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納芯微高壓半橋驅動(dòng)NSD2622N：為E-mode GaN量身打造高可靠性、高集成度方案
- 納芯微發(fā)布專(zhuān)為增強型GaN設計的高壓半橋驅動(dòng)芯片NSD2622N，該芯片集成正負壓穩壓電路，支持自舉供電，具備高dv/dt抗擾能力和強驅動(dòng)能力，可以顯著(zhù)簡(jiǎn)化GaN驅動(dòng)電路設計，提升系統可靠性并降低系統成本。應用背景近年來(lái)，氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)憑借高開(kāi)關(guān)頻率、低開(kāi)關(guān)損耗的顯著(zhù)優(yōu)勢，能夠大幅提升電源系統的功率密度，明顯優(yōu)化能效表現，降低整體系統成本，在人工智能(AI)數據中心電源、微型逆變器、車(chē)載充電機(OBC)等高壓大功率領(lǐng)域得到日益廣泛的應用。然而，GaN器件在實(shí)際應用中仍面臨諸多
- 關(guān)鍵字： 納芯微 高壓半橋驅動(dòng) E-mode GaN
Finwave籌集820萬(wàn)美元短期投資以推動(dòng)市場(chǎng)發(fā)展
- 美國馬薩諸塞州沃爾瑟姆的 Finwave Semiconductor Inc 宣布了一輪新的 $8.2m 短期投資，由 Fine Structure Ventures、Engine Ventures 和 Safar Partners 領(lǐng)投，技術(shù)合作伙伴 GlobalFoundries 戰略參與。Finwave 認為，新一輪融資表明投資者和行業(yè)領(lǐng)導者對其獨特的硅基氮化鎵技術(shù)的市場(chǎng)潛力充滿(mǎn)信心，因為它正在從以技術(shù)為中心的創(chuàng )新者轉變?yōu)楫a(chǎn)品驅動(dòng)型公司。這家科技公司由麻省理工學(xué)院 （MIT） 的研究人員于 2012
- 關(guān)鍵字： Finwave 短期投資 GaN FinFET
革新電力電子：氮化鎵雙向開(kāi)關(guān)
- 傳統方法的局限性多年來(lái)，工程師們一直致力于解決單向開(kāi)關(guān)的基本限制。當需要雙向電壓阻斷時(shí)，設計人員必須使用多個(gè)分立元件實(shí)現背靠背配置，導致系統復雜性增加、尺寸增大和成本上升。這些配置還會(huì )引入額外的寄生元件，從而影響開(kāi)關(guān)性能和效率。此外，傳統的三端 UDS 設備無(wú)法獨立控制雙向電流流，限制了它們在高級電源轉換拓撲中的應用。 圖片由 Adobe Stock 提供 隨著(zhù)行業(yè)向更高功率密度、更高效率和更低系統成本發(fā)展，這些挑戰變得越來(lái)越重要。傳統的使用背靠背分立開(kāi)關(guān)的方法，在
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GaN可靠性里程碑突破硅天花板
- 半導體行業(yè)正處于性能、效率和可靠性必須同步發(fā)展的階段。AI 基礎設施、電動(dòng)汽車(chē)、電源轉換和通信系統的需求正在將材料推向極限。氮化鎵 （GaN） 越來(lái)越受到關(guān)注，因為它可以滿(mǎn)足這些需求。該行業(yè)已經(jīng)到了這樣一個(gè)地步，人們的話(huà)題不再是 GaN 是否可行，而是如何可靠、大規模地部署它。二十多年來(lái)，我專(zhuān)注于外延生長(cháng)，見(jiàn)證了 GaN 從一種利基研究驅動(dòng)型材料轉變?yōu)殡娏﹄娮宇I(lǐng)域的領(lǐng)先競爭者。進(jìn)展是穩定的，不是一蹴而就的?，F在傾向于 GaN 的公司和工程師是為下一代系統定位自己的公司。設備性能從外延開(kāi)始對于 G
- 關(guān)鍵字： GaN 可靠性 硅
通過(guò)集成驅動(dòng)器和高級保護功能簡(jiǎn)化GaN電源設計
- 高效率和高功率密度是為當今產(chǎn)品設計電源時(shí)的關(guān)鍵特性。為了實(shí)現這些目標，開(kāi)發(fā)人員正在轉向氮化鎵 （GaN），這是一種可實(shí)現高開(kāi)關(guān)頻率的寬帶隙半導體技術(shù)。與競爭對手的功率半導體技術(shù)相比，GaN 最大限度地減少了所需無(wú)源元件的尺寸，同時(shí)降低了柵極驅動(dòng)和反向恢復損耗。此外，半導體制造商正在將其 GaN 器件封裝在高度集成的行業(yè)標準封裝中，從而縮小印刷電路板 （PCB） 的占地面積要求，同時(shí)簡(jiǎn)化供應鏈。GaN 應用在 650 V AC-DC 轉換領(lǐng)域，變壓器外形無(wú)鉛 （TOLL） 封裝是電源設計的有效選擇。采用此封
