新興內存百家爭鳴 商品化腳步穩健向前

　　內存是半導體的主力產(chǎn)品之一，目前主要由動(dòng)態(tài)隨機存取內存(DRAM)及具備非揮發(fā)特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項產(chǎn)品。 不過(guò)，由于DRAM必須持續上電才能保存數據，NAND Flash又有讀寫(xiě)速度較DRAM慢，且讀寫(xiě)次數相對有限的先天限制，因此內存業(yè)者一直試圖發(fā)展出新的內存架構，希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非揮發(fā)特性。

　　根據研究機構Tech Insights估計，包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代內存，都已陸續進(jìn)入小量生產(chǎn)階段。 不過(guò)，這些新興內存技術(shù)中，除了少數例外，要發(fā)展到能跟DRAM、NAND Flash分庭抗禮的程度，恐怕還需要很長(cháng)的一段時(shí)間，因為DRAM與NAND Flash已具備極為龐大的經(jīng)濟規模，即便新興內存技術(shù)在性能方面明顯優(yōu)于現有內存，在供貨穩定度、成本方面也未必能與現有內存技術(shù)比拚。

　　有鑒于此，某些新興內存技術(shù)選擇朝利基市場(chǎng)發(fā)展，搶攻DRAM、NAND Flash不適合應用的領(lǐng)域，例如德州儀器(TI)、柏士半導體(Cypress)、富士通微電子(Fujitsu)的FRAM，便主要鎖定汽車(chē)應用或作為微控制器(MCU)的內嵌內存。