第二季DRAM總營(yíng)收小幅增長(cháng)6.3%

　　TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀(guān)察)最新報告顯示，由于市況供過(guò)于求，第二季DRAM的平均銷(xiāo)售單 價(jià)持續下滑，整體均價(jià)季跌幅超過(guò)5%。然而，受惠于美光20納米及SK海力士21納米產(chǎn)出順利，帶動(dòng)位元供給增長(cháng)，使得第二季全球DRAM總營(yíng)收約91億 美元，季增長(cháng)6.3%。

　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第二季筆記本電腦及服務(wù)器相 關(guān)產(chǎn)品出貨動(dòng)能表現一般，但中國地區的智能手機出貨依然強勁，因此DRAM三大廠(chǎng)也同步調整產(chǎn)品類(lèi)別，持續向行動(dòng)式內存轉進(jìn)。伴隨第三季強勁的旺季備貨需 求到來(lái)，DRAMeXchange預估第三季全球DRAM總營(yíng)收將出現較顯著(zhù)的增長(cháng)。

　　三大廠(chǎng)營(yíng)收皆增長(cháng)，美光集團營(yíng)業(yè)獲利率逆勢止跌

　　三星依然是DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收排行第一，營(yíng)收季成長(cháng)約8.7%，市場(chǎng)份額達47.4%，SK海力士DRAM營(yíng)收季增長(cháng)4%，市場(chǎng)份額達26.5%，排名第二。美光集團仍位居第三，營(yíng)收季增長(cháng)8.8%，市場(chǎng)份額19%。

　　然而，受到銷(xiāo)售單價(jià)下跌壓力的影響，與上季相較，三星營(yíng)業(yè)獲利率由40%降至36%，SK海力士由24%下降至18%，美光集團則因制程轉進(jìn)逐漸穩定，營(yíng)業(yè)獲利率由-1.2%略升為-0.6%。

　　SK海力士、美光集團制程轉進(jìn)始見(jiàn)成效

　　三星20納米已穩定的成為各產(chǎn)品線(xiàn)主流制程，為三大廠(chǎng)商當中成本最低，而原定于2016年中要導入的18納米制程則在三星控制產(chǎn)出的考慮下，小幅減少投片量。三星后續的獲利策略將以提升銷(xiāo)售單價(jià)為優(yōu)先，不一味尋求降低成本。

　　SK海力士的21納米制程已導入約2個(gè)季度，目前主要的量仍集中在標準型內存。今年下半年可更加著(zhù)力在降低成本，以提高獲利表現。

　　第二季美光集團20納米產(chǎn)出比重穩定提升，有助于提高營(yíng)業(yè)獲利，待未來(lái)持續降低成本。吳雅婷指出，下半年因DRAM價(jià)格上漲，有望繼續提升美光集團獲利表現。

　　由于第二季標準型、利基型內存價(jià)格跌落谷底，加上主力客戶(hù)放慢拿貨力道，導致南亞科營(yíng)收季衰退12.3%，但隨著(zhù)新工廠(chǎng)Fab 3A North完工，明年上半將導入20納米制程，屆時(shí)南亞科成本有望進(jìn)一步降低。

　　第二季力晶科技DRAM營(yíng)收小幅下滑6.3%，主要由于液晶驅動(dòng)器(LCD Driver)需求強勁，轉而減少DRAM產(chǎn)品比重所致。

　　華邦電子第二季營(yíng)收小幅成長(cháng)3.3%，除46納米比重持續提升外，利基型、行動(dòng)式內存皆有貢獻，華邦新工廠(chǎng)Fab C預定最大產(chǎn)能預定約1.6萬(wàn)，將進(jìn)行最新的38納米制程，最快于明年上半進(jìn)入試產(chǎn)。