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50nm
50nm 文章 進(jìn)入50nm技術(shù)社區
武漢新芯50nm高性能SPI NOR Flash產(chǎn)品全線(xiàn)量產(chǎn)
- 近日，紫光集團旗下武漢新芯集成電路制造有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“武漢新芯”），一家領(lǐng)先的非易失性存儲供應商，宣布其采用50nm Floating Gate工藝SPI NOR Flash寬電壓產(chǎn)品系列XM25QWxxC全線(xiàn)量產(chǎn)，產(chǎn)品容量覆蓋16Mb到256Mb。該系列支持低功耗寬電壓工作，為物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設備和其它功耗敏感應用提供靈活的設計方案。
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面向物聯(lián)網(wǎng)應用 恒爍半導體50nm NOR Flash芯片正式面世
- 合肥恒爍半導體有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“恒爍半導體”）正式推出第一款面向物聯(lián)網(wǎng)應用的50nm 128Mb 高速低功耗、業(yè)界最小尺寸的 NOR Flash 存儲芯片，此芯片的推出將有效加快萬(wàn)物智能互聯(lián)的進(jìn)程。
- 關(guān)鍵字： 物聯(lián)網(wǎng) 50nm NOR Flash芯片 恒爍半導體
武漢新芯推出50nm高性能SPI NOR Flash產(chǎn)品系列
- 近日，紫光集團旗下武漢新芯集成電路制造有限公司，宣布推出業(yè)界先進(jìn)的50nm Floating Gate工藝SPI NOR Flash寬電壓產(chǎn)品系列XM25QWxxC。該系列支持低功耗寬電壓工作，為物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設備和其它功耗敏感應用提供靈活的設計方案。
- 關(guān)鍵字： 武漢新芯 50nm SPI NOR Flash
分析師稱(chēng)ASML應該對內存芯片供不應求負一定責任
- 對于內存廠(chǎng)商來(lái)說(shuō)，已經(jīng)過(guò)去的2009年就像是一場(chǎng)噩夢(mèng)。而2010年情況則大有好轉，可是今年內存廠(chǎng)商卻遇上了芯片供貨緊缺，芯片產(chǎn)品投產(chǎn)準備時(shí)間加長(cháng)，產(chǎn)品價(jià)格居高不下的問(wèn)題。在本周三舉辦的Memcon會(huì )議上，一位分析師將今年內存廠(chǎng)商遇到的這些問(wèn)題歸結為由內存廠(chǎng)商自身的問(wèn)題而引起，不過(guò)著(zhù)名光刻設備制造商ASML則也在被指責之列。 ObjectiveAnalysis市調公司的分析師JimHandy認為內存市場(chǎng)的上揚期恐怕不久便會(huì )結束，他并稱(chēng)2011年中期或2012年間內存芯片市場(chǎng)將再度陷入供過(guò)于求的局面
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美光推Atom平板機專(zhuān)用低功耗迷你內存顆粒
- 美光公司今天宣布了一款新品50nm工藝2Gb DDR2內存顆粒產(chǎn)品，依靠其小尺寸、高密度和低功耗特色，專(zhuān)門(mén)針對Intel在6月份Computex上宣布的Atom平板機平臺(代號Oak Trail)。Intel Oak Trail平臺包括Atom Z6xx系列處理器和Whitney Point單芯片處理器，在“x86手機芯”Moorestown的基礎上，加入了多種PC平臺接口，可以支持標準的Windows 7、Chrome、Meego操作系統，專(zhuān)門(mén)針對平板機和超便攜上網(wǎng)本市場(chǎng)。
