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epc gan fet 文章 進(jìn)入epc gan fet技術(shù)社區
GaN功率芯片走向成熟，納微GaNSense開(kāi)啟智能集成時(shí)代
- GaN（氮化鎵）作為新興的第三代寬禁帶半導體材料，以高頻、高壓等為特色。但是長(cháng)期以來(lái)，在功率電源領(lǐng)域，處于常規的Si（硅）和熱門(mén)的SiC（碳化硅）應用夾縫之間。GaN產(chǎn)品的市場(chǎng)前景如何？GaN技術(shù)有何新突破？不久前，消費類(lèi)GaN（氮化鎵）功率解決方案供應商——納微半導體宣布推出全球首款智能GaNFast?功率芯片，采用了專(zhuān)利的GaNSense?技術(shù)。值此機會(huì )，電子產(chǎn)品世界的記者采訪(fǎng)了銷(xiāo)售營(yíng)運總監李銘釗、高級應用總監黃秀成、高級研發(fā)總監徐迎春。圖 從左至右：納微半導體級的高級應用總監黃秀成、銷(xiāo)售營(yíng)運總監李銘
- 關(guān)鍵字： GaN 集成 202201
蘋(píng)果證實(shí)：新上架的 140W 電源適配器為其首款 GaN 充電器
- 10月19日消息，據The Verge報道，蘋(píng)果公司向其證實(shí)，新上架的140W USB-C電源適配器是蘋(píng)果首款GaN充電器?！ ∨c傳統充電器相比，GaN充電器的更小、更輕，同時(shí)支持大功率?！ 〈送?，蘋(píng)果公司還確認，140W電源適配器支持USB-C Power Delivery 3.1標準，這意味著(zhù)該充電器可以為其他支持該標準的設備充電?！ ⌒碌?40W USB-C電源適配器和新款MagSafe連接線(xiàn)現已在蘋(píng)果中國官網(wǎng)上架?！ ∑渲?，140W USB-C電源適配器的價(jià)格為729元，USB-C轉MagSa
- 關(guān)鍵字： 蘋(píng)果 電源適配器 GaN 充電器
研華Arm-based邊緣智能網(wǎng)關(guān) 協(xié)助儲能企業(yè)打造穩定高效的電池管理系統(BMS)方案
- 應對全球變暖問(wèn)題，研華整合軟硬件和服務(wù)，開(kāi)發(fā)了可應用于儲能系統的邊緣智能解決方案，攜手綠色能源產(chǎn)業(yè)鏈的各方伙伴，有效提升家庭、商業(yè)、工業(yè)區、城市使用綠色能源效益，為追求可持續發(fā)展貢獻一己之力。項目背景客戶(hù)的儲能柜部署在全球各個(gè)地區，當設備出現故障時(shí)運維成本非常昂貴，客戶(hù)希望保證儲能柜的控制系統能夠穩定運行，并支持災難恢復、雙機熱備和基于A(yíng)zure云平臺的實(shí)時(shí)在線(xiàn)監控功能。痛點(diǎn)需求●? ?設備部署在偏遠地區，運行和維護成本高●? ?系統故障后不能自動(dòng)恢復●?
- 關(guān)鍵字： 研華 邊緣智能網(wǎng)關(guān) WISE-DeviceOn/Commbridge EPC-R3220 EPC-R4710
InnoSwitch3-PD——尋求極致充電器功率密度
- 2021年9月21日Power Integrations推出適用于USB Type-C、USB功率傳輸(PD)和USB數字控制電源(PPS)適配器應用的集成度一流的解決方案——InnoSwitch?3-PD系列IC。本次InnoSwitch?3-PD電源解決方案的亮點(diǎn)在于它是唯一的USB PD單芯片解決方案，不僅繼承了InnoSwitch3系列效率極高、低空載功耗、完善的保護等卓越性能，同時(shí)還能顯著(zhù)減少BOM，非常適合要求具備超薄小巧外形的應用設計?！ ⌒翴C采用超薄InSOP?-24D封裝，內部集成
- 關(guān)鍵字： PI InnoSwitch?3-PD GaN
集邦咨詢(xún)：新能源車(chē)需求助攻GaN功率元件
- TrendForce集邦咨詢(xún)表示，2021年隨著(zhù)各國于5G通訊、消費性電子、工業(yè)能源轉換及新能源車(chē)等需求拉升，驅使如基站、能源轉換器(Converter)及充電樁等應用需求大增，使得第三代半導體GaN及SiC元件及模組需求強勁。其中，以GaN功率元件成長(cháng)幅度最高，預估今年營(yíng)收將達8,300萬(wàn)美元，年增率高達73%。據TrendForce集邦咨詢(xún)研究，GaN功率元件，其主要應用大宗在于消費性產(chǎn)品，至2025年市場(chǎng)規模將達8.5億美元，年復合成長(cháng)率高達78%。前三大應用占比分別為消費性電子60%、新能源車(chē)20
- 關(guān)鍵字： 新能源車(chē) GaN 功率元件
ST和Exagan攜手開(kāi)啟GaN發(fā)展新章節
