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2018年全球十大突破性技術(shù)是如何產(chǎn)生的?

  •   《麻省理工科技評論》于近日揭曉2018 年“全球十大突破性技術(shù)”,這份全球新興科技領(lǐng)域的權威榜單至今已經(jīng)有 17 年的歷史。   1、給所有人的人工智能 AI for everyone   入選理由:將機器學(xué)習工具搬上云端,將有助于人工智能更廣泛的傳播   重大意義:目前,人工智能的應用是受到少數幾家公司統治的。但其一旦與云技術(shù)相結合,那它將可以對許多人變得觸手可及,從而實(shí)現經(jīng)濟的爆發(fā)式增長(cháng)。   主要研究者:Google,亞馬遜,阿里云,騰訊云,百度云,金山云,京東云
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氮化鎵襯底晶片實(shí)現“中國造”

  •   一枚看似不起眼、“又輕又薄”的晶片,卻能做出高功率密度、高效率、寬頻譜、長(cháng)壽命的器件,是理論上電光、光電轉換效率最高的材料體系。這個(gè)“小身體大能量”的晶片叫作氮化鎵(GaN)襯底晶片,是蘇州納維科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)蘇州納維)的主打產(chǎn)品。   “不會(huì )游泳的時(shí)候就跳下了水”   蘇州納維依托中科院蘇州納米所而建。作為中國首家氮化鎵襯底晶片供應商, 團隊從氮化鎵單晶材料氣相生長(cháng)的設備開(kāi)始研發(fā),逐步研發(fā)成功1英寸、2英寸、4英寸、6
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宜普電源轉換公司(EPC)推出比等效MOSFET小型化8倍的40V氮化鎵功率晶體管

  •   宜普電源轉換公司(EPC)宣布推出EPC2049功率晶體管,應用于負載點(diǎn)(POL)轉換器、激光雷達(LiDAR)、包絡(luò )跟蹤電源、D類(lèi)音頻放大器及具低電感的馬達驅動(dòng)器。?EPC2049晶體管的額定電壓為40?V、最大導通電阻為5?m?及脈沖輸出電流為175?A?! ∨c采用塑膠封裝的MOSFET相比,采用芯片級封裝的EPC2049氮化鎵場(chǎng)效應晶體管的散熱性能好很多,這是由于使用芯片級封裝的氮化鎵器件可以直接把熱量散出至環(huán)境,而MOSFET晶片的熱量則聚集在塑膠封裝內
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宜普電源轉換公司(EPC)于CES? 2018展覽展示基于GaN技術(shù)的大面積無(wú)線(xiàn)電源及高分辨率激光雷達應用

  •   EPC公司將于2018年1月9日至12日在美國拉斯維加斯舉行的國際消費電子展(CES? 2018)展示eGaN?技術(shù)如何實(shí)現兩種改變業(yè)界游戲規則的消費電子應用 -- 分別是無(wú)線(xiàn)充電及自動(dòng)駕駛汽車(chē)的激光雷達應用?! PC將在A(yíng)irFuel聯(lián)盟于CES 2018展覽攤位攜手合作展示基于氮化鎵器件并嵌入桌面的無(wú)線(xiàn)充電系統,可以在桌面上任何位置對多種設備同時(shí)充電,可傳送高達300 W功率??蓚魉瓦@么大功率使得我們可以同時(shí)對電腦、電腦顯示器、桌燈、掌上型電腦及
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面向激光雷達應用并采用EPC氮化鎵(eGaN)技術(shù)的150安培開(kāi)發(fā)板可以驅動(dòng)5 納秒脈寬的脈沖電流

  •   宜普電源轉換公司(EPC)宣布推出全新的100 V、150 A大電流脈沖激光二極管的驅動(dòng)演示電路板(EPC9126HC)。面向全自動(dòng)汽車(chē)應用的激光雷達系統需要制作三維地圖,因此,偵測四周的目標物件的速度及準確性變得非常重要。從EPC9126HC演示電路板可以看到,與等效MOSFET相比,具備快速轉換特性的氮化鎵場(chǎng)效應晶體管(eGaN FET)所提供的脈沖功率可以快十倍的速度驅動(dòng)激光二極管,從而提升激光雷達系統的整體性能?! PC9126HC開(kāi)發(fā)板主要驅動(dòng)激光二極管,備有
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集成智能——第1部分:EMI管理

  •   智能集成電機驅動(dòng)器和無(wú)刷直流(BLDC)電機可以幫助電動(dòng)汽車(chē)和新一代汽車(chē)變得更具吸引力、更可行及更可靠?! D1所示為集成電機驅動(dòng)器結合驅動(dòng)電機所需的一切要素,如場(chǎng)效應晶體管(FET)、柵極驅動(dòng)器和狀態(tài)機。集成避免了電線(xiàn)從電子控制單元(ECU)到電機的布線(xiàn)距離過(guò)長(cháng),并還具有更小印刷電路板(PCB)尺寸和更低整體系統成本的優(yōu)點(diǎn)?! LDC電機在汽車(chē)應用中提供的優(yōu)勢包括效率、緊湊的尺寸、更長(cháng)的電機壽命和電池壽命、更安靜的車(chē)內體驗以及更好的EMI性能?! D1:智能集成BLDC電機驅動(dòng)器  集成智能系列博
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使用FET和雙極性晶體管的寬帶緩沖電路

  • 使用FET和雙極性晶體管的寬帶緩沖電路-下面的圖是一個(gè)寬帶緩沖電路。該電路是由晶體管和FET構成的。這個(gè)寬帶放大器具有較高的輸入阻抗和低輸入阻抗。
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如何保護你的系統不受反向電流的影響

