Kilopass憑借其革命性的VLT技術(shù)改變DRAM產(chǎn)業(yè)格局
半導體嵌入式非易失性存儲器(eNVM)知識產(chǎn)權(IP)產(chǎn)品領(lǐng)先提供商Kilopass Technology, Inc.今日宣布:推出其革命性的垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor, VLT)技術(shù),進(jìn)而顛覆全球DRAM市場(chǎng)。VLT存儲單元在2015年已通過(guò)驗證,目前一款新的完整存儲器測試芯片正處于早期測試階段。Kilopass一直致力于推廣這項技術(shù),并正與DRAM制造商進(jìn)行許可協(xié)商。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/201610/311411.htm“Kilopass以一次性可編程(OTP)存儲器技術(shù)的領(lǐng)導者而聞名,我很高興我們能夠為DRAM市場(chǎng)帶來(lái)新的革新,”Kilopass首席執行官Charlie Cheng說(shuō)道。“我們的VLT技術(shù)是一項真正具有顛覆性的技術(shù),運用它我們的被授權商能夠迅速高效地為市場(chǎng)提供與JEDEC標準完全兼容的DRAM產(chǎn)品,這些產(chǎn)品在功耗和成本上將具有顯著(zhù)優(yōu)勢,同時(shí)也免去了現有DRAM制造流程中構建電容的困擾。”
VLT概覽
晶閘管是一種結構復雜的電子器件,在電學(xué)上等效于一對交叉耦合的雙極型晶體管。由于鎖存的形成,這種結構非常適合存儲器;與當前基于電容的DRAM相比,晶閘管內存不需要刷新。晶閘管于20世紀50年代被發(fā)明,之前人們曾屢次嘗試將其應用于SRAM市場(chǎng),但都未能成功。
Kilopass的VLT通過(guò)垂直方式實(shí)現晶閘管架構,從而使存儲單元更加緊湊。緊湊的結構加上所需的物理器件,構造出制造工藝簡(jiǎn)單的交叉點(diǎn)內存,這將帶來(lái)一項與DDR標準兼容,并且比當前頂尖的20納米DRAM制造成本低45%的新技術(shù)。
此外,因為VLT不需要復雜且高功耗的刷新周期,基于VLT的DDR4 DRAM將待機功耗降低了10倍,可降低到50fA/bit以下,且仍將性能提高15%。最為關(guān)鍵的是,VLT避開(kāi)了傳統DRAM制造中最大的挑戰,即溝電容的制造,從而規避了相關(guān)的專(zhuān)利沖突,這一點(diǎn)具有很重要的戰略意義。
VLT存儲單元的運行和器件測試已于2015年完成,測試結果與器件仿真系統TCAD具有優(yōu)異的關(guān)聯(lián)性。一塊完整的內存測試芯片已于5月份成功流片,早期芯片測試正在進(jìn)行當中。
行業(yè)展望
巨大的全球DDR(SDRAM)存儲器市場(chǎng)在總產(chǎn)值為3500億美元的全球半導體市場(chǎng)中占據了超過(guò)500億美元的份額,使其成為政府為促進(jìn)國內半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展而推出的推動(dòng)措施中,最重要的產(chǎn)品類(lèi)別之一。就中國而言,國務(wù)院于2014年6月頒布了《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》,要實(shí)現其中集成電路行業(yè)產(chǎn)值從2015年3500億人民幣以年均20%的增速達到2020年約8700億人民幣這一目標,DRAM產(chǎn)業(yè)的增長(cháng)顯得至關(guān)重要。
然而,DRAM市場(chǎng)已經(jīng)十分成熟,且由三星(Samsung)、海力士(SK Hynix)和美光(Micron)三家企業(yè)共同占有超過(guò)90%的市場(chǎng)份額?,F有DRAM的最關(guān)鍵技術(shù)是電容存儲單元,它不僅帶來(lái)了特有的制造挑戰,還被大量專(zhuān)利所保護。為了進(jìn)入DRAM市場(chǎng),后發(fā)的中國廠(chǎng)商必須利用創(chuàng )新的替代方案,以推動(dòng)競爭升級,爭取實(shí)現差異化。VLT技術(shù)則代表了這樣的一種可能性。
供貨
現在已可以向數量有限的特許受讓人提供VLT DRAM技術(shù),用于20nm到31nm工藝技術(shù)節點(diǎn)。Kilopass已使用其突破性的TCAD模擬器,在所有的半導體制造工藝細節上對這兩個(gè)節點(diǎn)進(jìn)行了詳盡的模擬,新一代10nm技術(shù)的驗證有望在2017年完成。
全新的VLT DRAM架構將于2016年10月12日到13日在“中國集成電路設計業(yè) 2016 年會(huì )暨長(cháng)沙集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng )新發(fā)展高峰論壇”上展出,該活動(dòng)的舉辦地點(diǎn)為湖南省長(cháng)沙市湖南國際會(huì )議和展覽中心,Kilopass的展臺號是119。
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