- 關(guān)鍵字： 集成驅動(dòng)器 高級保護 GaN 電源設計
GaN FET在人形機器人中的應用
- 引言人形機器人集成了許多子系統，包括伺服控制系統、電池管理系統 (BMS)、傳感器系統、AI 系統控制等。如果要將這些系統集成到等同人類(lèi)的體積內，同時(shí)保持此復雜系統平穩運行，會(huì )很難滿(mǎn)足尺寸和散熱要求。人形機器人內空間受限最大的子系統是伺服控制系統。為了實(shí)現與人類(lèi)相似的運動(dòng)范圍，通常在整個(gè)機器人中部署大約 40 個(gè)伺服電機 (PMSM) 和控制系統。電機分布在機器人身體的不同部位，例如頸部、軀干、手臂、腿、腳趾等。該數字不包括手部的電機。為了模擬人手的自由操作，單只手即可能集成十多個(gè)微型電機。這些電機的電源
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【對話(huà)前沿專(zhuān)家】香港科技大學(xué)黃文海教授談氧化鎵器件的突破與展望
- _____在超寬禁帶半導體領(lǐng)域，氧化鎵器件憑借其獨特性能成為研究熱點(diǎn)。我們有幸與香港科技大學(xué)電子及計算機工程教授黃文海教授，圍繞氧化鎵器件的研究現狀、應用前景及測試測量挑戰展開(kāi)深入交流。香港科技大學(xué)在氧化鎵研究領(lǐng)域取得了顯著(zhù)的成果，涵蓋了材料生長(cháng)、器件設計、性能優(yōu)化和應用開(kāi)發(fā)等多個(gè)方面。通過(guò)與國際科研機構和企業(yè)的合作，港科大團隊不僅推動(dòng)了氧化鎵技術(shù)的發(fā)展，也為相關(guān)領(lǐng)域的應用提供了重要的技術(shù)支持。黃文海教授的團隊主要致力于氧化鎵器件全鏈條的研究。在材料生長(cháng)方面，聚焦優(yōu)化晶體生長(cháng)工藝，通過(guò)改進(jìn)熔體生長(cháng)技術(shù)，成
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英飛凌推出全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用GaN晶體管產(chǎn)品系列
- 英飛凌科技股份公司近日推出CoolGaN? G5中壓晶體管，它是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵（GaN）功率晶體管。該產(chǎn)品系列通過(guò)減少不必要的死區損耗提高功率系統的性能，進(jìn)一步提升整體系統效率。此外，該集成解決方案還簡(jiǎn)化了功率級設計，降低了用料成本。集成肖特基二極管的CoolGaN? G5晶體管在硬開(kāi)關(guān)應用中，由于GaN器件的有效體二極管電壓（VSD?）較大，基于GaN的拓撲結構可能產(chǎn)生較高的功率損耗。如果控制器的死區時(shí)間較長(cháng)，那么這種情況就會(huì )更加嚴重，導致效率低于目標值。目前功率器件設
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德州儀器推出新款電源管理芯片，可提高現代數據中心的保護級別、功率密度和效率水平
- 新聞亮點(diǎn)：新款發(fā)布的具有電源路徑保護功能的 48V 集成式熱插拔電子保險絲簡(jiǎn)化了數據中心設計，助力設計人員達到 6kW 以上的功率水平。新型集成式氮化鎵 (GaN) 功率級采用行業(yè)標準的晶體管外形無(wú)引線(xiàn) (TOLL) 封裝，將德州儀器的 GaN 和高性能柵極驅動(dòng)器與先進(jìn)的保護功能相結合。中國上海（2025 年4 月 9 日）— 德州儀器 (TI)（納斯達克股票代碼：TXN）于今日推出新款電源管理芯片，以滿(mǎn)足現代數據中心快速增長(cháng)的電源需求。隨著(zhù)高性能計算和人工智能 (AI) 的采用率越來(lái)越高，數據中心需要更
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SiC 市場(chǎng)的下一個(gè)爆點(diǎn)：共源共柵（cascode）結構詳解
- 安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共柵場(chǎng)效應晶體管）在硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)應用中有諸多優(yōu)勢，SiC JFET cascode應用指南講解了共源共柵（cascode）結構、關(guān)鍵參數、獨特功能和設計支持。本文為第一篇，將重點(diǎn)介紹Cascode結構。Cascode簡(jiǎn)介碳化硅結型場(chǎng)效應晶體管（SiC JFET）相比其他競爭技術(shù)具有一些顯著(zhù)的優(yōu)勢，特別是在給定芯片面積下的低導通電阻（稱(chēng)為RDS.A）。為了實(shí)現最低的RDS.A，需要權衡的一點(diǎn)是其常開(kāi)特性，這意味著(zhù)如果沒(méi)有柵源電壓，或者JFET的柵