- 氮化鎵（GaN）是一種III／V族寬能隙化合物半導體材料，能隙為3.4eV，電子遷移率為1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和電子遷移率則分別為1.1 eV和1,400cm2/Vs。因此，GaN的固有特性，讓組件具有更高的擊穿電壓和更低的通態(tài)電阻，亦即相較于同尺寸的硅基組件，GaN可處理更大的負載、效能更高，而且物料清單成本更低。在過(guò)去的十多年里，產(chǎn)業(yè)專(zhuān)家和分析人士一直在預測，GaN功率開(kāi)關(guān)組件的黃金時(shí)期即將到來(lái)。相較于應用廣泛的MOSFET硅功率組件，GaN功率組件具備更高的效率和更強的功耗處理能力，這
- 關(guān)鍵字： ST Exagan GaN
采用SiC FET盡可能提升圖騰柱PFC級的能效
- 圖騰柱PFC電路能顯著(zhù)改善交流輸入轉換器的效率，但是主流半導體開(kāi)關(guān)技術(shù)的局限性使其不能發(fā)揮全部潛力。不過(guò)，SiC FET能突破這些局限性。本文介紹了如何在數千瓦電壓下實(shí)現99.3%以上的效率。正文交流輸入電源的設計師必須竭力滿(mǎn)足許多要求，包括功能要求、安全要求和EMC要求等等。他們通常需要進(jìn)行權衡取舍，一個(gè)好例子是既要求達到服務(wù)器電源的“鈦”標準等能效目標，又要用功率因素校正（PFC）將線(xiàn)路諧波發(fā)射保持在低水平，以幫助電網(wǎng)可靠高效地運行。在大部分情況下，會(huì )通過(guò)升壓轉換器部分實(shí)施PFC，升壓轉換器會(huì )將整流后
- 關(guān)鍵字： SiC FET PFC
德州儀器宣布與中車(chē)株洲所簽署升級聯(lián)合設計實(shí)驗室合作備忘錄
- 德州儀器(TI)今日宣布與中國領(lǐng)先的軌道交通設備制造商中車(chē)株洲電力機車(chē)研究所有限公司（后簡(jiǎn)稱(chēng)“株洲所”）簽署諒解備忘錄，升級共同運營(yíng)的聯(lián)合設計實(shí)驗室，實(shí)現更廣泛、更深層次的合作。此次合作旨在幫助中車(chē)株洲所運用TI廣泛的模擬和嵌入式處理產(chǎn)品和技術(shù)，加速包括軌道交通，電動(dòng)汽車(chē)等方面的應用設計以助力中國新基建關(guān)鍵領(lǐng)域建設。合作還將拓展至太陽(yáng)能和風(fēng)能等可再生能源方面的應用，以響應中國在2060年實(shí)現碳中和的宏偉目標。德州儀器(TI)與中車(chē)株洲電力機車(chē)研究所合作備忘錄簽約儀式“新基建將推動(dòng)中國城際軌道交通系統的快速
- 關(guān)鍵字： 德州儀器 GaN
Nexperia第二代650 V氮化鎵場(chǎng)效應管使80 PLUS?鈦金級電源可在2 kW或更高功率下運行
- 基礎半導體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開(kāi)始批量供貨。與之前的技術(shù)和競爭對手器件相比，新款器件具有顯著(zhù)的性能優(yōu)勢。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業(yè)開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)，特別是必須滿(mǎn)足80 PLUS?鈦金級效率認證的服務(wù)器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內的太陽(yáng)能逆變器和伺服驅動(dòng)器。 全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
- 關(guān)鍵字： Nexperia MOSFET GaN
砥礪前行，推進(jìn)半導體產(chǎn)業(yè)的“芯”潮
- 南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院擁有未來(lái)通信集成電路教育部工程研究中心以及深圳市第三代半導體器件重點(diǎn)實(shí)驗室，圍繞中國半導體產(chǎn)業(yè)鏈，培養工程專(zhuān)業(yè)人才，搭建跨國跨區域的校企合作與人才教育平臺，建立以工程創(chuàng )新能力為核心指標的多元化機制，致力于對大灣區乃至全國的集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供強有力的支撐作用。其科研成果、產(chǎn)業(yè)推廣和人才培養成績(jì)斐然，在國產(chǎn)芯片發(fā)展浪潮中引人矚目。
- 關(guān)鍵字： 集成電路 微電子 氮化鎵器件 寬禁帶 IC GaN 202103
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