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爾必達宣布50nm制程2Gb GDDR5顯存開(kāi)發(fā)完成
- 日本爾必達公司最近完成了采用銅互連技術(shù)的50nm制程 2Gb密度GDDR5顯存芯片的開(kāi)發(fā)，這款產(chǎn)品據稱(chēng)是在爾必達設在德國慕尼黑的設計中心開(kāi)發(fā)完成的。爾必達表示公司將于今年7月份開(kāi)始試銷(xiāo)這種50nm 2Gb GDDR5顯存樣片，而這款產(chǎn)品的量產(chǎn)則預計會(huì )定在今年7-9月份的時(shí)間段。 據爾必達表示，其設在廣島的芯片廠(chǎng)將負責這款2Gb GDDR5顯存芯片的生產(chǎn)，另外爾必達還透露公司1Gb密度的GDDR3/GDDR5顯存芯片產(chǎn)品已經(jīng)外包給了臺灣華邦公司代工。 GDDR顯存的主要用途是圖形圖像處理
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Intel 計劃停產(chǎn)50nm制程MLC NAND SSD硬盤(pán)
- Intel計劃停產(chǎn)采用50nm制程NAND閃存芯片制作的1.8/2.5寸SSD硬盤(pán)產(chǎn)品，自今年第二季度開(kāi)始，Intel公司將僅向客戶(hù)提供采用 34nm制程MLC NAND閃存芯片制作的Postville40-160GB容量SSD硬盤(pán)產(chǎn)品，另外到今年第四季度，Intel還將推出80-600GB容量的 Postville SSD硬盤(pán)。 今年第四季度上市的新款Postville系列產(chǎn)品將采用25nm制程閃存芯片制作，容量則有80/160/300/600GB幾種，型號為X25-M;另外還將推出80GB容
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南亞科增加今年支出預算 計劃提升芯片產(chǎn)能
- 據透露，臺灣內存芯片廠(chǎng)商南亞計劃增加2010年的資本支出預算，將其由原計劃的190億新臺幣提升到200億新臺幣(6.27億美元)，據悉這筆增加的 預算將用于改進(jìn)制程和擴展產(chǎn)能之用。南亞計劃將其12英寸廠(chǎng)產(chǎn)能由目前的每月3萬(wàn)片提升到5-6萬(wàn)片。如果將其合資公司華亞(由鎂光和南亞合資成立)的產(chǎn)能計算在內，那么南亞12英寸總產(chǎn)能將達到每月11.5-12.5萬(wàn)片，這個(gè)數字已達到了全球內存芯片廠(chǎng)總產(chǎn)能的10%左右。 目前華亞12英寸廠(chǎng)的產(chǎn)能有一半是向南亞供貨，另一半則為鎂光公司供貨，這家合資公司的月產(chǎn)能大
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Hynix40nm 2Gb DDR3內存芯片通過(guò)Intel驗證
- 韓國Hynix公司宣布其40nm制程2Gb DDR3內存芯片產(chǎn)品通過(guò)了Intel的認證，Hynix并稱(chēng)將開(kāi)始批量生產(chǎn)這種芯片產(chǎn)品，另外他們還宣稱(chēng)面向服務(wù)器應用的Registered DIMM產(chǎn)品的驗證工作也將于年底前順利完成。 這次通過(guò)驗證的Hynix產(chǎn)品有2Gb DDR3 SDRAM內存芯片，4GB DDR3 SO-DIMM(筆記本內存條)以及2GB DDR3 unbuffered DIMM(即普通家用型內存條)，驗證時(shí)的運行頻率為1333MHz，芯片電壓為1.5V。 Hynix宣稱(chēng)
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爾必達：計劃明年轉向40nm制程技術(shù)