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Nexperia擴展GaN FET產(chǎn)品組合，現可支持更多低壓和高壓應用中的功率需求
- Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET產(chǎn)品組合新增12款新器件。本次產(chǎn)品發(fā)布旨在滿(mǎn)足市場(chǎng)對更高效、更緊湊系統日益增長(cháng)的需求。這些新型低壓和高壓E-mode GaN FET適用于多個(gè)市場(chǎng)，包括消費電子、工業(yè)、服務(wù)器/計算以及電信，尤其著(zhù)重于支持高壓、中低功率以及低壓、中高功率的使用場(chǎng)景。自2023年推出E-mode GaN FET以來(lái)，Nexperia一直是業(yè)內少有、同時(shí)提供級聯(lián)型或D-mode和E-mode器件的供應商，為設計人員在應對設計過(guò)程中的不同挑戰提供了更多便捷性。Nexperia
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芯向未來(lái)，2025英飛凌消費、計算與通訊創(chuàng )新大會(huì )成功舉辦
- 3月14日，?“2025?英飛凌消費、計算與通訊創(chuàng )新大會(huì )”（ICIC 2025，以下同）在深圳舉行。本屆大會(huì )匯聚600多位業(yè)界精英，就AI、機器人、邊緣計算、氮化鎵應用等話(huà)題展開(kāi)了精彩探討，首次在國內展示了英飛凌兩款突破性技術(shù)——300mm氮化鎵功率半導體晶圓和20μm超薄硅功率晶圓，彰顯了英飛凌在技術(shù)創(chuàng )新領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，并解讀最新產(chǎn)品與解決方案，為行業(yè)注入新動(dòng)能，助力企業(yè)在低碳數字變革的浪潮中把握先機。2025英飛凌消費、計算與通訊創(chuàng )新大會(huì )（ICIC 2025）在深圳舉行2024年，
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GaN HEMT為開(kāi)關(guān)應用帶來(lái)低噪聲功率
- 氮化鎵 （GaN） 高電子遷移率晶體管 （HEMT） 是場(chǎng)效應晶體管的一種形式，它在微波頻率下工作時(shí)結合了高水平的性能和低噪聲系數。不過(guò)，HEMT 與其他類(lèi)型的 FET 器件有些不同，它的性能優(yōu)于標準結或 MOSFET。這些獨特的器件在微波射頻 （RF） 應用中表現出色。來(lái)自 n 型區域的電子穿過(guò)晶格，許多電子保持在異質(zhì)結附近（異質(zhì)結是指通過(guò)兩個(gè)或多個(gè)半導體的接觸耦合形成的界面區域）。這種只有一層厚的電子形成二維電子氣體。650V GaN HEMT 的開(kāi)關(guān)能量 （Esw） 是在硬開(kāi)關(guān)條
- 關(guān)鍵字： GaN HEMT 開(kāi)關(guān)應用 低噪聲功率
CGD 官宣突破100KW以上技術(shù)，推動(dòng)GAN挺進(jìn)超100億美元的電動(dòng)汽車(chē)逆變器市場(chǎng)
- 無(wú)晶圓廠(chǎng)環(huán)?？萍及雽w公司 Cambridge GaN Devices（CGD）開(kāi)發(fā)了一系列高能效氮化鎵（GaN）功率器件，使更加環(huán)保的電子產(chǎn)品非常易于設計和運行。CGD今日推出的 Combo ICeGaN? 解決方案使 CGD 利用其 ICeGaN? 氮化鎵（GaN）技術(shù)滿(mǎn)足100kW 以上的電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力系統應用，該市場(chǎng)超過(guò)100億美元。Combo ICeGaN?將智能 ICeGaN HEMT IC 和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）組合在同一個(gè)模塊或集成功率管理器件（IPM）中，最大限度地提高了效率，為昂
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