<dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"></dfn><small id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></small><small id="yhprb"></small><small id="yhprb"></small> <delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><s id="yhprb"><noframes id="yhprb"><small id="yhprb"><dfn id="yhprb"></dfn></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn> <small id="yhprb"></small><delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn>
首頁(yè)  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會(huì )展  EETV  百科   問(wèn)答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動(dòng)中心  E周刊閱讀   樣片申請
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> epc gan fet

張文賓加入宜普電源轉換公司(EPC)擔任大中華及東南亞區銷(xiāo)售副總裁

  •   宜普電源轉換公司(EPC)宣布張文賓(Roy Chang)加人管理團隊,擔任大中華及東南亞區銷(xiāo)售副總裁職位,支持亞太區業(yè)務(wù)高速增長(cháng)。張先生在計算機及半導體行業(yè)擁有超過(guò)20年的研發(fā)、技術(shù)銷(xiāo)售和市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)的經(jīng)驗。他的主要職責是制定及執行銷(xiāo)售策略以達到公司在大中華及東南亞區的銷(xiāo)售目標。張先生的主要工作地點(diǎn)為臺灣臺北市?! 埾壬诩尤胍似展局盀門(mén)ransphorm公司的臺灣銷(xiāo)售副總裁。之前,他在A(yíng)cer及德州儀器擔任研發(fā)、技術(shù)銷(xiāo)售、銷(xiāo)售及市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)等管理職位?! PC全球銷(xiāo)售及市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)高級副總裁
  • 關(guān)鍵字: EPC  宜普電源  

EPC公司于PCIM Asia 2017與工程師進(jìn)行技術(shù)交流 -- 如何在高功率、高度共振式無(wú)線(xiàn)充電應用中選擇于6.78 MHz工作的放大器拓撲結構

  •   宜普電源轉換公司(EPC)是硅基增強型氮化鎵場(chǎng)效應晶體管及集成電路的領(lǐng)先供應商,基于eGaN?FET與集成電路的低成本解決方案是在發(fā)射端采用單個(gè)功率放大器,而在接收端無(wú)論是采用什么標準,也可以實(shí)現無(wú)線(xiàn)充電?! ∥覀冋\摯邀請工程師蒞臨中國上海,出席于2017年6月28日(星期三)上午11時(shí)在上海世博展覽館B2層2號會(huì )議室舉行的PCIM Asia 2017研討會(huì )(電力轉換與智能運動(dòng)研討會(huì ))。屆時(shí)EPC公司的應用工程副總裁Michael de Rooij博士將分享在高
  • 關(guān)鍵字: EPC  eGaN   

趁著(zhù)第三代半導體的東風(fēng),紫外LED要做弄潮兒

  • 本文主要介紹了第三代半導體固態(tài)紫外光源材料及器件關(guān)鍵技術(shù)的研究目的、意義和社會(huì )影響力。
  • 關(guān)鍵字: 照明  紫外LED  GaN  第三代半導體  

GaN組件和AMO技術(shù)實(shí)現更高效率與寬帶

  • 隨著(zhù)無(wú)線(xiàn)通信的帶寬、用戶(hù)數目以及地理覆蓋范圍擴展,基地臺收發(fā)器的功率放大器(PA) 部份對于更高效率的需求也不斷成長(cháng)。無(wú)線(xiàn)功率放大器所消耗的功率超過(guò)了基地臺運作所需功率的一半。透過(guò)提高效率來(lái)減少功耗具有多項優(yōu)勢,首先,最明顯的好 處是降低運營(yíng)成本;同時(shí),更少的熱意味著(zhù)更低的設備冷卻需求以及更高的可靠性。
  • 關(guān)鍵字: GaN  AMO  放率放大器  LINC  DPDm  

第三代半導體材料盛行,GaN與SiC如何撬動(dòng)新型功率器件

  • GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來(lái)已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過(guò)渡。SiC、GaN 材料,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn),與剛石等半導體材料一起,被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代
  • 關(guān)鍵字: GaN  SiC  第三代半導體材料  

FET知識:采用結型FET實(shí)現的放大電路經(jīng)典案例

  •   與之前介紹的晶體管放大電路相同,各級FET放大電路之間的連接也必須通過(guò)電容連接,以構成CR的連接方式。此時(shí),為保證柵極、源極和漏極間正確的電壓關(guān)系,就需要偏置電路來(lái)提供柵極電壓?! ∨c晶體管放大電路的接地方式相同,結型FET放大電路也有多種接地方式?! ∽钜话愕脑礃O接地電路和自偏置電路  n溝道FET的例子如下圖所示,p溝道FET電源電壓VPS(V)和電流ID(A)的方向,與此圖完全相反?! ET源極接地電路的功能,與晶體管的共射放大電路一樣。由于結型FET的正常工作,要求柵極和源極間的電壓VGS為
  • 關(guān)鍵字: FET  放大電路  

