EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
epc gan fet
epc gan fet 文章 進(jìn)入epc gan fet技術(shù)社區
助力新基建，安世半導體升級GaN產(chǎn)品線(xiàn)
- 近日，安世半導體宣布推出新一代H2技術(shù)的全新650V GaN（氮化鎵） FET。重點(diǎn)應用場(chǎng)合包括電動(dòng)汽車(chē)的車(chē)載充電器、高壓DC-DC直流轉換器和發(fā)動(dòng)機牽引逆變器; 1.5~5kW鈦金級工業(yè)電源，用于機架裝配的電信設備、5G設備和數據中心相關(guān)設備。 日前，安世半導體MOS業(yè)務(wù)集團大中華區總監李東岳詳細解析了安世半導體的GaN FET藍圖以及新一代GaN FET的特性。 新一代GaN產(chǎn)品升級 2019年，安世半導體正式推出650V GaN MOSFET，采用級聯(lián)技術(shù)，利用高壓GaN配合低壓
- 關(guān)鍵字： 安世半導體 GaN
電源管理設計小貼士#94：倒置降壓器如何提供非隔離反激器的拓撲選擇
- 離線(xiàn)電源是最常見(jiàn)的電源之一，也稱(chēng)為交流電源。隨著(zhù)旨在集成典型家用功能的產(chǎn)品數量的增加，對所需輸出能力小于1瓦的低功率離線(xiàn)轉換器的需求也越來(lái)越大。對于這些應用程序，最重要的設計方面是效率、集成和低成本。在決定拓撲結構時(shí)，反激通常是任何低功耗離線(xiàn)轉換器的首選。但是，如果不需要隔離，這可能不是最好的方法。假設終端設備是一個(gè)智能燈開(kāi)關(guān)，用戶(hù)可以通過(guò)智能手機的應用程序進(jìn)行控制。在這種情況下，用戶(hù)在操作過(guò)程中不會(huì )接觸到暴露的電壓，因此不需要隔離。對于離線(xiàn)電源來(lái)說(shuō)，反激拓撲是一個(gè)合理的解決方案，因為它的物料清單（BOM
- 關(guān)鍵字： BOM FET VDD
Nexperia（安世半導體）宣布推出新一代 650V 氮化鎵 (GaN) 技術(shù)
- 半導體基礎元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技術(shù)的全新高壓氮化鎵場(chǎng)效應管。新器件包含兩種封裝，TO-247 和Nexperia專(zhuān)有的CCPAK。兩者均實(shí)現了更出色的開(kāi)關(guān)和導通性能，并具有更好的穩定性。由于采用了級聯(lián)結構并優(yōu)化了器件相關(guān)參數，Nexperia的氮化鎵場(chǎng)效應管無(wú)需復雜的驅動(dòng)和控制，應用設計大為簡(jiǎn)化；使用標準的硅MOSFET 驅動(dòng)器也可以很容易地驅動(dòng)它們。 新的氮化鎵技術(shù)采用了貫穿外延層的過(guò)孔，減少了缺陷并且芯片尺寸可縮小約24%。TO-247
- 關(guān)鍵字： Nexperia 650V 氮化鎵 GaN
貿澤即日起供應Qorvo旗下Custom MMIC全線(xiàn)產(chǎn)品
- 作為 Qorvo 產(chǎn)品的全球授權分銷(xiāo)商，貿澤電子 ( Mouser Electronics ) 很高興地宣布即日起Qorvo的Custom MMIC全線(xiàn)產(chǎn)品均可在貿澤官網(wǎng)上在線(xiàn)訂購。Qorvo的Custom MMIC產(chǎn)品組合包括 高性能氮化鎵 (GaN) 和砷化鎵 (GaA) 單片微波集成電路 (MMIC) ，適用于各種航空航天、國防和商業(yè)應用。Qorvo是一家知名的射頻和毫米波創(chuàng )新解決方案制造商，致力于實(shí)現一個(gè)萬(wàn)物互聯(lián)的世界。Qorvo最近
