科前3季稅后凈利與每股稅后盈余穩居IC設計之冠,表現亮眼,顯示行動(dòng)裝置需求持續升溫,第3季旺季效應加持發(fā)威下,相關(guān)廠(chǎng)商營(yíng)運表現都相當亮眼,聯(lián)發(fā)科第
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下游需求高企 2014年中國內存芯片市場(chǎng)將占全球兩成

  •   TrendForce最新研究報告顯示,隨著(zhù)中國市場(chǎng)近幾年的蓬勃發(fā)展與政策開(kāi)放,GDP成長(cháng)率呈現高度的成長(cháng),所伴隨而來(lái)的就是驚人的消費潛力,無(wú)論是PC、智能型手機與平板市場(chǎng)都把中國市場(chǎng)列入第一戰區。TrendForce旗下權威內存研究機構DRAMeXchange最新數據顯示,以2Gb顆粒來(lái)?yè)Q算,2014年中國市場(chǎng)在DRAM與NAND的消化量已經(jīng)高達47.89億與70.36億,分別占全球產(chǎn)能19.2%與20.6%。   從DRAM市場(chǎng)來(lái)觀(guān)察,PC-DRAM在中國市場(chǎng)的消化量已經(jīng)來(lái)到15%,內需市場(chǎng)的強勁
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基于FLASH介質(zhì)嵌入式存儲方案的設計與實(shí)現

  •   引言   FLASH(閃速存儲器)作為一種安全、快速的存儲體,具有體積小、容量大、成本低、掉電數據不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn),已成為嵌入式系統中數據和程序最主要的載體。由于FLASH在結構和操作方式上與硬盤(pán)、E2ROM等其他存儲介質(zhì)有較大區別,使用FLASH時(shí)必須根據其自身特性,對存儲系統進(jìn)行特殊設計,以保證系統的性能達到最優(yōu)。   FLASH的特點(diǎn)   FLASH是一種非易失性存儲器NVM(Non-VolatileMemory),根據結構的不同可以將其分成NORFLASH和NANDFLASH兩種。但不
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OEM需求拉貨動(dòng)能增溫,第三季NAND Flash品牌營(yíng)收季增12.2%

  •   第三季NAND Flash市況在蘋(píng)果iPhone6/6Plus新機上市備貨需求強勁與OEM業(yè)者進(jìn)入出貨旺季的帶動(dòng)下,eMMC/eMCP與SSD的成長(cháng)力道均高于上半年,NAND Flash價(jià)格表現也相對穩健,使得第三季NAND Flash品牌供貨商營(yíng)收較上季增加12.2%至85.8億美元。TrendForce旗下內存儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,新制程的嵌入式產(chǎn)品自第三季起成為市場(chǎng)主流,有助于各家業(yè)者成本結構的改善,而隨著(zhù)蘋(píng)果第四季iPhone表現持續亮眼以及新產(chǎn)品的問(wèn)世,整體N
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提高M(jìn)SP430G 系列單片機的Flash 擦寫(xiě)壽命方法

  •   在嵌入式設計中,許多應用設計都需要使用EEPROM 存儲非易失性數據,由于成本原因,某些單片機在芯片內部并沒(méi)有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器,在MSP430G 系列單片機中并不具備EEPROM。為了存儲非易失性數據,MSP430G 系列處理器在芯片內部劃分出了256 字節的Flash 空間作為信息Flash,可用于存儲非易失性數據,但是由于Flash 與EEPROM 在擦寫(xiě)壽命上存在一定差距,所以在實(shí)際應用中,這種應用方式并不能夠滿(mǎn)足所有客戶(hù)的需求。本應
  • 關(guān)鍵字: MSP430  Flash  EEPROM  
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flash介紹

閃存(Flash ROM): 是一種電擦除非易失型存儲器,由浮柵型場(chǎng)效應管構成,寫(xiě)入時(shí),利用熱電子注入,使浮柵帶電;擦除時(shí),則利用高壓下的隧道效應,使浮柵失去電子。 FLASH閃存是半導體技術(shù),內部是相對靜態(tài)的,體積小,抗震性很高(便于攜帶)。加上半導體技術(shù)發(fā)展很快,價(jià)格下降也很快,這是目前的MP3大多數是用FLASH閃存的原因。 [ 查看詳細 ]

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