華亞科被高薪挖角 大陸存儲點(diǎn)燃DRAM主導權大戰

　　中國大陸紫光集團長(cháng)江存儲、合肥長(cháng)鑫及福建晉華都積極爭取大陸存儲主導權，隨著(zhù)三大體建廠(chǎng)計劃預定2018年量產(chǎn)，三大體系將正面對決。

　　長(cháng)鑫目前已網(wǎng)羅SK海力士、華亞科及臺廠(chǎng)DRAM設計公司相關(guān)人員，構成中日臺的存儲研發(fā)團隊。長(cháng)鑫日前正式曝光相關(guān)投資計劃，預定第一期在合肥空港經(jīng)濟示范區興建第一座12吋晶圓廠(chǎng)，明年7月動(dòng)工，目前團隊已逾50位員工，預定明年要達千人規模、2018年上看2，000人，這也是為何急于對臺挖角的關(guān)鍵。

　　大陸發(fā)展自主存儲已列入大陸國家發(fā)展目標，多方勢力積極主導地位，其中，紫光列名國家級發(fā)展存儲廠(chǎng)商外，也獲大基金支持，今年8月整并武漢新芯成立長(cháng)江存取公司，由紫光集團董事長(cháng)趙偉國出任長(cháng)江存儲公司董事長(cháng)，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金總經(jīng)理丁文武出任副董事長(cháng)，武漢新芯執行長(cháng)楊士寧擔任執行長(cháng)。

　　三大存儲布局重讀

　　據臺灣媒體報道，近期大陸三股勢力正如火如荼點(diǎn)燃DRAM主導權大戰，長(cháng)江存儲傳已評估到南京設立12吋廠(chǎng)，聯(lián)電大陸DRAM廠(chǎng)福建晉華計劃2018年量產(chǎn)，并在南科廠(chǎng)同步研發(fā)25、30納米制程，至于合肥市與北京兆易創(chuàng )新(GigaDevice)合作的合肥長(cháng)鑫，由前中芯國際執行長(cháng)王寧國操刀，大陸這三股DRAM勢力將決戰2018年，搶當大陸DRAM產(chǎn)業(yè)龍頭。

　　盡管大陸布局自制3DNANDFlash雛形漸現，長(cháng)江存儲將與已購并飛索(Spansion)的賽普拉斯(Cypress)合作，切入32層和64層3DNAND技術(shù)，由于門(mén)檻較高，長(cháng)江存儲仍有機會(huì )急起直追國際存儲器大廠(chǎng)，然值得注意的是，全球存儲器產(chǎn)業(yè)將率先上演大陸力爭DRAM主導權戲碼。

　　目前大陸DRAM勢力處于戰國時(shí)代，至少有三股DRAM勢力全面競逐版圖，除了長(cháng)江存儲之外，還有聯(lián)電旗下福建晉華，其主要操盤(pán)手為前瑞晶總經(jīng)理、現任聯(lián)電資深副總陳正坤，第三股DRAM勢力則是合肥市政府結合GigaDevice及王寧國人馬成立的合肥長(cháng)芯。

　　長(cháng)江存儲與旗下武漢新芯原本是扮演大陸存儲器中心角色，將統籌3DNAND和DRAM兩大存儲器技術(shù)發(fā)展，然大陸政府傳出針對長(cháng)江存儲DRAM布局進(jìn)行規范，若是自行研發(fā)DRAM技術(shù)必須先量產(chǎn)3DNAND，但若對外購買(mǎi)技術(shù)則無(wú)此限制，使得長(cháng)江存儲積極與國際大廠(chǎng)合作，以加速DRAM量產(chǎn)，并獲得專(zhuān)利保護傘。

　　長(cháng)江存儲除了積極與美光洽談DRAM技術(shù)專(zhuān)利授權，業(yè)界亦傳出正著(zhù)手評估自建或購并現有晶圓廠(chǎng)的可能性，甚至有意跟隨臺積電腳步評估在南京設立12吋晶圓廠(chǎng)，長(cháng)江存儲執行長(cháng)楊士寧則表示，將以購并現有晶圓廠(chǎng)為第一考量。

　　近期武漢新芯12吋新廠(chǎng)已經(jīng)動(dòng)起來(lái)，單月產(chǎn)能規劃30萬(wàn)片，涵蓋NANDFlash和DRAM芯片，然業(yè)界預期長(cháng)江存儲兩大產(chǎn)品線(xiàn)的生產(chǎn)基地，最終仍會(huì )分開(kāi)進(jìn)行。至于大陸另外兩個(gè)DRAM陣營(yíng)亦加快腳步展開(kāi)研發(fā)自制，希望搶在長(cháng)江存儲之前先量產(chǎn)DRAM技術(shù)，以爭取大陸DRAM產(chǎn)業(yè)寶座。