- 關(guān)鍵字： MMIC GaN
學(xué)習采用氮化鎵（GaN）技術(shù)設計最先進(jìn)的人工智能、機械人、無(wú)人機、 全自動(dòng)駕駛汽車(chē)及高音質(zhì)音頻系統
- EPC公司進(jìn)一步更新了其廣受歡迎的教育視頻播客系列，上載了六個(gè)視頻，針對器件可靠性及基于氮化鎵場(chǎng)效應晶體管及集成電路的各種先進(jìn)應用，包括面向人工智能的高功率密度運算應用，面向機械人、無(wú)人機及車(chē)載應用的激光雷達系統，以及Ｄ類(lèi)放音頻放大器。宜普電源轉換公司?（EPC）更新了其廣受歡迎的 “?如何使用氮化鎵器件?” 的視頻播客系列。剛剛上載的六個(gè)視頻主要分享實(shí)用范例，目的是幫助設計師利用氮化鎵技術(shù)設計面向人工智能服務(wù)器及超薄筆記本電腦的先進(jìn)?DC/DC轉換器?、
- 關(guān)鍵字： GaN 音頻放大器
TI LMG341xR050 GaN功率級在貿澤開(kāi)售，支持高密度電源轉換設計
- 專(zhuān)注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷(xiāo)商貿澤電子 (?Mouser Electronics?) 即日起開(kāi)始備貨Texas Instruments (TI) 的LMG341xR050氮化鎵 (GaN) 功率級。這款 600V、500 mΩ的器件具有集成柵極驅動(dòng)器和強大的保護功能，可讓設計人員在電源轉換系統中實(shí)現更高的效率，適用于高密度工業(yè)和消費類(lèi)電源、高壓電池充電器、光伏逆變器和多電平轉換器等應用。貿澤電子備貨的TI LMG341xR050 GaN功率級與硅MOSFET相比擁有多種
- 關(guān)鍵字： GaN UVLO
宜普電源轉換公司（EPC）推出ePower(TM) 功率級集成電路系列， 重新定義功率轉換
- 宜普電源轉換公司（EPC）宣布推出80 V、12.5 A的功率級集成電路，專(zhuān)為48 V DC/DC轉換而設計，用于具有高功率密度的運算應用及針對電動(dòng)車(chē)的電機驅動(dòng)器。 EPC2152是一個(gè)單晶驅動(dòng)器并配以基于氮化鎵場(chǎng)效應晶體管（eGaN? FET）、采用EPC專(zhuān)有的氮化鎵集成電路技術(shù)的半橋功率級。在單芯片上集成輸入邏輯界面、電平轉換電路、自舉充電電路、柵極驅動(dòng)器的緩沖電路及配置為半橋器件的輸出氮化鎵場(chǎng)效應晶體管，從而實(shí)現芯片級LGA封裝、細小的外形尺寸（3.9 毫米 x 2.6 毫米 x 0.63 毫米）。
- 關(guān)鍵字： EPC ePower 功率級集成電路
氮化鎵(GaN)接替硅，支持高能效、高頻電源設計
- 在所有電力電子應用中，功率密度是關(guān)鍵指標之一，這主要由更高能效和更高開(kāi)關(guān)頻率驅動(dòng)。隨著(zhù)基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限，設計工程師現在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵（GaN）來(lái)提供方案。對于新技術(shù)而言，GaN本質(zhì)上比其將取代的技術(shù)（硅）成本低。GaN器件與硅器件是在同一工廠(chǎng)用相同的制造程序生產(chǎn)出。因此，由于GaN器件小于等效硅器件，因此每個(gè)晶片可以生產(chǎn)更多的器件，從而降低了每個(gè)晶片的成本。GaN有許多性能優(yōu)勢，包括遠高于硅的電子遷移率（3.4eV對比1.1eV），這使其具有比硅高1000倍的電子傳導效率的潛力。值得注
- 關(guān)鍵字： LDN GaN
馬瑞利牽手氮化鎵(GaN)技術(shù)領(lǐng)導者TRANSPHORM Inc.