  • 如何保護你的系統不受反向電流的影響- 在使用電子元器件時(shí),你有時(shí)候不可避免地會(huì )聞到明顯是芯片燒焦的味道。這都是反向電流惹的禍。反向電流就是由于出現了高反向偏置電壓,系統中的電流以相反的方向運行;從輸出到輸入。幸運的是,有很多方法可以保護你的系統不受反向電流的影響。這是反向電流保護系列博文的第一篇文章,在這篇文章中,你將能夠對現有解決方案有高層次的總體認識和了解。
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揭開(kāi)電池管理系統的神秘面紗

  • 揭開(kāi)電池管理系統的神秘面紗-現在的電子設備具有更高的移動(dòng)性并且比以前更綠色,電池技術(shù)進(jìn)步推動(dòng)了這一進(jìn)展,并惠及了包括便捷式電動(dòng)工具、插電式混合動(dòng)力車(chē)、無(wú)線(xiàn)揚聲器在內的廣泛產(chǎn)品。近年來(lái),電池效率(輸出功率/尺寸比)和重量均出現大幅改善。試想一下汽車(chē)電池得多龐大和笨重,其主要用途是啟動(dòng)汽車(chē)。隨著(zhù)技術(shù)的最新進(jìn)展,你可以改用鋰離子電池來(lái)迅速啟動(dòng)汽車(chē),其重量只有幾磅,尺寸也就人手那么大。
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制造能耗變革從新一代半導體開(kāi)始

  •   接近62%的能源被白白浪費   美國制造創(chuàng )新網(wǎng)絡(luò )(目前稱(chēng)為MgfUSA)已經(jīng)闡明了美國制造業(yè)規劃的聚焦點(diǎn)在材料與能源。清潔能源智能制造CESMII中的清潔能源與能源互聯(lián)網(wǎng)自不必說(shuō),而在復合材料IACMI和輕量化研究院LIFT中都關(guān)注到了汽車(chē)減重設計,本身也是為了降低能源消耗的問(wèn)題。在美國第二個(gè)創(chuàng )新研究院“美國電力創(chuàng )新研究院” Power Amercia(PA)其關(guān)注點(diǎn)同樣在于能源的問(wèn)題。這是一個(gè)關(guān)于巨大的能源市場(chǎng)的創(chuàng )新中心。      圖1:整體的能源轉換效率約在38
  • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  

GaN器件開(kāi)路 5G將重塑RF產(chǎn)業(yè)

  •   未來(lái)五年,通信產(chǎn)業(yè)向5G時(shí)代的革命性轉變正在深刻重塑RF(射頻)技術(shù)產(chǎn)業(yè)現狀。這不僅是針對智能手機市場(chǎng),還包括3W應用RF通信基礎設施應用,并且,5G將為RF功率市場(chǎng)的化合物半導體技術(shù)帶來(lái)重大市場(chǎng)機遇。   未來(lái)幾年,據Yole最新發(fā)布的《RF功率市場(chǎng)和技術(shù)趨勢-2017版》報告預計,隨著(zhù)電信基站升級和小型基站部署的需求增長(cháng),RF功率市場(chǎng)將獲得強勁增長(cháng)。2016~2022年期間,整體RF功率市場(chǎng)營(yíng)收或將增長(cháng)75%,帶來(lái)9.8%的復合年增長(cháng)率。這意味著(zhù)市場(chǎng)營(yíng)收規模將從2016年的15億美元增長(cháng)至202
  • 關(guān)鍵字: GaN  5G  

5G推動(dòng)RF PA技術(shù)改朝換代 GaN逐漸取代LDMOS

  • 展望未來(lái),采用GaN制程的RF PA將成為輸出功率3W以上的RF PA所采用的主流制程技術(shù),LDMOS制程的市場(chǎng)份額則會(huì )明顯萎縮。
  • 關(guān)鍵字: 5G  GaN  

世強聯(lián)手EPC,合力布局國內GaN功率器件市場(chǎng)

  •   世強宣布與基于增強型氮化鎵的功率管理器件的領(lǐng)先供應商EPC(宜普電源轉換公司)簽約合作,作為EPC中國區代理,銷(xiāo)售其全線(xiàn)產(chǎn)品?! ?,EPC(宜普電源轉換公司)為首家推出替代功率Si MOSFET器件的硅基增強型氮化鎵(eGaN)場(chǎng)效應晶體管的公司,其目標應用包括直流-直流轉換器、無(wú)線(xiàn)充電,自動(dòng)駕駛、包絡(luò )跟蹤、射頻傳送、功率逆變器、激光雷達(LiDAR)及D類(lèi)音頻放大器等,GaN器件在速度,損耗,效率等性能上比硅材料的功率器件優(yōu)越很多?! ⊥ㄟ^(guò)增強型氮化鎵技術(shù),不僅可以提高電源效率,還可以
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2021年全球MOCVD市場(chǎng)將突破11億美元

  •   什么是MOCVD?   MOCVD是在氣相外延生長(cháng)(VPE)的基礎上發(fā)展起來(lái)的一種新型氣相外延生長(cháng)技術(shù)。主要以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長(cháng)源材料,以熱分解反應方式在襯底上進(jìn)行氣相外延,生長(cháng)各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。   MOCVD設備主要用于半導體材料襯底的外延生長(cháng),是LED以及半導體器件的關(guān)鍵設備。   根據Technavio統計,全球MOCVD市場(chǎng)的復合年平均增長(cháng)率將在2021年之前增長(cháng)到14%,市場(chǎng)規模將從201
  • 關(guān)鍵字: MOCVD  GaN  
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