背靠聯(lián)電的技術(shù)，晉華存儲DRAM實(shí)力能否殺出重圍？

　　在2016年7月16日，投資370億元人民幣、月產(chǎn)6萬(wàn)片12吋內存晶圓、年產(chǎn)值達12億美元的晉華存儲器集成電路生產(chǎn)線(xiàn)一期項目開(kāi)工儀式。

　　據資料顯示，晉華存儲器集成電路生產(chǎn)項目由福建省電子信息集團和泉州、晉江兩級政府共同投建，總規劃面積594畝，預計于2018年9月達產(chǎn)。作為國家重點(diǎn)支持的DRAM存儲器生產(chǎn)項目，晉華項目已納入國家“十三五”集成電路重大生產(chǎn)力布局規劃重大項目清單，并獲得首筆30億元國家專(zhuān)項建設基金支持。

　　此項目堪稱(chēng)晉江所有重點(diǎn)在建項目中的“巨無(wú)霸”，而這背后所采用的技術(shù)則是臺灣地區第二大代工廠(chǎng)聯(lián)電(UMC)的。在莫大康的《晉華存儲器項目異軍突起》一文中，筆者了解到幾大細節：

　　1，聯(lián)電接受晉華委托開(kāi)發(fā) DRAM 相關(guān)制程技術(shù)，技術(shù)主要應用在利基型 DRAM 的生產(chǎn)(開(kāi)初是32納米制程，之后技術(shù)逐步升級)由晉華提供設備與資金，并支付聯(lián)電技術(shù)報酬金做為開(kāi)發(fā)費用，而最終開(kāi)發(fā)成果由雙方共同擁有。

　　2，聯(lián)電已經(jīng)在南科廠(chǎng)組建超過(guò)100人的團隊，投入 DRAM 相關(guān)制程，設立小型生產(chǎn)線(xiàn)進(jìn)行試產(chǎn)。整個(gè)專(zhuān)案由前瑞晶總經(jīng)理、現任聯(lián)電副總經(jīng)理陳正坤所領(lǐng)軍。

　　3，第一期月產(chǎn)12英寸60，000片，投資370億元，于2018年9月達產(chǎn)，預計年銷(xiāo)售額12億美元。而項目的二期工程將在五年內擴產(chǎn)至月產(chǎn)120，000片規模。

　　由于DRAM，包括利基型DRAM的設計相對并不復雜，只要購買(mǎi)先進(jìn)制程設備，實(shí)現量產(chǎn)應該不是什么問(wèn)題。

　　頭頂臺灣第二大代工廠(chǎng)的聯(lián)電能否擔此重任?

　　聯(lián)電有什么?

　　聯(lián)電是臺灣第一家半導體制造企業(yè)，于1980年成立，老對手臺積電卻比聯(lián)電遲了7年于1987年在臺灣成立，聯(lián)電也是臺灣第一家上市的半導體公司(1985年)。早成立七年的聯(lián)電卻并沒(méi)有臺積電的成就，臺積電用采取半導體代工模式迅速超過(guò)聯(lián)電。

　　1995年聯(lián)電也轉變成為半導體代工模式與臺積電全面競爭，不過(guò)已經(jīng)無(wú)法改變戰局，雙方的差距越拉越遠。2004年臺積電營(yíng)收2559億元新臺幣，占全球半導體代工市場(chǎng)的份額46%;聯(lián)電營(yíng)收1173億元新臺幣，占全球半導體代工市場(chǎng)的份額23%，無(wú)論營(yíng)收還是市場(chǎng)份額聯(lián)電都只有臺積電的一半。

　　被臺積電拉開(kāi)差距這件事還得追溯到2003年，臺積電0.13微米自主工藝技術(shù)驚艷亮相，而聯(lián)電則因為決策性失誤，在該制程上選擇與IBM合作開(kāi)發(fā)，最終臺積電獲得了勝利，這一節點(diǎn)成為了二者競爭的分水嶺。此后，臺積電一路躍升為晶圓代工的霸主，而聯(lián)電業(yè)績(jì)平平開(kāi)始掉隊，此后的事情無(wú)需贅述，二者在這場(chǎng)競賽中的走勢一直延續至今。

　　上圖為2016年全球前十大晶圓代工廠(chǎng)營(yíng)收排名，取得探花地位的聯(lián)電，2016 年的銷(xiāo)售額達 45.8 億美元，雖金額年增長(cháng) 3%，但市占率卻下滑 1 個(gè)百分點(diǎn)，來(lái)到 9% 的市占率。聯(lián)電 2016 年營(yíng)收成長(cháng)，主要受惠于 28 納米制程制程訂單滿(mǎn)載，進(jìn)而降低了淡季帶來(lái)的壓力。再加上聯(lián)電位于中國廈門(mén)的 Fab 12 寸晶圓廠(chǎng)成功量產(chǎn)，推動(dòng)了聯(lián)電 2016 年度營(yíng)收表現。

　　聯(lián)電在國內的布局早有動(dòng)作，早在2001年開(kāi)始進(jìn)軍中國大陸市場(chǎng)借道設立和艦希望借助大陸這個(gè)極具潛力的市場(chǎng)改變格局，花了16年時(shí)間完全收購了和艦的股份。

　　除此之外，2014年底聯(lián)電再次進(jìn)軍大陸，宣布在廈門(mén)建設更先進(jìn)的12寸半導體工廠(chǎng)(和艦科技是8寸半導體工廠(chǎng))，經(jīng)過(guò)兩年時(shí)間的緊急建設到今年11月實(shí)現量產(chǎn)，不過(guò)并沒(méi)能如其預期的投產(chǎn)28nm工藝而是40nm工藝。

　　根據最新消息， 聯(lián)電的先進(jìn)制程技術(shù)已達14nm，廈門(mén)聯(lián)芯也已被批準切入28納米，聯(lián)電財務(wù)長(cháng)劉啟東指出，14納米制程已在近期量產(chǎn)出貨，預計今年會(huì )帶來(lái)不少的營(yíng)收貢獻。

　　殺出重圍

　　目前，全球DRAM絕大部分市場(chǎng)份額掌握在三星(Samsung)、海力士(SK Hynix)和美光(Micron)手中，總占比約97%。

　　根據研究機構DRAMeXchange的市場(chǎng)觀(guān)察，三星電子、SK海力士和美光科技等三大DRAM(動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器)廠(chǎng)商的服務(wù)器DRAM營(yíng)收在第二季環(huán)比增長(cháng)30%，因DRAM晶片供應緊張繼續提升平均售價(jià)。該公司預計，在2017年剩余時(shí)間里，服務(wù)器DRAM供應將保持緊張。

　　有業(yè)內人士分析表示缺貨是DRAM資本減持和新制程轉進(jìn)良率不高兩大原因造成。

　　在技術(shù)方面，三星DRAM從20納米級制程(28-25-20)，轉進(jìn)1x納米制程。外媒報道，三星是DRAM龍頭，制程領(lǐng)先對手1~2年，2016年下半年首先量產(chǎn)18納米DRAM，計劃今年下半年推進(jìn)至15納米。與此同時(shí)，SK海力士也準備在今年下半年量產(chǎn)電腦用的18納米DRAM，接著(zhù)再投入移動(dòng)設備用的18納米DRAM。

　　雖說(shuō)聯(lián)電目前已在南科廠(chǎng)籌組數百人團隊，開(kāi)始投入DRAM相關(guān)制程技術(shù)開(kāi)發(fā)，不過(guò)初步規劃將從32nm制程切入，可以說(shuō)在技術(shù)起步上還落后很多。再者，存儲器的發(fā)展并非一朝一夕，嚴格的生產(chǎn)線(xiàn)管理，提高成品率及控制產(chǎn)品的最低成本顯得至關(guān)重要。作為“新進(jìn)者”，晉華存儲還得從長(cháng)計議。

　　不管怎么說(shuō)，晉華的存儲項目已經(jīng)起航，目前晉華集成電路有限公司的“DRAM制程技術(shù)開(kāi)發(fā)”重大技術(shù)合同通過(guò)評審，合同成交總金額達7億美元，其中技術(shù)交易額4億美元，折合人民幣26.0984億元，是目前國內經(jīng)評審認定最大金額的單項技術(shù)合同。作為國家重點(diǎn)支持項目，這一艘戰艦未來(lái)能承載多少希望，我們還是拭目以待。