　　聯(lián)電與福建晉江地方政府合作成立的福建晉華新廠(chǎng)已經(jīng)動(dòng)工，預計2018年進(jìn)入量產(chǎn)，業(yè)界傳出大陸注資近新臺幣100億元，讓聯(lián)電在南科廠(chǎng)同時(shí)進(jìn)行25、30納米技術(shù)研發(fā)，預計2017年底完成技術(shù)開(kāi)發(fā)，福建晉華則配合在2018年下半裝機，屆時(shí)聯(lián)電南科廠(chǎng)DRAM技術(shù)將快速轉到福建晉華量產(chǎn)。

　　盡管福建晉華至少要投入25納米以下制程技術(shù)，才有機會(huì )獲得大陸官方青睞，但聯(lián)電采取較謹慎作法，避免一下子投入25納米技術(shù)開(kāi)發(fā)面臨失敗風(fēng)險，遂同時(shí)研發(fā)30納米作為備案。

　　大陸第三股DRAM勢力系由王寧國操刀的合肥長(cháng)鑫，原本合肥市政府和GigaDevice投資的廠(chǎng)房，傳出主要投入DRAM相關(guān)存儲器IC設計，然近期業(yè)界傳出該陣營(yíng)將豪擲逾新臺幣1，000億元，同時(shí)進(jìn)行DRAM研發(fā)和制造。

　　目前大陸這三股DRAM勢力持續進(jìn)行招兵買(mǎi)馬，并雙頭并進(jìn)朝向技術(shù)專(zhuān)利授權及自主技術(shù)研發(fā)模式發(fā)展，希望趁著(zhù)大陸DRAM主導權還未底定之前先卡好位，預期2018年這三大DRAM陣營(yíng)將力拚量產(chǎn)并陷入激戰。

　　齊齊挖角華亞科

　　中國大陸兩大體系紫光和合肥長(cháng)鑫同步鎖定挖角華亞科制程相關(guān)人才，其中由合肥市政府主導的存儲研發(fā)團隊合肥長(cháng)鑫，開(kāi)出三倍高薪和紫光集團的雙倍薪較勁，在存儲界丟出一顆震撼彈，凸顯中國大陸建立存儲自主技術(shù)的決心。

　　大陸高薪挖角的行動(dòng)，也將讓本月才正式并入美光的華亞科，甚至臺塑集團旗下的南亞科，明年將有大批人才跳槽，如何挽留這些人才，將成為首要課題。

　　中國大陸已將存儲列為國家發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)重項扶植項目，除了明定紫光集團為指標廠(chǎng)外，各地方政府也積極整合，希望列入國家級補助計劃之列。

　　不過(guò)在爭取和國外技術(shù)授權后，以武岳鋒為首的大陸基金，和國家大基金都各自積極整合尋求突圍，其中以合肥與中國大陸NANDFlash設計公司兆易創(chuàng )新(Gigadevice)合作的合肥長(cháng)鑫和清華紫光集團最為積極。

　　消息人士透露，合肥長(cháng)鑫除了計劃和武岳鋒基金并入的美商矽成(ISSI)合并，也挖角華亞科前資深副總劉大維，展開(kāi)大批挖角華亞科人才行動(dòng)。據了解，合肥長(cháng)鑫開(kāi)出現有華亞科三倍的高薪進(jìn)行挖角，且鎖定人數高達兩百人，遠高于紫光集團出的雙倍薪，已有不少人決定投效。

　　另外，華亞科前董事長(cháng)高啟全跳槽紫光集團擔任資深副總裁，紫光納入武漢新芯整合成立長(cháng)江存儲公司后，也挖角前華亞科主管廠(chǎng)務(wù)的子弟兵施能煌擔任紫光集團高級副總裁，并相繼帶走近十位子弟兵，投入在武漢興建3DNANDFlash的建廠(chǎng)及后續自主研發(fā)DRAM技術(shù)作業(yè)。臺系存儲人才面臨空前的挖角行動(dòng)。

　　而連同瑞晶前總經(jīng)理陳正坤帶領(lǐng)的臺系團隊，投入為福建晉華興建利基型DRAM代工廠(chǎng)，明年可謂臺系DRAM人才大舉向大陸靠攏的一年。