- 領(lǐng)先的汽車(chē)供應商MARELLI近日宣布與美國一家專(zhuān)注于重新定義功率轉換的半導體公司Transphorm達成戰略合作。通過(guò)此協(xié)議，MARELLI將獲得電動(dòng)和混合動(dòng)力車(chē)輛領(lǐng)域OBC車(chē)載充電器、DC-DC 轉換器和動(dòng)力總成逆變器開(kāi)發(fā)的尖端技術(shù)，進(jìn)一步完善MARELLI在整體新能源汽車(chē)技術(shù)領(lǐng)域的布局。Transphorm被公認為是氮化鎵(GaN)技術(shù)的領(lǐng)導者，提供高壓電源轉換應用的最高效能、最高可靠性的氮化鎵(GaN)半導體，并擁有和汽車(chē)行業(yè)（尤其是日本）直接合作的成功經(jīng)驗。獲得這一技術(shù)對正在探索電力傳動(dòng)系統業(yè)務(wù)
- 關(guān)鍵字： OBC GaN
Qorvo推出業(yè)內最高性能的寬帶 GaN 功率放大器
- 移動(dòng)應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應商Qorvo?, Inc.近日推出全球性能最高的寬帶功率放大器 (PA)--- TGA2962。Qorvo今天推出的這款功率放大器是專(zhuān)為通信應用和測試儀表應用而設計，擁有多項性能突破：它能夠在 2-20 GHz 的頻率范圍提供業(yè)界領(lǐng)先的 10 瓦 RF 功率以及 13dB 大信號增益和 20-35% 的功率附加效率。這種組合為系統設計人員帶來(lái)提高系統性能和可靠性所需的靈活性，同時(shí)減少了元件數量、占用空間和成本。Qorvo 高性能解決方案業(yè)務(wù)
- 關(guān)鍵字： GaN 功率放大器
Nexperia與Ricardo合作開(kāi)發(fā)基于GaN的EV逆變器設計
- 奈梅亨，2020年2月25日：分立器件、MOSFET器件、GaN FET器件及模擬和邏輯器件領(lǐng)域的生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia宣布與知名汽車(chē)工程咨詢(xún)公司Ricardo合作，以研制基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的EV逆變器技術(shù)演示器。 GaN是這些應用的首選功率器件，因為GaN FETs使系統以更低的成本達到更高的效率、更好的熱性能和更簡(jiǎn)單的開(kāi)關(guān)拓撲。在汽車(chē)領(lǐng)域，這意味著(zhù)車(chē)輛行駛里程更長(cháng)，而這正是所有電動(dòng)汽車(chē)消費者最關(guān)心的問(wèn)題?，F在，GaN即將取代基于硅的IGBT和SiC，成為插電式混合動(dòng)力汽車(chē)
- 關(guān)鍵字： Nexperia GaN EV逆變器
宜普電源轉換公司（EPC）推出基于車(chē)規級氮化鎵（eGaN ）技術(shù)的飛行時(shí)間（ToF）演示板
- EPC9144演示板內的車(chē)規級EPC2216氮化鎵場(chǎng)效應晶體管（eGaN FET）可支持大電流納秒脈衝的應用，提供高速的大電流脈沖 – 電流可高達28 A、脈寬則可低至1.2納秒，從而使得飛行時(shí)間及flash激光雷達系統更準確、更精確及更快速。近日，宜普電源轉換公司（EPC）宣布推出15 V、28 A大電流脈沖激光二極管驅動(dòng)電路板（EPC9144）。在飛行時(shí)間（ToF）系統，對偵測物件的速度及準確性非常重要。EPC9144演示板展示出通過(guò)AECQ101認證的車(chē)規級EPC2216氮化鎵場(chǎng)效應晶體管具備快速轉
- 關(guān)鍵字： EPC ToF
epc gan fet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條epc gan fet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對epc gan fet的理解，并與今后在此搜索epc gan fet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對epc gan fet的理解，并與今后在此搜索epc gan fet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
epc gan fet電路
epc gan fet相關(guān)帖子
epc gan fet資料下載
epc gan fet專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473