- 據透露，為了防止在與韓國對手的競爭中落在后面，日本爾必達內存公司計劃明年內轉向使用40nm制程技術(shù)，而在40nm制程技術(shù)完全成熟之前，爾必達將采 用50nm制程技術(shù)作為過(guò)渡性的制程技術(shù)。目前，爾必達公司剛剛在65nm制程技術(shù)基礎上開(kāi)發(fā)出了60nm制程技術(shù)。不過(guò)爾必達曾計劃直接 跳過(guò)50nm制程進(jìn)入40nm階段，但由于受到經(jīng)濟危機的影響未能成行。 目前韓國三星電子已經(jīng)在使用40nm 6F2技術(shù)生產(chǎn)內存芯片，而到40nm制程技術(shù)成熟時(shí)，三星還將推出4F2技術(shù)。 美國鎂光公司則已經(jīng)在110nm制
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爾必達問(wèn)題出在推遲代工業(yè)務(wù)
- 爾必達和Numonyx已經(jīng)推遲它們的代工計劃達6個(gè)月。NOR閃存大廠(chǎng)Numonyx原本與爾必達簽約的第一個(gè)代工訂單，計劃在2009年中期開(kāi)始量產(chǎn)，如今要推遲到2010年的上半年。 盡管近期DRAM價(jià)格回升及日本政府為爾必達注資，可是對于存儲器制造商爾必達最大的問(wèn)題是如何生存下來(lái)。顯然爾必達還不可能如奇夢(mèng)達同樣的命運，退出存儲器。但是日本存儲器制造商需要經(jīng)濟剌激，因為從長(cháng)遠看能生存下來(lái)可能是個(gè)奇跡。 前些時(shí)候爾必達CEO己經(jīng)把爾必達的生存問(wèn)題提高到日本國家的利益上。但是仍有人質(zhì)疑為什么要支持
- 關(guān)鍵字： 爾必達 DRAM 50nm 40nm
爾必達：計劃明年轉向40nm制程技術(shù)
- 8月7日消息 據透露，為了防止在與韓國對手的競爭中落在后面，日本爾必達內存公司計劃明年內轉向使用40nm制程技術(shù)，而在40nm制程技術(shù)完全成熟之前，爾必達將采 用50nm制程技術(shù)作為過(guò)渡性的制程技術(shù)。目前，爾必達公司剛剛在65nm制程技術(shù)基礎上開(kāi)發(fā)出了60nm制程技術(shù)。不過(guò)爾必達曾計劃直接 跳過(guò)50nm制程進(jìn)入40nm階段，但由于受到經(jīng)濟危機的影響未能成行。 目前韓國三星電子已經(jīng)在使用40nm 6F2技術(shù)生產(chǎn)內存芯片，而到40nm制程技術(shù)成熟時(shí)，三星還將推出4F2技術(shù)。 美國鎂光公司則已經(jīng)
- 關(guān)鍵字： 爾必達 DRAM 40nm 50nm 60nm
美光推出增加服務(wù)器內存容量和提升性能的新方法
- 美光科技股份有限公司近日宣布生產(chǎn)出業(yè)內首個(gè)DDR3低負載雙列直插內存模塊(LRDIMM)，并將于今年秋季開(kāi)始推出16GB版本的樣品。通過(guò)減少服務(wù)器內存總線(xiàn)上的負載，美光的LRDIMM可用以支持更高的數據頻率并顯著(zhù)增加內存容量。 新的LRDIMM將采用美光先進(jìn)的1.35v 2Gb 50nm 的DDR3內存芯片制造。由于芯片的高密度和業(yè)內領(lǐng)先的小尺寸，使美光能夠輕松并具成本效益地增加服務(wù)器模塊的容量。美光的2Gb 50nm DDR3產(chǎn)品目前正在進(jìn)行客戶(hù)認證，將很快進(jìn)行大量生產(chǎn)。 如今多數中端企
- 關(guān)鍵字： 美光 LRDIMM DDR3 50nm
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50nm介紹
納米（符號為nm）是長(cháng)度單位，原稱(chēng)毫微米，就是10^-9米（10億分之一米），即10^-6毫米（100萬(wàn)分之一毫米）。如同厘米、分米和米一樣，是長(cháng)度的度量單位。相當于4倍原子大小，比單個(gè)細菌的長(cháng)度還要小。
隨著(zhù)蘋(píng)果(Apple)iPhone及更高階iPod將陸續登場(chǎng)，可望帶動(dòng)NAND型快閃存儲器(Flash)市場(chǎng)龐大商機，吸引國際NAND Flash大廠(chǎng)摩拳擦掌，其中，三星電子(Samsu [ 查看詳細 ]
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