紫光蓋全球最大3DNAND廠(chǎng),暫時(shí)不涉足DRAM

　　大陸紫光集團在2016年終正式宣布投資總額高達240億美元，在武漢東湖高新區興建全球單一最大3D儲存型快閃存儲器(NAND Flash)廠(chǎng)，為全球存儲器市場(chǎng)投下一顆震撼彈。

　　半導體設備業(yè)透露，紫光集團由旗下長(cháng)江存儲公司負責推動(dòng)這項計畫(huà)。紫光集團暨長(cháng)江存儲董事長(cháng)趙偉國甚至將這項投資案，等同遼寧號航空母艦出海試航，是中國大陸存儲器產(chǎn)業(yè)從零突破的開(kāi)端，也創(chuàng )下由國家戰略推動(dòng)、地方大力支持、企業(yè)市場(chǎng)化運作的新合作模式。

　　由紫光集團聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金(大基金)、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資，并結合武漢、上海、矽谷及臺灣等研發(fā)人員，決定以自主研發(fā)投入生產(chǎn)3D NAND Flash設計、制造。

　　由長(cháng)江存儲主導投資的3D NAND Flash廠(chǎng)，位于武漢東湖高新區的武漢未來(lái)科技城，占地高達1,968畝，將建立三座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash廠(chǎng)房，一座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑，第一期計畫(huà)預定2018年建成啟用投產(chǎn)，2020年全部完工，月產(chǎn)能將達到30萬(wàn)片，年產(chǎn)值將超過(guò)100億美元。將成為全球最大單一NAND晶片制造廠(chǎng)。

　　至于后續的封測，以南茂為主要封測平臺，但力成也積極接洽爭取。

　　紫光高層并透露，長(cháng)江存儲將會(huì )等到取得國際大廠(chǎng)授權，或自主研發(fā)技術(shù)達到成熟階段，才會(huì )跨足DRAM制造，絕不會(huì )竊取他廠(chǎng)的技術(shù)或專(zhuān)利投入生產(chǎn)。

　　紫光集團董事長(cháng)趙偉國上月30日宣布這項投資案，當天包括：中共工信部副部長(cháng)劉利華、工信部電子信息司司長(cháng)刁石京、國家發(fā)改委高技術(shù)產(chǎn)業(yè)司副司長(cháng)孫偉、國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金公司董事長(cháng)王占甫等人，與湖北省副省長(cháng)許克振，武漢市委、常務(wù)副市長(cháng)龍正才、東湖高新區黨工委書(shū)記胡立山等重要官員都親自出席，為中國大陸跨足建立自主存儲器技術(shù)且是歷年來(lái)單筆最大投資案做見(jiàn)證。

　　業(yè)界人士指出，雖然紫光集團強調技術(shù)自主研發(fā)，但近期已積極對臺展開(kāi)大規模挖角行動(dòng)，值得有關(guān)單位和企業(yè)密切注意。