存儲“芯”動(dòng)態(tài)：美光擴產(chǎn)廣島DRAM廠(chǎng) 三星擬擴充西安NAND Flash產(chǎn)能

　　多數手機以不同存儲規格來(lái)區別高配版、標準版，而不同版本之間的差價(jià)可達到幾百元，這讓我們看到了作為四大通用芯片之一的存儲器的重要性。

　　半導體存儲器是一個(gè)高度壟斷的市場(chǎng)，其三大主流產(chǎn)品 DRAM，NAND Flash，NOR Flash 更是如此，尤其是前兩者，全球市場(chǎng)基本被前三大公司占據，且近年來(lái)壟斷程度逐步加劇。以DRAM和NAND兩種主要存儲芯片為例，2016年第一季度，DRAM市場(chǎng)93%份額由韓國三星、海力士和美國美光科技三家占據，而NAND Flash市場(chǎng)幾乎全部被三星、海力士、東芝、閃迪、美光和英特爾等六家瓜分。

　　美光計劃斥資20億美元 擴產(chǎn)廣島DRAM廠(chǎng)

　　據日經(jīng)新聞報導，美光科技計劃未兩至三年斥資20億美元，在位于日本廣島的工廠(chǎng)量產(chǎn)主要應用在智能手機、數據中心和自駕車(chē)的新世代動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)。

　　報導指出，美光已在這座廠(chǎng)房?jì)仍鲈O無(wú)塵室，并準備研發(fā)13納米芯片的制程技術(shù)。該公司已買(mǎi)下多臺訂價(jià)數十億日元的尖端芯片制造設備進(jìn)行研發(fā)，預料在DRAM芯片開(kāi)始量產(chǎn)后，還會(huì )添購更多設備。這座工廠(chǎng)原屬于爾必達(Elpida)，2013年隨著(zhù)爾必達一起并入美光旗下。

　　目前在全球DRAM制造商居第三的美光正加緊研發(fā)，以趕上業(yè)界龍頭韓國三星電子的腳步。和美光目前采用的16納米制程技術(shù)相比，13納米芯片裝配在單一晶圓上的數量更多，生產(chǎn)效益預料可提升逾20%。

　　90億美元!三星擬擴充西安NAND Flash產(chǎn)能

　　三星電子5月29日表示，正考慮在中國西安的生產(chǎn)基地擴充存儲芯片產(chǎn)能。因應相關(guān)產(chǎn)業(yè)對存儲芯片的需求。

　　三星電子發(fā)言人證實(shí)，三星電子考慮擴充西安廠(chǎng)的產(chǎn)能，但未提供其他細節。三星電子已對西安廠(chǎng)投資70億美元，生產(chǎn)3D NAND存儲芯片。這種芯片用于高端信息儲存產(chǎn)品，像是智能手機、個(gè)人電腦和服務(wù)器。

　　韓國媒體早先報導，三星電子正和中國官方洽談，將擴充西安廠(chǎng)產(chǎn)能，投資額高達10萬(wàn)億韓元(89.3億美元)，預定今年底前動(dòng)工。2019年開(kāi)始營(yíng)運。