東芝存儲器最新發(fā)布XL-Flash技術(shù)

據外媒報道，東芝存儲器美國子公司宣布推出一種新的存儲器（Storage Class Memory）解決方案：XL-Flash，該技術(shù)是基于創(chuàng )新的Bics Flash 3D NAND技術(shù)和SLC，XL-Flash將為數據中心和企業(yè)存儲帶來(lái)了低延遲和高性能的解決方案，樣品預計將于下月送樣檢測，或將于2020年量產(chǎn)。

據東芝存儲器表示，這項技術(shù)與英特爾3D Xpoint和三星Z-NAND一樣，XL-Flash屬于持久性存儲器，不僅具有NAND Flash容量存儲的能力，同時(shí)性能介于DRAM和NAND之間。雖然能像DRAM易失性存儲解決方案提供應用程序要求苛刻的訪(fǎng)問(wèn)速度，但達到這種性能的的成本很高。DRAM單位成本限制了其容量的擴展性，新的SCM持久性存儲器解決了密度、成本、性能等問(wèn)題。

它是介于DRAM和NAND閃存之間的產(chǎn)品，與傳統的DRAM相比，具有更快的速度、更低的延遲和更高的存儲容量。XL-Flash最初將以SSD產(chǎn)品為部署，但未來(lái)也將擴展到DRAM產(chǎn)品線(xiàn)上。