MACOM:硅基GaN產(chǎn)品更適應5G未來(lái)的發(fā)展趨勢

  •   MACOM是半導體行業(yè)的支柱型企業(yè),在60多年的蓬勃發(fā)展歷程中,公司敢于采用大膽的技術(shù)手段,為客戶(hù)提供真正的競爭優(yōu)勢并為投資者帶來(lái)卓越的價(jià)值,致力于構筑更加美好的世界。   在基礎設施的建設領(lǐng)域中,MACOM的技術(shù)提高了移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的速度和覆蓋率,讓光纖網(wǎng)絡(luò )得以向企業(yè)、家庭和數據中心傳輸以前無(wú)法想象的巨大通信量,讓數百萬(wàn)人在生活中每時(shí)每刻方便地交流溝通。   日前在上海舉辦的EDICON展會(huì )上,MACOM展出了一系列應用在基礎設施領(lǐng)域中的射頻功率晶體管產(chǎn)品,根據客戶(hù)的需求及痛點(diǎn)提供一站式解決方案。
  • 關(guān)鍵字: MACOM  GaN  

汽車(chē)功率元器件市場(chǎng)前景廣闊

  •   汽車(chē)功率電子產(chǎn)品正成為半導體行業(yè)的關(guān)鍵驅動(dòng)因素之一。這些電子產(chǎn)品包括功率元器件,是支撐新型電動(dòng)汽車(chē)續航里程達到至少200英里的核心部件。   雖然智能手機的出貨量遠高于汽車(chē)(2015年為14億部[1],汽車(chē)銷(xiāo)量為8,800萬(wàn)輛[2]),但汽車(chē)的半導體零件含量卻高得多。汽車(chē)功率IC穩健增長(cháng),2015-2020年該行業(yè)的年復合增長(cháng)率預計將達8%[3]。尤其是電池驅動(dòng)的電動(dòng)汽車(chē)在該行業(yè)成為強勁增長(cháng)推動(dòng)力,2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動(dòng)車(chē)的報告顯示,該車(chē)型物料清單中包含100多個(gè)電源
  • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  

前瞻性技術(shù):加速GaN技術(shù)應用

  •   相較于過(guò)去所使用的硅晶體管,氮化鎵(GaN)能夠讓新的電源應用在同等電壓條件下,以更高的切換頻率運作。 這代表在相同條件下,GaN能夠較以硅為基礎的解決方案實(shí)現更高的效率。   電源供應設計   德州儀器(TI)的LMG5200全整合式原型,讓工程師能夠輕松地將GaN技術(shù)設計至電源解決方案中,進(jìn)而超越傳統上功率密度限制。 基于數十年的電源測試專(zhuān)業(yè)經(jīng)驗,TI針對GaN進(jìn)行了數百萬(wàn)小時(shí)的加速測試,并建立了能夠實(shí)現基于GaN電源設計的生態(tài)系統。   GaN將在功率密集的應用中大展身手,它能夠在保持或提
  • 關(guān)鍵字: 德州儀器  GaN  

汽車(chē)功率元器件市場(chǎng)前景廣闊

  •   雖然智能手機的出貨量遠高于汽車(chē)(2015年為14億部[1],汽車(chē)銷(xiāo)量為8,800萬(wàn)輛[2]),但汽車(chē)的半導體零件含量卻高得多。汽車(chē)功率IC穩健增長(cháng),2015 - 2020年該行業(yè)的年復合增長(cháng)率預計將達8%[3]。尤其是電池驅動(dòng)的電動(dòng)汽車(chē)在該行業(yè)成為強勁增長(cháng)推動(dòng)力,2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動(dòng)車(chē)的報告顯示,該車(chē)型物料清單中包含100多個(gè)電源相關(guān)芯片?! ∨c遵循摩爾定律不斷縮小尺寸的先進(jìn)邏輯晶體管不同,功率元器件FET通常運用更老的技術(shù)節點(diǎn),使用200毫米(和
  • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  

電源設計控必須了解的2017三大趨勢

  •   2017電源市場(chǎng)需求和技術(shù)趨勢風(fēng)向如何?來(lái)e星球,與超六萬(wàn)的專(zhuān)業(yè)人士一起把握潮流!  需求往往是推動(dòng)創(chuàng )新的源泉,無(wú)論是時(shí)尚、金融亦或是我們熟悉的電源領(lǐng)域都存在這樣的現象。抓住了用戶(hù)需求,潛在的創(chuàng )新動(dòng)力才會(huì )被激發(fā),也只有適應需求的創(chuàng )新才是最具生命周期的。2017年電源需求在哪?創(chuàng )新著(zhù)力點(diǎn)在哪?帶著(zhù)疑問(wèn)與期盼請來(lái)亞洲第一大電子展——2017年慕尼黑上海電子展一探究竟吧!3月14日-16日將有超過(guò)6萬(wàn)多名的專(zhuān)業(yè)觀(guān)眾以及眾多的國內外領(lǐng)先電源廠(chǎng)商集聚上海新國際博覽中心,深度探討2017年中國電源市場(chǎng)需求與走勢,
  • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  

