2019年全球Flash支出達260億美元　連續3年高于DRAM與晶圓代工支出

　　盡管隨著(zhù)主要存儲器業(yè)者已完成或即將完成Flash存儲器產(chǎn)量擴增計劃，2019年全球半導體業(yè)者在Flash業(yè)務(wù)上的資本支出將會(huì )大幅下滑，但該支出金額仍然會(huì )繼續高于各業(yè)者在DRAM與晶圓代工業(yè)務(wù)上的支出。

　　ICInsights最新資料顯示，2016年全球半導體業(yè)者在Flash業(yè)務(wù)上的資本支出金額為144億美元，低于同年晶圓代工業(yè)務(wù)資本支出金額的219億美元。

　　隨著(zhù)Flash市場(chǎng)需求增加，各存儲器業(yè)者為擴大或升級3DNAND生產(chǎn)線(xiàn)，紛紛增加Flash資本支出，使得2017與2018年全球該項支出分別年增92%與16%，達276億與319億美元，均高于各當年半導體業(yè)者在DRAM與晶圓代工上的資本支出。

　　而隨著(zhù)主要存儲器業(yè)者已完成或即將完成Flash產(chǎn)量擴張計劃，預估2019年全球Flash資本支出，將較2018年下滑18%，達260億美元。不過(guò)該支出金額仍高于同年DRAM與晶圓代工業(yè)務(wù)資本支出金額的205億與202億美元。

　　雖然2019年全球Flash資本支出將會(huì )下滑18%，但就目前市場(chǎng)狀況而言，260億美元支出仍然是非常健康的支出水平。

　　再就全球主要NAND業(yè)者在擴建或新建生產(chǎn)線(xiàn)上的發(fā)展情形而言，2018年10月SK海力士(SKHynix)在韓國清州的M15晶圓廠(chǎng)已正式開(kāi)始啟用。該廠(chǎng)初期會(huì )以生產(chǎn)72層3DNAND產(chǎn)品為主，其后將會(huì )加入96層3DNAND的生產(chǎn)。

　　而已脫離東芝(Toshiba)的東芝存儲器公司(TMC)，也于2018年上半完成了位于日本四日市的12吋新晶圓廠(chǎng)(Fab6)興建作業(yè)。預期該廠(chǎng)會(huì )于2019年初展開(kāi)第一階段營(yíng)運。此外，位于日本巖手縣北上市的另一新晶圓廠(chǎng)，也已于2018年7月開(kāi)始動(dòng)工。

　　美光(Micron)除了對位于新加坡的2座Flash存儲器晶圓廠(chǎng)，進(jìn)行大規模升級投資外，也開(kāi)始在當地興建第3座NANDFlash晶圓廠(chǎng)。

　　國內紫光集團旗下武漢新芯/長(cháng)江存儲的Flash存儲器新晶圓廠(chǎng)，也已完成設備安裝，并開(kāi)始小量生產(chǎn)32層NANDFlash。

　　至于三星電子(SamsungElectronics)在面對其他業(yè)者競爭，尤其是國內新興業(yè)者來(lái)勢洶洶的情況下，投資金額遠高于其他業(yè)者，希望能夠借此維持自家產(chǎn)品在市場(chǎng)上的競爭優(yōu)勢。

　　資料顯示，2017與2018年三星在Flash上的資本支出金額分別為130億與90億美元，占各當年所有業(yè)者合計支出的47%與28%。預估2019年三星Flash支出雖然會(huì )下滑至70億美元，但仍占當年所有業(yè)者合計支出的27%。