DDR5/GDDR6/LPDDR5/HBM3都來(lái)了

　　Hot Chip 2016大會(huì )上，內存技術(shù)突然成了一大熱點(diǎn)，DDR5、GDDR6、LPDDR5、HBM3等新一代標準相繼浮出水面，明后兩年陸續就能見(jiàn)到。

　　這份發(fā)展規劃主要來(lái)自存儲大廠(chǎng)三星，美光也提出了一些想法，而新規范自然主要以提高速度、擴大容量、降低功耗為主。

　　DDR5內存的設想是單條容量最小8GB、最大32GB，帶寬最高6.4Gbps，兩倍于DDR4，而電壓和當前的DDR4一樣維持在1.1V，這在歷史上倒是第一次。

　　美光計劃2019年量產(chǎn)DDR5，三星則計劃2018年就行動(dòng)。

　　GDDR6顯存數據率將沖擊14Gbps，高于現在的GDDR5X 12Gbps、GDDR5 10Gbps，電壓則是1.35V。

　　LPDDR5內存之前其實(shí)還準備了個(gè)過(guò)渡性質(zhì)的LPDDR4X，三星、海力士都有相關(guān)規劃，速度從LPDDR4 3733Mbps提高到4266Mbps，VDDQ 0.6V、VDD 1.1V的電壓則維持不變。

　　聯(lián)發(fā)科Helio P20處理器已經(jīng)第一個(gè)支持LPDDR4X，但這么一款中端芯片搭配最強內存有些不倫不類(lèi)，而且事實(shí)上這顆處理器還沒(méi)發(fā)布呢。

　　LPDDR5的目標是做到6400Mbps的超高帶寬，VDDQ/VDD電壓要比現在的0.6/1.1V更低，功耗有望降低最多20%，對未來(lái)的高端手機是一大福音。

　　HBM2剛剛開(kāi)始量產(chǎn)，HBM3自然還得很久，預計2019-2020年才會(huì )推出。三星和海力士都已經(jīng)投入研發(fā)，計劃將單顆容量做到最大64GB，帶寬則可達2TB/s。