下一波功率轉換浪潮—專(zhuān)為實(shí)現太陽(yáng)能光伏逆變器的安全、速度和成本效益而設計

  •   引言  太陽(yáng)能不再是一項新興技術(shù),而是正在經(jīng)歷重大技術(shù)變革的技術(shù),日趨成熟。我們朝著(zhù)電網(wǎng)平價(jià)(太陽(yáng)能成本與傳統能源發(fā)電類(lèi)型的成本相當),并且改進(jìn)傳統能源發(fā)電類(lèi)型構成的目標前進(jìn),因為將面板中的直流電轉換為可用交流電的過(guò)程變得更加高效且經(jīng)濟實(shí)惠?! 〉?,雖然太陽(yáng)能面板在近幾年價(jià)格顯著(zhù)降低,但下一波太陽(yáng)能發(fā)展浪潮將由功率轉換器系統的新技術(shù)推動(dòng)。先進(jìn)復雜的多級功率開(kāi)關(guān)拓撲的興起將基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)材料,加上更高的工作電壓(最高1600 VDC),實(shí)現更加快速的功率開(kāi)關(guān),與傳統系
  • 關(guān)鍵字: 光伏逆變器  GaN  

日研究團隊制作了高質(zhì)量2英寸GaN芯片和MOSFET

  •   日本三菱化學(xué)及富士電機、豐田中央研究所、京都大學(xué)、產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所的聯(lián)合團隊成功解決了在氮化鎵(GaN)芯片上形成GaN元件功率半導體關(guān)鍵技術(shù)。GaN功率半導體是碳化硅功率半導體的下一代技術(shù)。日本通過(guò)發(fā)光二極管的開(kāi)發(fā)積累了GaN元件技術(shù),GaN芯片生產(chǎn)量占據世界最高份額。若做到現有技術(shù)的實(shí)用化,將處于世界優(yōu)勢地位。   功率半導體有利于家電、汽車(chē)、電車(chē)等的節能,產(chǎn)業(yè)需求很大。GaN功率半導體中,硅基板上形成橫型GaN系的高電子遷移率晶體管等設備已經(jīng)量產(chǎn),但是,GaN基板上形成GaN的金屬-氧化物半
  • 關(guān)鍵字: GaN  MOSFET  

2017誰(shuí)將成為功率器件市場(chǎng)亮點(diǎn)?

  •   通信、汽車(chē)驅動(dòng)市場(chǎng)增長(cháng),國有品牌競爭力提升   市場(chǎng)規模繼續擴大,增速較2015年有所回升   2016年,中國電子信息制造業(yè)生產(chǎn)總體平穩,增速有所加快,受此影響,中國功率器件市場(chǎng)規模持續擴大,市場(chǎng)規模預計達到1496.1億元,同比增長(cháng)7.2%,增速較2015年有所回升。   通信、汽車(chē)成為2016年市場(chǎng)增長(cháng)亮點(diǎn)   從下游應用產(chǎn)品的需求來(lái)看,通信和汽車(chē)領(lǐng)域是推動(dòng)功率器件市場(chǎng)增長(cháng)的主要驅動(dòng)力。   從通信主要產(chǎn)品產(chǎn)量來(lái)看,1-10月,我國生產(chǎn)手機17億部,同比增長(cháng)19.9%,其中智能手機12
  • 關(guān)鍵字: 功率器件  GaN  

技術(shù)路線(xiàn)圖指導 做強中國功率半導體

  • 在我國綠色能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展的推動(dòng)下,功率半導體已經(jīng)成為建設節約型社會(huì )、促進(jìn)國民經(jīng)濟發(fā)展、踐行創(chuàng )新驅動(dòng)發(fā)展戰略的重要支撐。
  • 關(guān)鍵字: 功率半導體  GaN  
共499條 21/34 |‹ « 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 » ›|

epc gan fet介紹

您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條epc gan fet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對epc gan fet的理解,并與今后在此搜索epc gan fet的朋友們分享。    創(chuàng )建詞條

熱門(mén)主題

樹(shù)莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì )員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473
国产精品自在自线亚洲|国产精品无圣光一区二区|国产日产欧洲无码视频|久久久一本精品99久久K精品66|欧美人与动牲交片免费播放
<dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"></dfn><small id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></small><small id="yhprb"></small><small id="yhprb"></small> <delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><s id="yhprb"><noframes id="yhprb"><small id="yhprb"><dfn id="yhprb"></dfn></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn> <small id="yhprb"></small><delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn>