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epc gan fet 文章 進(jìn)入epc gan fet技術(shù)社區
宜普電源轉換公司（EPC）于CES 2020展覽展示基于氮化鎵技術(shù)的應用
- 宜普電源轉換公司（EPC）將在2020年1月7日至10日，于美國拉斯維加斯舉行的國際消費電子展（CES 2020）為工程師展示eGaN技術(shù)的龐大潛力，它可以推動(dòng)多種消費電子應用的發(fā)展，從而改變市場(chǎng)的游戲規則，包括全自動(dòng)駕駛汽車(chē)、機器人、無(wú)人機、無(wú)線(xiàn)電源、世界第一流的音頻系統及車(chē)載解決方案。于CES 2020 展覽，歡迎蒞臨Venetian酒店內的EPC演示套房，與氮化鎵專(zhuān)家一起參觀(guān)、學(xué)習及討論氮化鎵技術(shù)如何推動(dòng)改變世界的創(chuàng )新設計的發(fā)展。無(wú)線(xiàn)電源在家居的應用：EPC將展示在家居使用的無(wú)線(xiàn)充電桌面同時(shí)對多個(gè)消
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Nexperia 推出行業(yè)領(lǐng)先性能的高效率氮化鎵功率器件 (GaN FET)
- 近日，分立、邏輯和 MOSFET 器件的專(zhuān)業(yè)制造商Nexperia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進(jìn)入氮化鎵場(chǎng)效應管(GaN)市場(chǎng)。這款器件非常耐用，柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V，工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點(diǎn)是低導通電阻（最大RDS(on) 僅為 60 m?）以及快速的開(kāi)關(guān)切換；效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標是高性能要求的應用市場(chǎng)，包括電動(dòng)汽車(chē)、數據中心、電信設備、工業(yè)自動(dòng)化和高端電源。Nexperi
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CISSOID與國芯科技簽署戰略合作協(xié)議
- 各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領(lǐng)導者CISSOID近日宣布：在湖南株洲舉行的中國IGBT技術(shù)創(chuàng )新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟第五屆國際學(xué)術(shù)論壇上，公司與湖南國芯半導體科技有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“國芯科技”）簽署了戰略合作協(xié)議，將攜手開(kāi)展寬禁帶功率技術(shù)的研究開(kāi)發(fā)，充分發(fā)揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢，并推動(dòng)其在眾多領(lǐng)域實(shí)現廣泛應用。近年來(lái)，寬禁帶半導體功率器件（如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等）憑借多方面的性能優(yōu)勢，在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車(chē)、智能家電、通信等領(lǐng)域開(kāi)始逐漸取代傳統硅器件。然而，在各類(lèi)應用中
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Cree積極擴廠(chǎng)開(kāi)發(fā)功率及射頻元件，GaN on SiC磊晶技術(shù)發(fā)展待觀(guān)察
- 全球SiC晶圓市場(chǎng)規模約為8千多億美元，SiC晶圓與GaN on SiC磊晶技術(shù)大廠(chǎng)Cree為求強化自身功率及射頻元件研發(fā)能力，決議2019年5月于美國總部北卡羅萊納州特勒姆市，擴建1座先進(jìn)自動(dòng)化8寸SiC晶圓生產(chǎn)工廠(chǎng)與1座材料超級工廠(chǎng)(Mega Factory)，期望借此擴建案，提升Cree在SiC晶圓上的生產(chǎn)尺寸與提升晶圓使用市占，并提供GaN on SiC先進(jìn)磊晶技術(shù)進(jìn)一步應用于功率及射頻元件中。
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對更高功率密度的需求推動(dòng)電動(dòng)工具創(chuàng )新解決方案
- 電動(dòng)工具中直流電機的配置已從有刷直流大幅轉向更可靠、更高效的無(wú)刷直流（BLDC）解決方案轉變。斬波器配置等典型有刷直流拓撲通常根據雙向開(kāi)關(guān)的使用與否實(shí)現一個(gè)或兩個(gè)功率金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管（MOSFET）。另一方面，三相BLDC配置需要三個(gè)半橋或至少六個(gè)場(chǎng)效應管（FET），因此從有刷電流轉向無(wú)刷電流意味著(zhù)全球電動(dòng)工具FET總區域市場(chǎng)增長(cháng)了3到6倍（見(jiàn)圖1）。圖1：從有刷拓撲轉換到無(wú)刷拓撲意味著(zhù)FET數量出現了6倍倍增但BLDC設計在這些FET上提出了新的技術(shù)要求。例如，若電路板上FET的數量6倍倍增
- 關(guān)鍵字： FET BLDC
車(chē)規級80 V EPC2214 eGaN?FET 使得激光雷達系統看得更清晰
- 宜普電源轉換公司（EPC）宣布再多一個(gè)車(chē)用氮化鎵(eGaN)器件（80 V的EPC2214）成功通過(guò)AEC Q101測試認證，可在車(chē)用及其它嚴峻環(huán)境支持多種全新應用?；诘墸╡GaN）技術(shù)的產(chǎn)品已進(jìn)行量產(chǎn)超過(guò)9年，累計了數十億小時(shí)的實(shí)際汽車(chē)應用經(jīng)驗，包括全自動(dòng)駕駛汽車(chē)的激光雷達及雷達系統、應用于數據中心計算機的48 V–12 V DC/DC轉換器、具有超高保真度的信息娛樂(lè )系統及高強度的貨車(chē)頭燈等應用。這些全新器件已經(jīng)通過(guò)嚴格的AEC Q101測試認證，隨后會(huì )推出更多面向嚴峻的車(chē)用環(huán)境的分立晶體管及集成
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支持瓦特到千瓦級應用的氮化鎵技術(shù)
- 兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動(dòng)和穩健的器件保護。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級盡可能提高（和降低）。氮化鎵在任何功率級別都很關(guān)鍵。工程師正努力提高切換速度、效率和可靠性，同時(shí)減小尺寸、重量和元件數量。從歷來(lái)經(jīng)驗來(lái)看，您必須至少對其中的部分因素進(jìn)行權衡，但德州儀器正通過(guò)所有這些優(yōu)勢實(shí)現設計，同時(shí)通過(guò)在一個(gè)封裝中進(jìn)行復雜集成來(lái)節省系統級成本，并減少電路板元件數量。從將PC適配器的尺寸減半，到為并
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MACOM和意法半導體攜手合作提高硅基GaN產(chǎn)能，支持5G無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )建設
- MACOM Technology Solutions Holdings公司(納斯達克股票代碼:MTSI) (以下簡(jiǎn)稱(chēng)“MACOM”)和意法半導體(紐約證券交易所股票代碼:STM))(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“ST”)于25日宣布，將在2019年擴大ST工廠(chǎng)150mm 硅基GaN的產(chǎn)能，200mm硅基GaN按需擴產(chǎn)。該擴產(chǎn)計劃旨在支持全球5G電信網(wǎng)建設，基于2018年初 MACOM和ST宣布達成的廣泛的硅基GaN協(xié)議?！ ‰S著(zhù)全球推出5G網(wǎng)絡(luò )并轉向大規模MIMO(M-MIMO)天線(xiàn)配置，射頻RF功率產(chǎn)品需求預計
- 關(guān)鍵字： MACOM GaN
宜普電源轉換公司（EPC）第十階段可靠性測試報告的亮點(diǎn) 是車(chē)規級氮化鎵器件超越AEC-Q101應力測試的認證標準
- 宜普電源轉換公司(EPC)發(fā)布第十階段可靠性測試報告，成功通過(guò)車(chē)規級AEC-Q101應力測試認證。AEC-Q101認證要求功率場(chǎng)效應晶體管符合最高的可靠性標準，不僅僅要求器件符合數據表內所載的條件而沒(méi)有發(fā)生故障，也同時(shí)要求在應力測試中，具有低漂移。請注意，EPC所采用的晶圓級芯片規模封裝(WLCSP)也符合所有針對傳統封裝的測試標準，展示出該封裝具備卓越性能之同時(shí)沒(méi)有影響到器件的穩固性或可靠性?！ 〉谑A段可靠性測試報告探討了超越AEC-Q101認證要求的可靠性測試，從而深入了解可導致器件發(fā)生故障的各
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MACOM推出寬帶多級硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 模塊 具備靈活安裝性能，實(shí)現領(lǐng)先的設計敏捷性
- 全球領(lǐng)先的半導體解決方案供應商MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM”) 宣布推出全新MAMG-100227-010寬帶功率放大器 (PA) 模塊，擴展其硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 產(chǎn)品組合。該寬帶PA模塊經(jīng)過(guò)優(yōu)化改良，適用于陸地移動(dòng)無(wú)線(xiàn)電系統(LMR)、無(wú)線(xiàn)公共安全通信以及軍事戰術(shù)通信和電子對抗 (ECM) 領(lǐng)域。MAMG-100227-010 PA模塊兼具50Ω 全匹配、 兩級PA架構的高效設計，以及頂端和底端安
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盤(pán)點(diǎn)2018年全球電子產(chǎn)業(yè)最具代表性的十大“黑科技”
- 今年整個(gè)產(chǎn)業(yè)在技術(shù)上也是節節攀升，2018年可以說(shuō)是產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展的一年，全球電子產(chǎn)業(yè)也產(chǎn)生了眾多技術(shù)突破。
- 關(guān)鍵字： 芯片，GaN
第三代半導體又有新成員？氧化鎵有什么優(yōu)點(diǎn)？
- 目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導體受到的關(guān)注度越來(lái)越高，它們在未來(lái)的大功率、高溫、高壓應用場(chǎng)合將發(fā)揮傳統的硅器件無(wú)法實(shí)現的作用。特別是在未來(lái)三大新興應用領(lǐng)域(汽車(chē)、5G和物聯(lián)網(wǎng))之一的汽車(chē)方面，會(huì )有非常廣闊的發(fā)展前景?！ ∪欢?，SiC和GaN并不是終點(diǎn)，最近，氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野，憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶，該種化合物半導體在更高功率的應用方面具有獨特優(yōu)勢。因此，近幾年關(guān)于氧化鎵的研究又熱了起來(lái)?！ ?shí)際上，氧化鎵并不是很新的技術(shù)，多年前就
- 關(guān)鍵字： 半導體 SiC GaN
看看國外廠(chǎng)商正在發(fā)力研究的這些新技術(shù)
- 每年十二月，在美國舊金山或華盛頓哥倫比亞特區其中一處舉行的年度電子會(huì )議。此會(huì )議作為一個(gè)論壇，在其中報告半導體、電子元件技術(shù)、設計、制造、物理與模型等領(lǐng)域中的技術(shù)突破。這個(gè)會(huì )會(huì )議就是IEEE國際電子元件會(huì )議(International Electron Devices Meeting，縮寫(xiě)：IEDM) 在每一界的IEDM上，全球工業(yè)界與學(xué)界的管理者、工程師和科學(xué)家將會(huì )聚集在一起討論納米級CMOS晶體管技術(shù)、先進(jìn)內存、顯示、感測器、微機電系統元件、新穎量子與納米級規模元件、粒子物理學(xué)現象、光電工程、
- 關(guān)鍵字： DRAM GAA-FET
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您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條epc gan fet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對epc gan fet的理解，并與今后在此搜索epc gan fet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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